半导体二极管
一、、选择
1、下图中，（ ）二极管处于正向偏置（全部为硅管）。 -0.7V 0V -10V 3V 2．3V C B A 2、杂质半导体比纯净半导体导电能力（ ）。 A．强 B．弱 C．一样 3.PN结正向偏置时（ ）。
A．P区接电源正极，N区接电源负极 B．N区接电源正极，P区接电源负极 C．电源极性可以任意调换 D．不接电源 4.当外界温度升高时，半导体的导电能力（ ）。
A．不变 B．增加 C．显著增加 D．先减小后增加 5. PN结的最大特点是具有（ ）。
A．导电性 Ｂ．绝缘性 Ｃ．单向导电性 6. 变容二极管在电路中使用时，其PN结是（ ）。 A．正向运用 B．反向运用 C. 正反向均可 7 、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A、变窄 B、基本不变 C、变宽
8. 测量二极管（小功率）的管脚极性时，万用表的电阻档应选（ ）。 A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k 9. 在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（ ）。 A．正偏 B．反偏 C．零偏
10. 测量二极管反向电阻时，若用两手将两管脚捏紧，其电阻值会（ ）。 A．变大 B．先变大后变小 C．变小 D．不变 11. 2AP9表示（ ）。
A．N型材料整流管 B．N型材料稳压管 C．N型材料普通管 D．N型材料开关管 12. 二极管正反向电阻相差（ ）。
A．越小越好 B．越大越好 C．无差别最好 D．无要求 13. 加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为( )。 A.随所加电压增加而变大 B. 0.7V左右
C.随所加电压增加而减小 D．随所加电压增加变化不大
-11V 2V D 2V
14. 用万用表R×100Ω挡来测试二极管，其中( )说明管子是好的。 A．正、反向电阻都为零 B．正、反向电阻都为无穷大
C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧 D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧 15. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（ ）。
A．基本正常 B．击穿 C．烧坏 D．电流为零 16. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )。
A．立即导通 B．到0.3V才开始导通 C．超过死区电压时才开始导通 D．不导通 17. 用于整流的二极管型号是( )。
A．2AP9 B．2CW14C C．2CZ52B D．2CK84A 18. 某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ ）。
A．约等于150V B．略大于150V C．等于75V D.等于300V 19. 交通信号灯采用的是（ ）管。
A．发光二极管 B．光电二极管 C．变容二极管 20. 判断二极管的极性用万用表的（ ）挡。
A．直流电压 B．直流电流 C．交流电流 D.欧姆
21、用万用表RX1K档测得某二极管的直流电阻约为500Ω，与（ ）。
A、红表棒相连的是正极 B、黑表棒相连的是正极 C、不能判定，还应反向再测一次 22、当环境温度升高时，二极管反向电流将（ ）。 A、减小 B、不变 C、增大
23、电路如图所示，设二极管的正向压降VD=0.6V，则流过二极管的电流ID为（ ）。
（A）0.775mA （B）1.31mA （C）0.55mA （D）1mA 24、电路如图所示，设二极管具有理想特性，已知vi=1.0Sinωt (V)，V=2V，则输出vO的波形如图（ ）所示。
二.判断题
1.( ) 本征半导体比杂质半导体导电能力强。
2.( ) PN结是一种特殊的物质，一般情况下不能导电。 3.( ) 半导体具有掺杂特性。
4.( ) PN结是利用半导体的热敏特性而形成的。 5.( ) PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。 6.( ) 半导体随温度的升高，电阻会增大。 7.( ) 光电二极管可以将光信号转化成为电信号。 8. ( )二极管的正向电流越大二极管质量越高。 9. ( ) 硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大。 10.( )发光二极管可以接收可见光线。
11.( )光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。 12.( ) 有两个电极的元件都叫二极管。 13.( ) 二极管加正向电压时一定导通。
14.( ) 二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
15.( ) 不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3Ｖ左右。
16.( ) 二极管是线性元件。
17. ( ) 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。 18.( ) 二极管具有单向导电性。
19. ( ) 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。 20. ( ) 二极管加反向电压时一定截止。
21（ ）在N型半导体中如果掺入足量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 22（ ）因N型半导体的的多子是自由电子，所以它带负电。
23、（ ）N型半导体主要靠电子导电，P型半导体主要靠空穴导电。 24、（ ）P型半导体中空穴是多数载流子，所以带正电。 25、（ ）在半导体内部，只有电子能传导电流。 三、填空
1．N型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是 。P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是 。
2、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质，最常用的半导体材料有 和 3、半导体二极管由一个 结构成，从 区引出的线叫正极，又叫 极，从 区引出的线叫负极，又叫 极。
4、当加在二极管两端的 大于 时，二极管的反向电流急剧增大，这种现象称为 。
5、用万用表测得某二极管正反向电阻相差很大，表明二极管 ，所测电阻较小时，与黑表笔相接的是二极管的 极，若测二极管正反向电阻值都很小或为零，表明该二极
管 ，若正反向电阻值都很大，则表明该二极管 。
6、用万用表测量小功率二极管的正反向电阻时，一般用 和 这两档。 7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 8、PN结的最主要特性是 ，即加一定的正向电压时________，加一定的反向电压时_________。
9、半导体的导电能力随外界温度、 或 不同而显著变化。
10、当加在二极管两端的 大于 时，二极管的反向电流急剧增大，这种现象称为 。
11、PN结的正向接法为：P区接电源的 极，N区接电源的 极。 12、半导体二极管由一个 构成，从 区的引出线叫正极 ，又叫阳极；从 区的引出线叫负极，又叫阴极。
13、二极管导通后，硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V。 ,四、综合题
1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通时管压降为0.7V.
2、已知ui=10sinwt(V),试画出ui与uo的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
3、电路如下图所示，已知ui=5sinwt(V),二极管导通电压UD=0.7V.试画出ui与uo的波形，并标出幅值。
4、电路如下图（a）所示，其输入电压ui1和ui2的波形如图(b)所示，二极管导通电压UD=0.7V。试画出uo的波形，并标出幅值并求下列两种情况下输出端UO的电位及各元件（R， D1， D2）
中通过的电流；（1）Ui1=Ui2=0V；（2）Ui1=+3V，Ui2=0V；
半导体三极管及其放大电路
一、填空 1、在共射极基本放大电路中，集电极电阻的作用是将集电极 的变化转换为 的变化，实现 放大而输出。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度 ；基区宽度 ；集电结结面积 。
3．三极管工作在饱和区时，发射结要 偏置，集电结 偏置，工作在截止区时，发射结要 偏置，集电结 偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是 ，流过集电结的电流主要是 。
5、共发射级放大器对信号有_______和_______作用。
6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为 。
7．某三极管工作在放大区时，当IB从20μA增大到40μA，IC从1mA变成2mA。则该管的β约为 。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于 控制器件。 9阻容耦合多级放大电路总的电压放大倍数为 电压放大倍数的 。
10功率放大器为了获得最大的传输功率，通常采用 耦合，以达到 的目的。 11．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入 反馈。
12．PNP三极管基区中的多数载流子是 。少数载流子是 。 13．分压式射极偏置电路利用上偏置电阻RB1和下偏置电阻RB2的分压来 基极电位，设计电路时，使I2 IBQ，UBQ UBEQ。 14、三极管有 、 、 三种工作状态。
15、交流放大电路之所以能把小信号放大，是依靠三极管 电流对 电流的控制作用。 16、稳定静态工作点常采用 电路，主要措施是在电路中引入了 反馈。 17、阻容耦合方式的特点是：前后级之间通过 连接，各级间的静态工作点 18、对功率放大电路的要求是：要有足够的 输出， 失真小， 高。 19、晶体三极管工作在 区时,关系式IC=βIB才成立,工作在截止区时,IC=______。工作在_________区时VCE≈0。
20、射极输出器是共_________接法的放大器，它的反馈类型是__________________。 21、多级放大器常见的耦合方式有 耦合、变压器耦合、 耦合。三种耦合方式中只有_________耦合可以放大直流信号。
22、负反馈使放大器的放大倍数 ，但放大器的稳定性 非线性失真_______，