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(2) 创建版图视窗。File->New->Cell View.Type选择“layout”单元名为“INV”。按OK即进入版图编辑界面。
(3) 绘图前设置，options->display显示层次设置从0到32，比如20,其他默认即可。
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(4) PMOS的绘制
PMOS的绘制需要用到的layers为：pwell，active，nimplant，poly，metal1，via。
1． 先画poly，宽为50nm，选取lsw中的poly，然后用快捷键r，绘制一个长为300nm，宽为50nm的poly，因为此实
验主要是为了后仿，所以长度可以长些，但是宽度必须为50nm，这是工艺尺寸，此刻要用到尺子，快捷键为k。 2． 画nwell和active，如图所示，在poly外围画nwell，然后在内部画一个宽度为180nm的active，并在同样的位置同
样的大小将nimplant画进去。进行drc检查，无错，有错的话，根据错误内容及时更正。
运行DRC，calibre->run DRC,运行结果发现有错，错误提示poly超出active的最小距离为0.05，说明poly画短了，拉长后（长于0.05），发现错误被排除了。
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3． 同样的方法画NMOS,画完以后运行DRC。
DRC检查显示nwell到pwell的最小距离应该为225nm
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我们把nwell的距离和pwell的距离设置为0.23，再运行DRC，发现错误被排除
4． 添加via，即p有源区和金属连接点，在菜单栏中选择，create->via，在选择界面中，选择M1_P，然后放置到pactive
的两边。选择M1_N放到nactive的两边。 5． 连接poly，PMOS和NOMS
6． 添加NTAP和PTAP。create->via，选择NTAP和PTAP，并和有源区连接起来。
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7． 添加PIN.先选择一个M1_PLOY，作为输入IN和栅极的连接，连接好后，选择create->pin，或者快捷键ctrl+p,出
现PIN的编辑界面，终端名字写IN，然后选择display pin name，再选择display pin name option，弹出另外一个对话框，在height中，我们填写0.05，再text option中，选择metal1（注意添加之前，要在lsw中选择metal1），同样的方法添加OUT。
8． 添加label后，drc通过后的电路图
6．使用calibre对版图抽取，并输出网表，然后hspice后仿
(1) lvs，在版图界面中，calibre->Run LVS,出现lvs设置界面，我们将进行一下设置：
rules：calibre的lvs规则文件，文件所在位置为$PDK_DIR/ncsu_basekit/techfile/calibre/calibreLVS.rul input：其他默认，主要在netlist 的format选项中，选择export form schematic viewer
(2) 运行后lvs出错，报告文件为如下，说明有电路断开了，仔细看版图，发现ptap的well和和nmos的well未连接，我们把他连接以后，再运行lvs，可以看到lvs通过了。
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(3) 寄生参数抽取。calibre->Run PEX
打开pex界面以后，我们要进行如下设置：
1．Rules：$PDK_DIR/ncsu_basekit/techfile/calibre/calibrexRC.rul
2．Inputs:其他默认，只要在netlist选择中，format类型为spice，最重要的是要选中 “export from schematic viewer“
3．Outputs：抽取类型为晶体管级，即transisitor 在netlist中，format选择HSPICE
在reports中，勾选 “generate PEX report”和 “view report after PEX finishes” 4.点击run PEX 抽取的网表如下：
同时产生的还有INV.pex.netlist.pex和INV.pex.netlist.INV.pxi两个文件。里面包含了电路抽取出来的所有电容和电阻，我们可以看到，即使这非常简单的电路，也会导致众多的电阻和电容，这些参数可以使电路仿真达到最高的精确度。 之后我们可以将此3个文件，利用hspice进行后仿真