受偏置电阻的影响。
10． 共基极电路如图3-36所示，已知rbb′=300Ω，UBE=0.7V，其它参数如图3-36所示。 （1） 求Q值。
（2）画出微变等效电路，计算Aus、Ri及Ro。 解：（1）
us+_Rb210kRs1kTCbβ=50CcRLRc50k3k5.1kUBQRb2?VCC?2VRb1?Rb2UBQ?0.7Rs?1.3mA
Rb1+12V 图3-36 习题10 电路图 ICQ?IEQ?UCEQ?VCC?ICQ(RC?Rs)?6.8V（2）
'rbe?rbb?(1?β)26mV?1.3kΩICQAus?uoβ(Rc//RL)??2 usrbe?(1?β)Rs
习题10 微变等效电路
rbe?1k?1??Ro?Rc?3kΩRi?Re?
11 .在图3-37所示的放大电路中，已知VDD=15V，管子参数IDSS=4mA，UGS(off)=－6V。设所有电容在交流通路中可视为短路。
（1）希望静态偏置IDQ=1mA，试求： UGSQ 、R s 及gm （2）画出微变等效电路，计算当R d=9kΩ时的电压增益Au 解：
C1Rd+VDDC2+TIDQ?IDSS(1-UGSQ=-3V UGSQ=-IDQRS RS=3K
UGSQUGS(OFF))2
+ui_RgRsuoC3_ 图3-37 习题11电路图 gm?2UGSOFFIDSSIDQ?0.67mS
AU?
uo?-gmRd??6 ui
习题11 微变等效电路
12. 在图3-38所示的放大电路中，已知VDD=-30V，管子参数IDSS=-7mA，UGS(off)=8V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。
（1）求静态工作点IDQ、UGSQ、UDSQ的值。
（2）为了保证管子工作在恒流区，求R s2可能取的最大值。 解:
+C1TRg1M-VDDRd3kΩC2+Rs11k2kuoC3_IDQ?IDSS(1-UGSQUGS(OFF))2ui_Rs2 图3-38 习题12电路图 UGSQ?-IDQRS1以上两式联立求解得：IDQ?-2.9mAUGSQ?2.9VUDSQ??VDD?IDQ(RD?RS1?RS2)??12.4V保证管子工作在恒流区，要求：UDSQ?UGSQ?UGSOFF?5.1V即要求：RS2?4.5K?
13. 电路如图3-39所示，已知场效应管转移特性曲线上的工作点参数为（0V，-0.4mA）。
（1）求满足电路要求所对应的电阻Rs的值； （2）计算gm=0.2mA/V时放大电路Au、Ri和Ro 的值 （3）此电路将管子换成JFET管可以工作吗？要换成增强型管需改哪些参数？
解：(1)为P沟道耗尽型MOS管，已知：UGSQ=0，IDQ =
+
RG1200kRd20k-VDD(-20V)C2+C1RG35MRG251kRL20kui_uo_RsCs 图3-39 习题13电路图 -0.4mA
?UGSQ?RG2VCC-IDQRS?0RG1?RG2IDQ??0.4mA?RS?10k?(2)Au??gm(Rd//RL)??2Ri?RG3?RG1//RG2?5M?Ro?Rd?20k?(3)换成P沟道结型场效应管可以工作；换成P沟道增强型管需要改变RS值或RG1及RG2的分压比例，使UGSQ>0。
14. 电路如图3-40所示，已知场效应管的中低频跨导为gm，写出当开关S打开和闭合时放大电路的Au、Ri和Ro的表达式。 解：
R1C1T+R3Rs1S
VDDRdC2+开关闭合：Au??gm(Rd//RL)Ri?RG3?RG1//RG2Ro?Rd 开关打开：?gm(Rd//RL)Au?1?gmRs1ui_R2Rs2RLuo_ Cs 图3-40 习题14电路图 Ri?RG3?RG1//RG2Ro?Rd
15．源极输出器电路如图3-41所示，已知场效应管工作点的中低频跨导gm=0.9ms,其他参数如图3-41所示。求电压增益Au、输入阻抗Ri和输出阻抗Ro。
解：
+Rg1300kVDD12VC1TRg32MC2+Au?gmRs?0.921?gmRs1?1k?gmui_Rg2100kRs12kuo_ Ri?RG3?RG1//RG2?2M? Ro?Rs// 图3-41 习题15电路图
16． 如图3-42所示场效应管放大电路。 （1） 指出其放大组态；
（2）考虑rDS的影响，写出输出阻抗Ro的表达式 解：
（1） 共栅极放大电路 （2）
'Ro?Rd//[Rs'?rds(1?gmRs)]C1R+RsTRdRg1Rg2 C2RLus_C3+12V 图3-42 习题16电路图 R?RS//R
'S
17 .根据场效应管的离散性，已知某种管子转移特性的变化范围如图3-43所示。设计一共源放大器，使其漏极电流保持在图示的A、B之间。指出偏置电路的类型并估算偏置电路的参数
【修正：教材中该题图3-43两黑点应落在A、B曲线上】
解：设计如图所示混合偏置放大器，UGS=UG-IDRS为偏置线方程，按照题目要求，负载线是过AB两点的直线，设AB连线交于横轴UG点，取RG1、RG2值使UG?等于图中对应之值，然后再确定Rs之值，显然：
-10 -8 -6 -4 A2 B2 -2 iD/mA 12 10 8 6 4 2 uGS/V 图3-43 习题17 电路图 RG2VCCRG1?RG2RS??
UGSmax?UGSmin
IDmax?IDmin
UGSmax UGSmin UG A2 B IDmax IDmin iD/mA VDDRg1C1+TRg3Rg2Rs+RdC2uiuo_ uGS/V 第4章 习题 _ 1． 概念题 （a）负载线 （b）电路 （1）在多级直接耦合放大器中，对电路零点漂移影响最严重的一级是 第1级 ，零漂最大的一级是 最后1级 习题 。17 答案图 （2）差分放大电路有 4 种输入输出连接方式，其差模电压增益与 输出 方式有关，与 输入 方式无关。
（3）集成运放是一种采用 直接 耦合方式的放大电路，所以低频性能 好 ，其最大的问题是 零漂大 。
（4）一个带宽为0.1～10MHz的宽频带多级放大电路，应采用的耦合方式是（ B、D ）。 A：阻容耦合
B：直接耦合
C：变压器耦合
D：光电耦合
（5）有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2kΩ，Ro=3kΩ。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为（ B，20dB+12dB=32dB ）。
A：40 dB 160dB
（6）放大电路中采用复合管的目的是（ C ）。 A：增加输入阻抗
B：减小零点漂移
C：提高电压或电流放大倍数
B：32 dB
C：16 dB
D
：
（7）一般情况下，我们用 输入短路，将测得的输出电压除以运放的增益 的实验法测得输入失调电压UIO。
（8）双入双出的差分放大电路，其共模信号幅值不管多大都不会影响差模输出。对吗？（ 不对 ）
（9）共模信号和差模信号都可以是交流信号，也可以是直流信号。对吗？（ 对 ） （10）对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射级电阻Re可一概视为短路。对吗？（ 对 ）
（11）有源负载可以增大放大电路的输出电流。对吗？（ 不对 ）
第1章 习题答案
1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√）
（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题：
（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是 10S 。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是 1KΩ 。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是 0.01 。 （4）在 输入信号为电压源的 情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在 负载要求为恒压输出的 情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在 输入信号为电流源的 情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在 负载要求为恒流输出的 情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。 （9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+UOM是 14V ，最大不
失真负电压输出-UOM是 -14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成
约70V/V，该放大器的下限截止频率fL是 0HZ ，上限截止频率fH是 250KHZ ，通频带fBW是 250KHZ 。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的
内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。
4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大
器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。
解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输
出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。
第2章 习题答案
1. 概念题：
（1）常温下，N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗？（ 有 ） P型半导体在导电时有电子载流子参与吗？（ 有 ）
（2）在不加外电压时，PN结内部有没有电子的运动？（ 有 ） 将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗？（ 无 ）
（3）PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗（ 不是 ）P+N结加反向电压哪边将变得更宽（ N边 ）
（4）作漂移运动的一定是少数载流子吗？（ 不一定 ）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的吗？（ 是 ）
（5）拿2个二极管可否组成1个三极管？（ 不行 ）三极管可否当二极管用？（ 可以 ）
（6）下列哪些元件为双极型器件？（A、B）哪些元件为单极型器件？（C、D） A. 二极管、稳压管
B.三极管
C. 结型场效应管
D. MOS管
（7）H参数等效模型适合（ A、C、D ）。
A. 中低频电路
B. 高频电路
C. 小信号输入
D. 交流分析
（8）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（ A、C ）。 A. 结型场效应管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
（9）半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是 电子和空穴都参与导电 。
（10）二极管主要的特点是 单向导电性 ，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 最大整流电流 和 最大反向电压 。
（11）在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
（12）某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 上升 。
（13）将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合，可得到 5 种有效的形式，等效稳压值分别为 3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7 。
（14）PN结具有结电容效应，凡用PN结组成的电子元件，在 信号频率 较高时必须考虑这种效应。
（15）变容二极管在工作时也要加偏置电路吗？（ 需要 ）发光二极管在工作时要串联一个电阻，否则 会因电流过大而损坏 。
（16）三极管输出特性曲线中饱和区和放大区的分界线标志为 UCB=0 ，截止区和放大区的分界线标志为 IB=0或 IC=ICEO 。
（17）当三极管工作在放大区时，两个PN结的特征是 发射结正偏、集电结反偏 。
（18）耗尽型FET管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 UGD=UGS(off) ，截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(off) ；增强型FET管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 UGD=UGS(th) ，截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(th) 。
（19） 在 0< |UGS|<|UGS(off)|，|UGD|>|UGS(off)| 且二者同号的 前提下，JFET管或耗尽型MOS管工作在放大区。
（20）当N沟道增强型MOS管工作在放大区时，其外部管脚间的电压特征是 |UGS|>|UGS(th) ， |UGD|<|UGS(th)| 且二者同号 。
2．如图2-64所示电阻分压式电路，输入电压ui为正弦信号，峰值为0～100V。要求输出uo为0～5V，输出阻抗小于1kΩ，分压精度优于1‰，请给出R1、R2的阻值、功率和精度。
解：根据输出阻抗要求，选R2=1kΩ，则R1=19kΩ；因功率为（0.707*50）2/20=62mW,故电阻功率选1/4W；有风压精度要求，选电阻的精度等级为0.05%。
3． 如图2-65所示，电路输入ui为220 V、50Hz交流电压，断开电容C画出ui、uo对应波形；如果把C接入，请分析uo波形的变化，并说明对C有何作用？如何选择其何参数？ 解：
提示：断开C时，为单向整流； 接入C时为整流滤波电路， C的耐压大于250V （波形略）
4．电路如图2-66所示，ui为127V、400Hz交流电压，画出ui和uo对应波形。并说明电感L有何作用？如何选择其参数？ 解：
图2-66 习题4电路图 +DL+C1C2RLuo_+D+CRR1++R2uo_ui_ 图2-64 习题2电路图 ui_uo_ 图2-65 习题3电路图 ui_ 该电路是半波整流LCπ型滤波电路；L的作用是抑制电流的变化，使输出波形平滑。 （波形略）
5．二极管电路如图2-67所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压UAO。设二极管是理想二极管。
DA12V6kΩ18VDA6kΩ12V18VO O （a） （b） D1D2D2A10kΩD110kΩ9V6V15VA9V15VO O （c） （d） 图2-67 习题5电路图 解：(a)导通，-12V (b)截止，-12V (c)D1截止，D2导通，-9V (d)D1截止，D2导通，6V
6 . 电路如图T2.6所示，输入ui为三角波，峰—峰值为±10 V。
（1）设D1、D2管压降为0.7V，画出uo的对应波形和输入输出特性图。
（2）若D1、D2为理想二极管，uo波形会有什么变化。 解：（1）见下图
（2）上下限幅值该为5V、-4V。
图2-68 习题6电路图 + RD15VD24V+ ui_uo_
ui +10V uo +5.7V t -10V u0 +5.7V -4.7V -4.7V +5.7V -4.7V ui t 输入、输出波形 输入输出特性图 习题6答案图 7. 电路如图2-69（a）所示，D为普通硅稳压管，E=12V。
（1）图2-69（b）为稳压管D的特性曲线，当us=0V时，在图（a）电路中，要使D分别工作在Q1、Q2、Q3，则R的值分别应为多少？
（2）us为峰值是1V的正弦信号，D工作在Q2点，请画出uo的波形并计算出D上的输出信号有效值。 +R20 iD/mA Q3 us+D_10 2 0 Q2 Q1 uD /V 0.6 0.7 0.8 12Vuo_ （a） (b) 图2-69 习题7电路图
解：（1）R1?（2）
12?0.612?0.712?0.8?5.7k，R2??1.13k，R3??0.56k 21020uo?rdus?2.3sinωt(mV)R2?rd2.32?1.6mV
Uom?
(2)波形略
8. 电路如图2-70（a）所示，D为理想二极管。设输入电压ui(t)的波形如图2-70(b)所示，在0＜t＜5ms的时间间隔内，试绘出uo(t)的波形。
510Ω+D+510Ω5Vui(t)_uo(t)_ （a） （b） 图2-70 习题8电路图
解：
uD?ui?5V ui?5V，D截止；ui?5V，D导通。
9 . 硅稳压管电路如本题图2-71所示。其中硅稳压管DZ
的稳定电压UZ=8V、动态电阻rZ可以忽略，UI=20V。试求： （1）UO 、IO 、I及IZ的值；
（2）当UI降低为15V时的UO 、IO 、I及IZ的值。
解：（1）UO=8V，IO?+UI_RIIo+Uo_ 习题8 答案图 2KΩIZDZRL2KΩ 图2-71 习题9电路图 UO8??4mA，I=6mA，IZ=I-IO=2mA RL215?3.75mA 4（2）DZ截止，IZ=0，UO=7.5V，IO?I?
10．测得某电路中工作在放大区的三极管的三个电极A、B、C的对地电位分别VA=-9V，
VB=-6V，VC=-6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c？并说明此三极管是NPN管还是PNP管。
解：A：集电极c；B：发射极e；C：基极b；此三极管是PNP管。
11． 某电路中工作在放大区的三极管三个电极A、B、C的电流如图2-72所示，用万用表直流电流档测得IA=-2mA，IB=-0.04mA，IC=2.04mA，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c？并说明此三极管是NPN管还是PNP管。
解：A：集电极c；B：基极b；C：发射极e，此三极管是NPN管。
12 . 判断如图2-73所示的三极管工作在什么状态。设三极管为小功率硅管。
cUC=5VbUB=0.65VeUE=0V C A IA IC IB B 图2-72 习题11电路图 cUC=12VbUB=2.5VeUE=3V bUB=1VcUC=0.6VeUE=0.3V (a) (b) (c) eUE=5VbUB=6VcUC=0V bUB=1VcUC=0VbUB=-0.7VcUC=-0.7VeU=1.7VE eU=0VE (d) (e) (f) 图2-73 习题12电路图
解：(a)放大 (b)截止 (c)饱和 (d)截止 (e)放大 (f)饱和
13．某三极管的极限参数ICM=100mA，PCM=150mW，V(BR)CEO=30V，若它的工作电压VCE=10V，则工作电流Ic不得超过多大？若工作电流Ic=1mA，则工作电压的极限值应为多少？
解：Ic?PCM150??15mA，因此工作电流Ic不得超过15mA； VCE10VCE?PCM150??150V，因为V(BR)CEO=30V，所以工作电压的极限值为30V。 Ic114．如图2-74所示，a、b两种电路，三极管为小功率硅管，图2-74（c）、(d)为T1、T2
的输出特性曲线。
（1）请根据图2-74(c)和图2-74(d)求出T1和T2的β1和β2。
（2）设计并计算出Rb和Rc的值，使T1、T2工作在放大区Q1(6V,10mA)、Q2(-6V,-10mA)。 (3) 求出rbe1、rbe2并作出T1、T2的h参数等效电路。
【修正：①请将教材中该题（1）“图2-74(a)和图2-74(b)”改成“图2-74(c)和图2-74(d）”； ②教材中图2-74（b）输入电压+5V改为-5V，T2改为PNP型管； ③教材中图2-74（d）IB应为负值；】
+Vcc=+12VRcICIBT1Rb3V （a） （b） 20 15 1 10 5 0 6V Q iC/mA 0.2mA 0.15mA IB=0.1mA 0.05mA uCE/V
（c） （d） 图2-74 习题14电路图 解：（1）由图（c）、（d）可知：
?1?100，?2?20
（2）由（c）知：IBQ=10mA，ICQ=10mA，UCEQ=6V；
Rb?VCC?UCEQ3?0.7?2.3K?；RC??600?；IBQICQ
由（d）知：IBQ=-0.5mA，ICQ=-10mA，UCEQ=-6V；
?VCC?UCEQ?5?0.7Rb??8.6K?；RC??600?；IBQICQ
rbe1?rbb'?(1??)（3）
26mV26?300?101??560?；IEQ10
rbe226mV26?rbb'?(1??)?300?21??305?；IEQ10
15．设所有场效应管的︱Ugs(th)︱=︱Ugs(off)︱=4V，判断如图2-75所示的场效应管工作在什么状态。
dUD=5VgUG=0VsUS=0VgUG=0VdUD=3VsUS=2VdUD=12VgUG=1VsUS=6V （a） （b） （c） dUD=10VgUG=-2VsUS=0VgdUD=20VdUD=3Vg UG=-2VsUS=3V UG=0VsUS=2V （d） （e） （f） dUD=12VgUG=0VsUS=0VdUD=1VggdUD=10V UG=6VsUS=0.5V UG=6VsUS=2V （g） （h） （i） dUD=0VgUG=8VsUS=6V gUG=-3VdUD=-12VdUD=-3Vg sUs=0VUG=0V sUS=-1V （j） （k） （l） 图2-75 习题15电路图 解：(a)恒流 (b)可变电阻区 (c)截止 (d)恒流 (e)截止 (f)可变 (g)截止 (h)可变 (i)恒流 (j)恒流 (k)截止 (l)可变
16．如图2-76 (a)、(b)分别为增强型管和耗尽型管的两种偏置电路，图2-76(c)、(d)为其输出特性。
（1）作出T1、T2的转移特性图。
（2）如工作点分别为Q1(5V,50mA)、Q2(5V,20mA)，确定Rd的值，并回答Rg的值应如何选取。
（3）由特性曲线估算T1、T2在工作点的gm。作出T1、T2的动态参数等效电路。
【修正：教材中该题（1）“传输特性”改为“转移特性”】
VDD=15VRdT1RgVGG= 5VVGG=-1.5VRgVDD=15VRdT2
75 50 25 （a） （b）
1.5V iD/mA 6V Q 5V 4V 3V 2V 5V 40 30 20 10 iD/mA
uDS/V 0V Q -1.5V -3V -4.5V 5V 0 uDS/V 0
（c） （d） 图2-76 习题16电路图
解：(1)
（a）T1管转移特性 （b）T2管转移特性
习题16（1）答案图
(2)由电路图可知：
图（a）:Rd?VDD?UDSQIDQ?15V?5V?200?
50mA图（b）：Rd?VDD?UDSQIDQ?15V?5V?500?
20mARg一般取1 MΩ~10MΩ；
（3）根据gm计算公式，有： 图（a）：
gm?2UGS(th)IDOIDQ?22V25mA?50mA?11mS
图（b）：
gm??2UGS(off)IDSSIDQ??230mA?20mA?3.1mS
?4.5V
第3章 习题
1. 概念题：
（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
（2）电源的作用是 为能量转换提供能源 ，如果离开电源，放大器可以工作吗？（ 不能 ）
（3）单管放大器的讲解从电容耦合形式开始，这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ，如果信号和负载直接接入，其 工作点 的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还能认为是共射放大器吗？（ 能 ）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还能认为是共集放大器吗？（ 能 ）
（5）在模电中下列一些说法是等同的，（A、C、F）另一些说法也是等同的。（B、D、E）
A. 直流分析 B. 交流分析 C. 静态分析 D. 动态分析 E. 小信号分析 F. 工作点分析
（6）PN结具有单向导电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大，这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
（7） β大的三极管输入阻抗 也大 ，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为
rbe?rbb'?(1??)UT。 IEQ（8）画直流通路比画交流通路复杂吗？（不）在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ，直流电流源可认为 开路 ，二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
（9）求输出阻抗时负载RL必须 断开 ，单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器，其次是共 源 放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ，交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ，对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗？（ 无 ）
（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻RC或RD的作用是 把电流IC或ID的变化转换为电压的变化 。
（12）放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真，引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
（13）三极管组成的三种基本放大电路中，共 基 放大电路的高频特性最好，估计这与 晶体管的结电容 有关。
（14）从静态管耗及提高输入阻抗的角度上考虑，设计放大器应选用 场效应 类晶体管，尤其是 MOS 类晶体管。
（15）单管共射放大器，在 负载开路的 情况下，直流负载线和交流负载线重合；任何放大器在 静态工作点 处，直流负载线与交流负载线必相交。
（16）晶体管输入特性描述的是 在输出管压降不变的情况下，输入电流与输入电压的关系 ，场效应管 不描述 输入特性，这是因为 其输入电流从理论上讲恒为0 。
（17）场效应管是用 垮导 来描述其放大倍数的，从这个意义来讲，它可方便地组成 电压 输入 电流 输出型放大器。
（18）?可以用来求静态工作点，gm可以吗？（ 不可以 ）
2.试分析图3-28所示各电路是否能够放大正弦交流信号，如果不能，指出其错误，并改正。
+_Rb+VCCRcC+VCCRc+VCCRc+TRb+T uo_ +ui_VBB uo_+T ui +_Rb +ui_Re uo_ (a) (b) (c) +VCCRc+TC+VCCReTRb+C+VDDRGRdT+ uo_ +ui_Rc +ui_ui uo_uo _ R1C1TR3RsR2 +VDDRd+RL -VDDRd+ (d) (e) (f) +VDDCRdC2++ 解：
ui_uo_T +ui_ uo_ +T uouiRgRs_ 图3-28 习题2电路图 _ (g) (h) (i) （a）不能，发射结没有加偏置。改：Rb接地一端改接到VCC （b）不能，VBB使ui短路。改：串接Rb到上VBB支路； （c）不能，集电结正偏置。改：加基极电阻Rb （d）不能，PNP管，电源加反。：改:VCC改成-VCC （e）可以；
（f）不能，结型，UGS=VCC.改：RG接电源端改接地端； （g）不能，C使ui短路。改：去掉C; （h）可以；
（i）不能，UGS=IDQRS>0,而P沟道增强型管要求小于0。改：偏置电路换成分压式的。
3.画出图3-29所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
R1+VccR4C3+T1C1+R2T2C2R3_
R1R3Rb1Rc1Rc2T2T1C1+VccuoRb2IsD1Re2RLui_ （a） R5R6T2 （b） +Vcc+VCC+RsRb1
RsC1T1+_R2R4C2u_sVBBTRLCRcRb2 usuoD （c） （d） 图3-29 习题3电路图 解：图3-29所示各图的直流、交流通路如下图所示
R 3+VccR4R1T1R2T2+T2R1R2_R4T1+uouiR3_
习题3(a)答案 Rb1Rc1Rc2T2T1Rb2Re2RLIsRb1+VccT2T1Rb2Rc1rzRe2RLDz 习题3(b)答案
+VccR3R5R6T2T1Rs+_R2R1R4rDRR5T2R1T1R2R4Dus3R6RL 习题3(c)答案 +VCCRsVBBRb1+u_sRsTRc TRb1Rb2Rc+Rb2uo_ 习题3（d）答案
4. 电路如图3-30所示，已知晶体管?＝100，rbb′=300Ω，VCC＝10V，UBE＝0.7V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。 （1） 求电路的静态工作点；
（2） 当出现下列各种故障时用直流电压表测
晶体管的集电极电位，应分别为多少？ （a）C1短路； （b）C2短路； （c）Rb1短路
（3）画出微变等效电路，求Au、Ri及Ro。负载开路时其动态性能如何变化？ 解： (1)
图3-30 习题4电路图 s R +Rb1500kΩRb210kΩC1 3.5kΩ+VCCRc2.5kΩC2 TRL2.5kΩ+ uo_ui_
IBQ?VCC-0.79.3??0.018mARb1?Rb2510k
ICQ?βIBQ?1.8mAUCEQ?VCC?ICQRC?5.5V(2) C1短路时:
IBQ?IRb?IRS?VCC-0.70.7-??0.182mA
Rb1?Rb2RS晶体管截止，UCQ=VCC=10V C2短路时:
V'CC?RLVCC?5VRL?RC
R'C?RC//RL?1.25k?''UCQ?VCC?ICQRC?2.75VRb1短路时：
IBQ?VCC-0.79.3??0.93mARb210kV?0.5?CC?3.8mARC
ICQ?βIBQ?93mA?ICM晶体管饱和，UCQ= UCES=0.5V （3）
ii+ibrbeicRc+RLRoiiuo_
ibicRcio+ui_RbRiRb rbeuo_
习题4（3）的微变等效电路 'rbe?rbb?(1?β)26mV?1.7kΩICQ??73.5(Rb?Rb1?Rb2)
Au???（RC//RL）rbeRi?Rb//rbe?1.7kΩRo?RC?2.5k?负载开路时，Au增大一倍，Ri、Ro不变
5． 电路如图3-31(a)所示为PNP管组成的放大电路，输入端加正弦交流信号。已知β=100，rbb′=200Ω。 （1）估算静态工作点；
（2）画出微变等效电路；求Au、Aus、Ri及Ro。
（3）改变输入信号的幅度并调节Rb的值，用示波器观察输出波形，当出现题图3-31（b）所示的三种失真现象时，分别说明是什么性质的失真？如何消除？
Rs3.5kΩ++Rb51kΩ-Vcc(-12V)Rc2kΩC+ uo 0 uo 0 uo 0 t t t uoui__us_ 解：
设IBQ、ICQ电流参考方向为流入，IEQ为流出： (1)
（a） (b) 图3-31 习题5电路图 IBQ?-VCC?0.7?0.7??-0.02mARbRS
ICQ?βIBQ?-2mAUCEQ?-VCC?ICQRC?-8V(2)
'rbe?rbb?(1?β)iiib++Rb26mV?1.5kΩ-ICQRsAu???RCrbeus_+ui_rbeicRcRLuo_??133
Ri?Rb//rbe?1.5kΩRo?RC?2k?AUS?RiAU?-40Ri?RS习题5（a）微变等效电路 (3)
(a) 截止失真，减小Rb （b）饱和失真,增大Rb
（c）截止和饱和失真,减小输入信号幅度
6.放大电路如图3-32（a）所示，输入信号为正弦波。
（1）试分析图中标有符号的各电量（电流或电压）哪些属于直流量哪些纯粹是交流量？哪些是在直流量上叠加交流量？设电路中各电容对交流短路。
（2）在图3-32（b）晶体管的输出特性曲线上做直流负载线和交流负载线，分析动态范围。
+12VC_500iR+ iRb2.5k510kiC/mA 4 40μA 30μA 20μA 10μA 2 4 6 8 10 123 1 iRc+_uCC1_RsiC+uC2C2_++uC1uCE3kuo_ 2 1 us+_ （a） （b） uCE/V 图3-32 习题6电路图
解：（1）uc1、uc2、uc、iR是直流量， uCE、iC、iRC、iRb直流叠加交流， uo是交流量 （2）
最大不失真输出电压：
4 3 1 2 1 2 4 6 8 Q ic/mA 40μA 30μA 20μA 10μA 10 12uce/V 习题6（2）交、直流负载线 Uom?ICQ(3K?//2.5K?)?2.7V
7. 在图3-33所示电路中，VCC=24V，RL=RC=2kΩ,β=50，Rb1=10kΩ，Rb2=30kΩ，Re1=2kΩ,Re2=150Ω,Rs=1kΩ，rbb′=200Ω。
（1）求静态工作点的值。如果断开Rb1，电路能否正常放大？
（2）画出微变等效电路；计算Au、Ri及Ro。 （3）设输入正弦信号us的有效值10mV，计算
Rs+ui_Rb1Re2Re1+_Rb2C1TRLCe_RcC2++Vccuous 图3-33 习题7电路图 输出电压uo的有效值。
解：（1）
UBQ?Rb1VCC?8VRb1?Rb2UBQ?0.7Re1?Re2?3.4mA
ICQ?IEQ?UCEQ?VCC?ICQ(RC?Re1?Re2)?14.1V断开Rb1，基极电流太大，晶体管进入饱和区，不能正常放大。 （2）
'rbe?rbb?(1?β)26mV?965ΩICQAu??β(RC//RL)??5.8rbe?(1?β)Re2
习题7（2）微变等效电路
Ri?Rb1//Rb2//[rbe?(1?β)Re2]?4kΩ Ro?RC?2kΩAUSRi?AU?-4.6Ri?RS（3）
Uo?AusUi?46mV
8 .在图3-34所示电路中，VCC=12V，Re=RL =2kΩ，UBE=0.7V，β=100。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb的阻值；
（2）画出微变等效电路，计算Au、Ri及Ro。 （3）求该电路的跟随范围（即最大不失真输出电压的峰-峰值）
解：
+C1TCeRe+RLRb+Vccui_uo_ 图3-34 习题8电路图 UCEQ?VCC?ICQReICQ?3mAIBQ?IBQ??ICQ?30?A
VCC-0.7Rb?(1??)Re
习题8 微变等效电路
Rb?177k?（2）
'rbe?rbb?(1?β)26mV?1.2kΩICQ
Au?(1?β) ( Re//RL)?1rbe?(1?β ) (Re//RL)Rb?rbe?939Ω1??Ri?Rb/[/rbe?(1?β)(Re//RL)]?101k?Ro?Re//
（3）UOPP?2Uom?2ICQ(Re//RL)?6V
9. 如图3-35所示射级跟随器电路。设图中所有电容对交流短路，β=100，rbe=2kΩ。当电路满足Rb3>>rbe的条件时，写出电容C断开和接-VCC(-20V)Rb1上两种情况下放大电路输入阻抗Ri的数学表达式，
20k对两种结果进行比较分析，说明电容C的作用。 C1 T +Rb3CC2 100kui+ Rb2Reu__o10k1k
图3-35 习题9电路图 解：C断开时：
Ri?[Rb3?Rb1//Rb2]//[rbe?(1?β)Re]?50kΩ
C接入：
Ri?rbe//Rb3?(1?β)(Re//Rb1//Rb2)?100k?
此电路为自举式射级输出器。电容C的接入增大了输入电阻。
一般当满足Rb3>>rbe，Rb1//Rb2>>Re时，Ri?(1?β)Re?100k?，使输入电阻基本不
（12）电压输入输出型运放是用量最大的运放，因而产量大、价格低。对吗？（ 对 ） （13）基本镜像恒流源的原理是两个三极管工作在同 一条输出特性曲线 上。 （14）在运放中恒流源的作用有 提供静态工作电流或提供有源负载 。 （15）由于 频率特性好且易于集成 ，光电耦合具有很广阔的前景。
2 . 如图4-63所示多级放大电路中，试判断各单级放大电路的类型及各级间的耦合方式。
Rb2RRb1Rc1c2 C1+T1C2T2+VccC3+R1R2T2++VccRb1Rc1Rc2T2T1Rb2IsRe2RLC2+Vcc T1Ri_ 3 u __uoui+ VBBuo_Re1C1 解：
+R1 +Vcc （a） （b） （c） +VccR4T1R3R5R2 R6R8+T2R1C1R3R5R6T2C3R7T3R8C4T1C2uoR7R9_Rs+ui_R2R4usR9RL_n1=2000Dn2=1000 (d) （e） 图4-63 习题2电路图 （a） 两级共射，阻容耦合 （b） 两级共射，直接耦合 （c） 共射-共集，直接耦合 （d） 共源-共射，阻容耦合
（e） 共射-共源-共射，阻容-变压器耦合
3 . 画出题2中各图微变等效电路，并写出Au、Ri及Ro的表达式。 （略）
4．图4-64为两级阻容耦合交流放大电路。设β1、β2、rbe1、rbe2及各电阻均为已知。 （1）分析两管工作的组态；
（2）求电路的电压增益Au、Ri及Ro。
解：
+-VccRb1C1Rb2Re1Re2T2C2uoRc2Rb3T1C2Rb4ui_Cb-Vcc 图4-64 习题4电路图 （1）共集-共基放大电路
AU?AU1?AU2AU1?Au2?(1?β1)(Re1//Ri2)rbe1?(1?β1)(Re1//Ri2)?RC2rbe2rbe21?β2
Ri2?Re2//Ri?Rb1//Rb2//[rbe1?(1?β1)(Re1//Ri2)]Ro?RC2
5．在图4-65所示的两级阻容耦合放大电路中，已知β1=β2=50，rbe1=1.6 kΩ，rbe2=1 kΩ，其它参数如图中所示。
（1）电路的输入阻抗Ri和输出阻抗Ro； （2）电路的电压放大倍数Au、Aus。 解：
Rs5k+15VRb1250kC1+T1Re110kRb250kRc25.1kT2C3C2Rb310kRLRe21k5.1k+uo_us+_ui_Ce2 图4-65 习题5电路图 Ri?Rb1//[rbe1?(1?β1)(Re1//Ri2)]?42kRi2?Rb2//Rb3//rbe2?1kRo?RC2?5.1kAU?AU1?AU2AU1?Au2?(1?β1)(Re1//Ri2)?1rbe1?(1?β1)(Re1//Ri2)??2(Rc2//RL)??125rbe2RiAu??112Ri?RsAU??125Aus?
6 .电路如图4-66所示为场效应管和晶体管组成的两级放大电路。已知T1的gm，T2的β及rbe。
（1）画出微变等效电路；
（2）求电压放大倍数和输入、输出阻抗。
uiRgReCeC1 RcT1T2C2RL+VCCuo 图4-66 习题6电路图
解：
（1） 微变等效电路如图所示。 （2）
AU?AU1?AU2AU1Au2ugmuGSrbegmrbe?o1??uiuGS?gmuGSrbe1?gmrbeu?(RC//RL)?o??uo1rbe++gsu_GSuiRg_++gmugsuO1_drbeicRcRLuo_Ri2?RgRo?RC
习题6 （1） 微变等效电路 7. 在图4-67两级放大电路中，已知晶体管β=50，，rbb′=300Ω，UBE=0.7V；二极管UD=0.7V，
rD=100Ω； 场效应管UGS(th)=4V，IDO=10mA。
（1）求各级静态工作点；
R120kΩRs+2.8kΩR24kΩT1R33kΩT2++12V （2）为了保证T2管正常工作，求R2的最大值；
（3）写出中频电压放大倍数Aus、输入阻抗Ri
us和输出阻抗Ro的表达式。
解：
uoD__ 图4-67 习题7电路图 （1）IBQ?IR1-IRS?VCC-UBE-UDUBE?UD-?0.03mAR1RS
ICQ??IQ?1.5mAUCEQ?VCC?ICQR2?UD?5.3VUGSQ?UCEQ?UD?6VIDQ?IDO(UGSQUGS(th)?1)2?2.5mAUDSQ?VCC?IDQR3?4.5V（2）UGSQ?VCC?ICQR2?UGS(th)R2?5.3K（3）AU?AU1?AU2Au1???R2??32rbe?（1??）rD26mV?1.2kICQ'rbe?rbb?(1??)Au2??gmR3??7.5gm?2UGS(th)IDOIDQ?2.5mSAu?240Ri?R1//[rbe?(1??)rD]?4.8K?Ro?R3?5K?
8. 若在差动放大器的一个输入端加上信号ui1=20mV，而在另一输入端加入信号ui2。当ui2分别为20mV、－20 mV、10 mV、0V时，分别求出上述四种情况的差模信号uid、共模信号uic及差模输入ui的数值。
解：
ui1?ui22u?ui2uic?i1
2ui?2uiduid?
9. 图4-68所示电路中，晶体管参数理想对称，β均为50，rbb′=300Ω。 （1）求静态时两管的ICQ、UCQ；
（2）求当ui1=5V，ui2=5.01V时的双端输出电压uo； （3）求当ui1=10mV，ui2=0V时的双端输出电压uo； （4）若Rc1=5kΩ，Rc2=5. 1kΩ，重复（1）、（2）计算过程。
解：
1kΩ+ui1_5kΩ(-12V)Rc15kΩ(+12V)+uoT1_T2Rc25kΩc1c21kΩ+ui2_ 图4-68 习题9电路图 (1)ICQ?IEQ?VEE-UBE?1.13mAUCQ?VCC?ICQRC?6.35V2Re(2)电路完全对称时uo?Ad(ui1?ui2)Ad???RCrbe?RQ'rbe?rbb?(1??)26mV?1.5KIEQAd??100uo?Ad(ui1?ui2)??1V(3)分析同（2）uo?Ad(ui1?ui2)??1V（4）电路不对称：ICQ1?ICQ2?IEQ?1.13mAUCQ1?VCC?ICQ1RC1?6.35VUCQ2?VCC?ICQ2RC2?6.23V对差模信号：?u0d??uc1-?uc2?Ad1uid?Ad2(?uid)?(Ad1?Ad2)uidAd1???RC1RQ?rbeAd2???RC2RQ?rbe?u0d???(RC1?RC2)RQ?rbeuid???(RC1?RC2)RQ?rbe1?（ui1?ui2)??1.01V2对共模信号：?u0c??uc1-?uc2?Ac1uic?Ac2uic?(Ac1?Ac2)uicAc1???RC1RQ?rbe?2(1??)ReAc2???RC2RQ?rbe?2(1??)Re?uoc???(RC1?RC2)?(RC1?RC2)1uic???（ui1?ui2)?0.05VRQ?rbe?2(1??)ReRQ?rbe?2(1??)Re2
?uo??u0d??uoc?(?1.01)?0.05??0.96V10. 在图4-68所示电路的基础上接入10kΩ的负载RL及100Ω的射级调零电位器RW，如图4-69所示。设电位器的滑动端处在其中点，试对该电路作全面的静态分析和动态分析。
解：
+ui_1kΩ(+12V)Rc5kΩ+uoT1RLRw_T2Rc5kΩ1kΩ5kΩ(-12V) 图4-69 习题10电路图
静态分析：I?VEE-UBEEQ1?1.13mA2RW?2ReICQ1?ICQ2?IEQ?1.13mAUCQ1?UCQ2?VCC?ICQRC?6.23V动态分析：?(R1AC//2RL)d??R?)1?-25Q?rbe?(1?2RWR?（2R(1??)1idQ?rbe?2RW）?10kR
O?2RC?10K
11. 如图4-70所示差分放大电路，已知β=50， rbb′=300Ω。 （1）求静态时RL=2.2kΩ及RL=∞两种情况下两管的集电级电流及集电极电位；
（2）写出输出电压uo的表达式，计算RL=2.2kΩ，ui=10mV时uo的值
（3）计算共模抑制比及共模输入阻抗；
（4）T2管的基极接地，为什么其集电极可以有信号输出？分析T2的放大过程。
解：
(1)IVEE-UBEEQ?2R?2.mAeICQ1?ICQ2?IEQ?2mAUCQ1?VCC?9V
RL??：UCQ2?VCC?ICQ2RC?4.6VRL?2.2K?：ULCQ2?RRVCC-ICQ(RC//RL)?2.3VL?RC
+9VRcuo2.2kuiTRL1T2Re2k-9V 图4-70 习题11电路图 (2)uo?Adui?ACuicAd?1?（RC//RL）2rbeAc??uo??(RC//RL)rbe?2(1??)Re1?（RC//RL）2rbe?ui??(RC//RL)u?irbe?2(1??)Re2'rbe?rbb?(1??)26mV?950?IEQ
uo?275mV(3)CMR?Ad1r?2(1??)Re?be?200Ac2rbe1Ric?（rbe?(1??)Re）?50k?2（4）射级耦合，T2共基放大
12. 某场效应管差动放大电路如图4-71所示。对电路做全面的静态和动态分析。 解：
uiT1Rd+uo Rd+VDD_T2Rs_VSS 静态分析：UGSQ?VSS?2IDQRSIDQ?IDO(UGSQUGS(th)?1)2
图4-71 习题12电路图 UDQ?VDD?IDQRdUSQ??(VSS?2IDQRS)动态分析：Ad??gmRdRid??RO?2Rd
13. 电路如图4-72所示，已知晶体管的β=200，rbb′=200Ω，RQ=2kΩ。忽略晶体管的饱和电压降，希望信号最大输出电压为12V，试求： （1）电阻RC的值；
（2）差模电压增益和差模输入阻抗；
（3）如果希望uo一端接地，并构成同相放大器，负载应接在何处？
解：
u_iIo2mA-12V+RQRc+12Vc1T1+uo_T2Rcc2RQ 图4-72 习题13电路图 （1）ICQ?UCEQ1IEQ?1mA2?UCQ?UEQ?VCC?ICQRC?(?UBE?IBQRQ)?VCC?ICQRC当UCEQ?6V?ICQRC?6V?RC?6K?满足u0mmax?12V??uc1max?6V（2）Ad???Rcrbe?RQ??17626mV?5.4kIEQ
'rbe?rbb?(1??)Rid?2(RQ?rbe)?14.8k
（3）接在c2和地之间。
14. 电路如图4-73所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，rbb′=100Ω，稳压管稳压值UZ=3.7V。试求：
（1）求T3管的集电极电流IC3；
（2）要使静态时uo=0，则Rc2＝？； （3）求差模电压放大倍数Ad、差模输入阻抗Rid及输出阻抗Ro。
u_iIc3T3RC310kΩDzRc410kΩ+T1T2Rc2R2kΩRe4500ΩT4+VCC(+12V)uo_+-VEE(-6V) 图4-73 习题14电路图 解：
(1)IC3?IE3?（2）uo?0?ICQ4RC4?VEE?0?ICQ4?0.6mAIBQ4?IRC2?ICQ4UZ-UBE?0.3mARC3??0.01mA1IC3?IBQ4?0.14mA2IRC2RC2?ICQ4Re4?UBE?1VRC2?(3)Ad?Au1?Au2Au1?1?（RC2//Ri2）??152rbe126mV?10k?1IC32?(1??)Re4?30K26mV?2.8kIEQ41V?7.14K?IRC2'rbe1?rbb?(1??)Ri2?rbe4
'rbe4?rbb?(1??)Au2??rbe4?RC4??20?(1??)Re4Rid?2rbe?20kRo?Rc4?10k
15. 电路如图4-74所示。指出连接正确的复合管的类型，标明其等效管脚。
T1T2T1T2T2T1T3T1T2T3 （a） （b） （c） （d） T2T1 T1T2T1T2T2T1 （e） （f） （g） （h） 图4-74 习题15电路图 解：（a）错误 （b）错误
（c）正确，PNP管， e、b、c（从上到下） (d) 正确， NPN管, c、b、e（从上到下） （e）错误 (f) 错误
（g）正确，N沟道增强型，D、G、S（从上到下） （h）错误
16． 威尔逊电流源是镜像电流源的一种改进电路，如图4-75所示。设V1=V2=10V，R1=8.6kΩ，R2=4.7kΩ，三个晶体管的特性均相同，β均为50，UBE=0.7V。求晶体管T2的集电极对地电位UC2=？
解：
V1V2C1R1R2T2I?IC1?V1?2UBE?1mAR1
T1T3UC2?V2?IR2?5.3V
图4-75 习题16电路图 17.某复合管差分放大电路如图4-76所示。设所用晶体管均为硅管，β1=β2=30，β3=β4=100。 （1）求静态时Ic5 、IRc的值；
（2）求差模电压放大倍数Ad、差模输入阻抗Rid和输出阻抗Ro 解：
II
(1)IR?12V-UBE?2mAR?Re6I RcRc+6V6.2k_IC5?IEQ3IEQ1Re6IR?1mARe5Rc6.2k+uo+T1T3RWT2T4100R3kui_ c5IRC?ICQ3?ICQ1?0.5mA
T5Re56kT6Re6 3k图4-76 习题17电路图 （2）Ad???1?3RCrbe1?(1??1)[rbe3R?(1??3)W]2??40'rbe1?rbb?(1??1)26mV?156KIEQ126mV?5.2KIEQ3RW]}?912k2
'rbe3?rbb?(1??3)Rid?2{rbe1?(1??1)[rbe3?(1??3)Ro?2Rc?12.4k
18. 如图4-77所示为F007集成运放中的电流源电路，各管的β均为5，UBE=0.7V。试计算IC13、IC10的值。
解：
T12IR5C102VCC?2UBEIR??0.73mAR5IC10?UTIlnRR4IC10
39kRT10R43k T11 -15V IC10?28?AIC13?图4-77 习题18电路图 ???2IR?0.52mAIIII1?IC5?0.5mA2IEQ3??5?A1??3
R_6V +15VT13C13
19.如图4-78所示为集成运放5G28的输入级简化电路。试说明电路组成特点及各元、器件的作用。
解：
T1、T2结型场效应管组成的差分放大电路，双入单出； T3、T4电流源电路做有源负载； T5恒流源电路提供偏置。
20. 如图4-79所示为集成运放的互补对称输出级电路。试说明电路组成特点及各元、器件的作用。
解：
T1、T2组成NPN型复合管和T3构成互补输出，调节R2
提供1.4V的偏置，消除交越失真。
21. 已知一集成运算放大器的性能参数为：Ad=10，KCMR=80dB。计算当差模输入电压ui=10μV、共模输入电压uic=1000μV时的输出电压uo。考虑输入失调电压UIO=1mV时运放是否工作在线性区？ （已知VCC=12V）
解：
5
R3-Vcc+VccR1R2T1T2+DT3RLT36001.4k+VCC T5+ui_T1T2uoT4600 -VEE 图4-78 习题19电路图 uiuo_ 图4-79 习题20电路图 CMR?80dB?104Ad?10CMRuo?Adui?Acuic?1.01VAC??Ad(ui?UIO)?Acuic??UOM运放不工作在线性区。【修正：教材中该题已知条件应包括“VCC=12V”】 22. 电路如图4-80所示。
（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放等）；
（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻等）。
解：
输入级：T1T3、T2T4组成共集-共基差分放大电路，T5、T6为有源负载；
中间级：T7、T8两级共射放大 输出级：T9、T10共集互补输出；
第5章 习题答案
1.概念题：
T3I1T5T6RT4T7T8ui1T1T2ui2I2D1D2T9+VccuoT10-Vcc 图4-80 习题22电路图 （1）反馈有时将输出的全部都馈送到输入端，其典型的例子是 射极跟随器 放大器和 源极跟随器 放大器。
（2）电压反馈时，反馈网路输出一定是电压吗？（ 不一定 ）并联反馈时，反馈网路的输出一定是电流吗？（ 是 ）
（3）“负反馈有用，正反馈没用”这种说法对吗？（ 不对 ）按照输入端 的信号耦合方式 和输出端 的信号取样方式 负反馈共有 4 种组合形式。
（4）当希望稳定输出电压并且希望提高输入阻抗时，应引入 电压串联负 反馈；当负载需要恒定电流并且信号源也为电流型时，应引入 电流并联负 反馈；当希望稳定输出电压并且信号源为电流型时，应引入 电压并联负 反馈；当输入为电压信号并且输出为电流信号时，应引入 电流串联负 反馈。
（5）为了稳定电路的静态工作点，应引入 直流负 反馈；为了改善电路的动态特性，应引入 交流负 反馈。
（6） 方框图 法是分析负反馈放大器的最基本的方法，在求解A和F时保持F网路的 空载 效应是非常重要的。
（7）有人说：“不使用反馈技术，要设计具有精密增益、高稳定度的放大器简直难于上青天”，你觉得对吗？（ 对 ）
（8）设计电压电流转换电路可直接选用 电流串联负 反馈电路；设计电流电压转换电路可直接选用 电压并联负 反馈电路。
（9）如果开环放大器由3级以上的单管放大器组成，则组成的负反馈电路有可能出现 自激 的现象，这是因 晶体管结电容形成的移相 造成的。
（10）共基放大器比共射放大器 频率响应 好，这是因为 在共基接法下，集基电容不产生加倍的米勒效应 。
（11）分析放大器时，按 低频 段、 中频 段及 高频 段分开
讨论，不但计算简单，而且意义明确。
（12）当 信号频率 较高时，有些负反馈放大器是不稳定的，此时可采用 滞后补偿法 、 超前补偿法 等方法进行补偿。
（13）开环放大器A和反馈网路F可能有量纲，例如 欧姆 或 西门子 ，但 环路增益 是没有量纲的。
2.电路图如图5-58所示。
（1）判断各电路中是否引入了反馈，对于引入反馈者试判断电路引入了什么性质的反馈，这些性质包括直流反馈、交流反馈、交直流反馈、局部反馈、全局反馈、电压反馈、电流反馈、串联反馈、并联反馈、正反馈、负反馈，设图中所有电容对交流信号均可视为短路；
（2）就整体反馈而言，你认为哪些电路引入了深度负反馈，请写出其反馈系数表达式和闭环增益表达式。
+VccR1C1+ui_R2R4R5RLC3R3TC2+uiuo_R1+_AR3C2uoR2C1RL （a） （b） +Vcc+VccR1C1T1Rs+C3R3R4R6R8C4_R2C2R5R7T2C5+R2C1+T1R1R3_C2R5C3T2RLR4R6C4R8_R7C5+uouiuous_ （c） （d） VDDR1R2 +VccR3R4T1D1A1+D2R5RLT2R1T1T2A++RLuo_R3R4R5R6ui_ui_R2+uo_-VSS （f） -VEE （e） +VccR1TR3C2R4C3+C1Rs+__+R4uiA1R2R1R3A2uouiusR2uo_ (g) （h） 图5-58 习题2电路图
解：（1）图(a)R4和R5共同引入了直流电流串联负反馈， R5引入交直流电流串联负反馈。
图(b) 由于C1对交流短路，C2对直流开路，故电路不存在任何反馈。
Au?Au1?Au2Au1??Au2??gm1{R5//[rbe2?(1??2)R7]}??31?gm1(R4//R6)?2[R9//RL//(R6?R4)]??0.5rbe2?(1??2)R7Au?1.5ufR4Fu???0.5uoR4?R6AuAuf??11?AuFuRif?(R3?R1//R2)?550k?
Rof?
1[R9//(R4?R6)]?760?
1?AuFu10． 电路如图5-65所示，该电路由四级三极管直接耦合而成。 （1）判断R7是否引入负反馈，并判断反馈类型；
（2）电路有无可能发生自激振荡； （3）假设闭环增益|AF|在低频段为80dB，
+??+VccD1R2R1R4T2T1R7R3R5R6D2R9RLT3R8T4+T4管的结电容影响可忽略。T1、T2及T3的结电容在频率f=104处会引入一个低通环节，请画出20lg|AF|的波特图。并分析自激可能产生在什么频率处；
（4）若要消除自激，可采用哪些方案。 解：（1）R7引入了电压并联负反馈。
??ui_uo_ 图5-65 习题10 电路图 （2）电路由四级三极管耦合而成，可能产生超过180°的相移，故有可能发生自激振荡。 （3）波特图如图所示：fc≈2.53105KHZ，f0≈2.53104KHZ，fc > f0，系统不稳定。 自激可能产生在f0≈2.53104KHZ频率处。
??
习题10 波特图
??（4）a、可以降低低频段的闭环增益|AF|，让fc提前产生，如|AF|=50dB,就可以让fc<105Hz,从而避免自激振荡。这可以通过改变放大器开环增益或反馈系数达到目的，且不改变放大器的带宽和相频特性。
b、采用频率补偿，在反馈环路中增加阻容元件，改变|AF|的频率特性，常用的补偿方法有滞后补偿和超前补偿，具体可参考课本。
11． 电路如图5-66所示。按照晶体管、场效应管的高频等效模型在全频段内分析该放大器的增益Au，输入阻抗Zi，输出阻抗Zo。已知VCC=12V，β1=50，rbb′=300?，fT1=100MHz，Cμ=20pF，gm2=4mS， RS=1k ?，Cgs=Cgd=2pF，Cds=0.1pF。
图5-66 习题11电路图 Rs+Us_?100kΩ??+VccR11kΩR2C250kΩ2kΩR3R5C310μFC1T110μF10μF20kΩ+T2RL1kΩUo_R4 【修正：教材中该题应把gm2改为4mS，还应加已知条件“RS=1k ?，Cgs=Cgd=2pF，Cds=0.1pF”】
解：中频段放大器的增益：
rbe?rbb/?(1??1)IEQ126mVUT?rbb/?(1??1)IEQ1(1??1)UT?500?VCC?UBEQ1R1
gm1??0.23SAum??
rb'erbe?gm1(R2//R3//R4)?(?gm2?R5)?800
低频段： C1环节：fL1?1?10HZ
2?[(R1//rbe)?RS]C11?1HZ
2?(R2?R3//R4)C21?5HZ
2?(R5?RL)C3C2环节：fL2?C3环节：fL3?高频段：
R?rb'e//(rbb'?Rs//R1)?185?'C??C??(1??rb'e'RL)C??gm?'?(1?RL)C??4.6?F 2?fTrb'e'RL?R2//R3//R4?1k?fH1?1?1.87MHZ '2?RC?Rg?R2//R3//R4?1k?'Cgs?Cgs?[1?gm2(R5//RL)]Cgd?8.8pF
fH2?1?16MHZ'2?RgCgsAU?Aum1fffff(1?jL1)(1?jL2)(1?jL3)(1?j)(1?j)ffffH1fH2
Ri?11'?R1//[rbb?(rb'e//)]'2?fC12?fC?12?f(Cds?(1?1)Cgdgm2(R5//RL)
RO?R5//12． 如图5-67所示电路，假设场效应管gm已知。 （1）写出全频段内增益A的表达式； （2）画出A的幅频、相频特性图；
（3）描述C2变化时，A的波特图的变化趋势。 解:（1）场效应管的简化高频等效模型如图（a）所示，电路对应全频段的交流通路如图 (b)。
?Rs+Us_?+VDDR2C1TR1R3C2C3+? RLUo_ 图5-67 习题12 电路图 ggd'CgsUgs_.+g Umgss.R'LUds_.+RsC1R1Ugs_.+d'CgssR3g UmgsR2C2.C3RL+U_s.+Uo_. Ri (a) (b) 习题12 答案图 中频段：C1、C2、C3可视为短路，C'gs可忽略，放大器等效电路如右，增益为：Ausm?gRs+d+R1???gmR2 Rs?R1U_sRi.+R1Ugs_.g Umgss.R2Uo1_.低频段：C'gs可忽略, C1、C2及C3必须考虑。 考虑C1的影响时，应将C2、C3短路。 由C1所在回路确定的下限频率为： fL1?1
2?C1(RS?R1) 中频段等效电路 考虑C3的影响时，应将C1、C2短路。 由C3所在回路确定的下限频率为： fL3?1 2?C3(R2?RL)
低频段等效电路
考虑C2的影响时，应将C1、C3短路。 由C2所在回路确定的下限频率为：
fL2?1
2?C2(R3//(1/gm))总的下限频率为： fL?1.1fL21?fL22?fL23
高频段：C'gs必须考虑, C1、C2可视为短路。等效电路如图所示
fH??1 '2?Cgs(R1//Rs)?g+d+RsAus?Ausm1fLf (1?)(1?j)jffHU_si.+R1Ugs_.'Cgsg Umgs.R2Uo1_.sR 高频段等效电路
（2）波特图：
20lg|Aus|
+20dB/十倍频 20lg|Ausm| ?－20dB/十倍频 0.1fL fL 10fL －90° －135° －180° －225° －270° 0.1fH fH 10fH f f 放大器的全频段波特图