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通
信
与测
控
1年： 9
第2期
b副反射面虚焦点与主口径面的距离E ( )表示修正后主口径场的分布函 x 数{
F O表示副反射面采用的馈源照射 - ) (函数c
≮ ’{
(式反映了电磁波能量在主副反射 1)面至空间传播过程中。满足能量守恒定律，(2式表示副反射面的反射定律， 3)式 ) (袁示主反射面的反射定律， 4j式表示了在 (上述三个式子成立的同时，到达主反射面口
\、队 /
1
0 q J一 b一
径处的电磁波同相位，称为等光程条件。光程为SS= r+0+ b+…一 …
图 l修正坐标乐 ( z一 6 )
/ (— r i 9+ (+ r o 9) sn ) z cs
当E (、F ( )、F/ D、口、月、日选定后，依据上述方程组，可求出一个 ) 、R。对应的天线反射面参数，这个过程由计算机C AD来完成。 当天线反射面确定之后，只要将照射馈源的实际方向图考虑进去，进行分析计算 (口面场积分+G TD)使可得到所设计天线的辐射特性。辐射性能的优劣，与口径场分布 E ( ), 、馈源照射函数F ( )等有密切关系。下面对这两个物理量进行讨论。 3 2天线口径场分布函数对辐射特性的影响【 .
理论和实践都已证明，天线辐射特性的优劣，了与照射馈源有关之外，一个重要决定除另性因素就是天线的口径场分布。口径场分布如果恰当，整个天线性能会得到明显的改善。这个口径场的选取不仅要考虑到天线获得高效率，而且会和辐射性能发生矛盾。
注意到在上述天线修正方程中，确定 E(的过程基本就是确定天线辐射特性的过程， ) 必须仔细分析、计算，综合考堪。从理论上讲，均匀同相分布时天线获得增益最高，同时主副面的绕射和漏失也比较大，向图在D/^于 3 0无法满足 C I方小 0肘 C R包络要求，且天线 G/ 并 T值未必最佳。对于我们介绍的天线，工作在 L C双频区，D/ 7到 3 0间，故不能用/从 5 2之均匀同相分布。 对标准反射面天线而言，
其口径分布极不乎坦，边缘锥削大，虽然其方向性可能做得满
足 C I包络要求，但天线效率很低。因此，我们所需要的口径场分布必然介于上述锥削分 CR布与均匀『分布之间到目前为止，已经用过的分布有幂级数、余弦和指数 -等形式，司相 但大都不适合L/C双频区，为此设计中我们采用了下述口径分布：p< P< 1 o
P< P p】<。P< p】