右的电流！
3.10、外部中断配置：
外部中断分为通常意义的外部引脚中断和按键中断。
3.10.1、INTP外部中断
选择项，按照下图配置，生成代码。
在main主函数中添加R_INTC0_Start启动函数即可，在r_cg_intc_user.c中的中断服务函数__interrupt static void r_intc0_interrupt(void)添加用户代码即可。
3.10.2、KeyINT按键中断
按图配置，并生产代码：
在main主函数中添加启动函数R_KEY_Start即可启动KeyInt中断。
注意：在中断服务程序中需要清除KRF键返回标志寄存器，否则只能触发一次中断，如
下示：
清除键返回标志
3.11、片内EEPROM（DataFlash）
R7F0C002单片机自身不带EEPROM功能，但是可以通过数据闪存实现EEPROM数据保存的功能。
1、 需要将一下几个文件添加到工程目录下：
其中：pfdl.h、pfdl.inc、pfdl.lib、pfdl_sample_linker_file.dr、pfdl_types.h五个文件是厂家代码，这五个文件也可以通过E:\\xxx\\瑞萨002入门教程\\RENESAS_FDL_RL78_T04E_V1.00
工具生产，以上代码就是通过这个工具生产
的，r_pfdl.c文件是供应商那边工程师自己写的代码，经过修改后可以实现数据保存的功能。
2、接口函数：通过R_FDL_ExecuteRead函数可以读取指定地址内容，通过R_FDL_ExecuteWrite函数可以将指定内容写过到指定地址。注意：在写入数据之前必须要调用R_FDL_ClearDataFlash函数将整个地址数据全部清除掉再写入数据。
出现以下找不到库函数的报错时：
请将库函数Lib文件添加到工程中，如下图示：
将pfdl.lib文件添加到工程中
3.12、乘法运算
这里把R7F0C002单片机的乘法运算单独列出来，希望能引起读者注意单片机乘法
运算的时候符号类型转换。
以这个函数为例，ExamN是用来决定ExamValue值的存放地址，实际EEPROM的地址
Addr=0x0100+(ExamN*8)。
这里需要注意的时候如果按照下面写法会引起地址出错：
这里会引起错误 EE_WriteBytes((ulong)(0x0100+(ExamN*8)),8,Buf1)这样写EEPROM的地址会出错，在ExamN>32时ExamN*8的值会出错，是因为ExamN为uchar型数据，其值不能超过0xff，所以必须要先将ExamN的数据类型转换成ulong型（ExamN*8<0xffffffff时）或者是uint型（ExamN*8<0xffff时）。 按照以下写法才是正确的：
有关乘除法运算，请按照这种方式写
作者：Owen 20140114