高频功率放大器的制作与调试(2)

2020-12-24 20:13

风和辩证思维能力。

1.2 实习地点

长沙理工大学云塘校区:综合实验楼4-1,4-2,理科楼B-310

1.3 实习单位和部门

长沙理工大学计通学院

1.4 实习内容

高频功率放大器的制作与调试

2 基本原理

高频功率放大器研究的主要问题是如何获得高效率,大功率输出。在低频功率放大

器中,为提高效率,往往采用乙类(或甲乙类)推挽放大器;而在高频功率放大器中,

则常工作在丙类,以求得到比乙类更高的效率。高频功率放大器常用的有源器件有晶体

管与真空管。输出功率在千瓦以下的功率管常采用晶体管或VMOS场效应管,而对于千

瓦以上的功率管主要采用真空管。高频谐振功率放大器的主要特性是工作于大信号的非

线性状态。数学描述是非线性微分方程。二阶以上非线性微分方程的求解目前还很困难,

因此工程上还普遍采用古典的近似分析方法[2]。

本设计是一款AB类功高频率放大器,作为参考电路是具有一定代表性电路。可以

设计不同的电路来完成实习制作。本电路特点,工作带宽1~50MHz,12V低电压供电。

L1在FT37-43磁环上,用ф0.3双线绕5圈而成,绕制方法是先把双线拧在一起,然后

在磁环上均匀绕5圈而成,取同相点和另一绕组的异相点接在一起做中间点。L2在

FT50-61的磁环上用ф0.6线绕15圈制成。无极性电容一律采用陶瓷电容,电解电容一

律采用旦质电容。1S1588用来做温度补偿,在制作时一定要把二极管紧贴在三极管散

热翼上[3]。

3 设计流程

3.1 原理图设计


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