容易发生活化或离化等化学反应。另外，由于入射的溅射粒子有较大的动能，基体和薄膜的温度变化也比较显著。
3，溅射粒子的成膜过程
靶材粒子入射到基片上在沉积成膜过程中，应当考虑的几个问题。 1）沉积速率
沉积速率Q是指从靶材上溅射出来的物质，在单位时间内沉积到基片上的厚度，该速率与溅射速率S成正比。
即有Q = CIS
式中，C-与溅射装置有关的特征常数；I—离子电流；S---溅射率。
上式表明，对于一定的溅射装置（即C为确定值）和一定的工作气体，提高沉积速率的有效办法是提高离子电流I.
但是，在不增高电压的条件下，增加I值就只有增高工作气体的压力。（在不增高电压的情况下，要增加离子电流，就需要增加工作气压，从而增加电离出来的离子数量）
而工作气体压力增高到一定值时，溅射率会明显下降。这是由于靶材粒子的背反射和散射增大所引起的。事实在，在大约10Pa的气压下，从阴极靶溅射出来的粒子中，只有10%左右才能够穿越阴极暗区。所以，由溅射率来选择气压的最佳值是比较恰当的。同时，气压升高还会影响薄膜质量。
2）沉积薄膜的纯度
为了提高薄膜的纯度，必须尽量减少沉积到基片上杂质的量。这里的杂质，主要是指真空室的残余气体。
平面磁控溅射的工作特性：
溅射时电流与电压之间的关系基本遵循下面的公式： I= KVn,
K和n是与气压、靶材料、磁场和电场有关的常数。 气压高，阻抗小，伏安特性曲线较陡，溅射功率的变化可表示成
dP=d(IV) = IdV + VdI = IdV + nIdV
显然，电流引起功率变化（nIdV） 是电压引起的IdV的n倍，所以要使溅射速率恒定，不仅稳压，更重要的是稳流，或者说必须稳定功率。
在恒定阴极电流条件下，阴极电压与气压的关系曲线，此时 功率P为 P = KVn+1
在气压和靶材料等因素确定后，如果功率不太大，则溅射速率基本上与功率成线性关系。但是功率如果太大，可能出现饱和现象。