被测非电量的变化，导致线圈互感的变化，其原理为变压器原理 电涡流式 利用电涡流效应原理 1．石英晶体和压电陶瓷多晶体具有 、 效应，利用它们的 效应制成了电势型传感器。（正；逆压电；正压电）
2．石英晶体的右旋直角坐标系统中，Z轴称 ，该方向上 压电效应；X轴称 ， 晶面上的压电效应 ；Y轴称 ，沿Y轴方向上的 。（光轴（中性轴）；没有；电轴；垂直于X轴；最显著；机械轴；受力面上不产生电荷）
3．沿石英晶片X轴加力，在力作用的 上，产生 电荷，承纵向压电效应。石英晶体压电式传感器中主要用 效应。它的特点是晶面上产生的 与 呈正比，而与 和 无关。（两晶面；异性；纵向压电；电荷密度；作用在晶面上压强；晶片厚度；面积）
4．若沿石英晶体Y轴方向加压力，在 不出现电荷，电荷出现在 上，只是 相反，称横向压电效应。（受力的两个晶面上；沿X轴加压力的两个晶面；电荷符号；横向压电效应）
5．压电陶瓷是一种人工制造的 压电材料,它是由无数细微的单晶组成,他们都有自发形成的 。压电陶瓷又叫 。（多晶；单晶；极化方向；铁电体）
６．极化处理前的压电陶瓷材料对外不显 ，各向 ，不具有 。（极化方向；同性；压电特性）
７．极化处理后的压电陶瓷受到沿 的作用力时，其 随之改变，因而在 的平面上将出现电荷量的 。它的大小与压电陶瓷的 和 的大小成正比。（极化方向；剩余极化强度；垂直于极化方向；变化；压电系数；压力）
８．压电陶瓷的压电系数比石英晶体的 。所以采用压电陶瓷制作的压电是传感器，其 较高。但石英晶体的 性是其他压电材料无法比的。（大得多；灵敏度；稳定）
９．压电元件是一个电压很大的信号源，它可以等效一个 和一个 并联的等效电路。测量中要求与其它配接的放大器具有 和 。（电荷源；电容；高输入阻抗；低输出阻抗）
10．电荷放大器是一个 ，高放大倍数的 ，其输出电压与压电元件 和 有关。（电容负反馈；运算放大器；产生的电荷；反馈电容）
11．压电式传感器中，常把两片 的压电片叠在一起，其并联法是两压电片的 粘贴在一起， 在两边电极， 增加一倍，电容也增加一倍；其串联接法是两压电片的 粘在一起，因而上、下两极板的电荷量与 相同，总容量为 一半，输出电压 。（同型号；负极；正电极；电荷量；正极和负极；单片；单片时；增大一倍）
12．压电式传感器不能测量 被测量，更不能测量 。目前多用于 和动态的力或压力的测量。（频率太低的；静态量；加速度）
1． 的半导体表面上或 半导体上， 的现象，称为光生伏特效应。（镀有金属膜；相接触的两种不同类型；受光照射产生电动势） 2．光电池是基于 直接将 转换成 的一种有源器件。（光生伏特效应；光能；电能） 3．硅光电池的光谱 比硒大。它的光照度与短路电流的关系呈 ，光照度与开路电压的关系有 。使用硅光电池做测量变换元件时，最好使其工作在 。它在温度特性是指 与 随 的特性。（光波长；线性；饱和期；接近短路工作状态；短路电流； 开路电压；温度变化）
1．热电偶是用 组成 而成。当两个 处于 ，回路中便产生 。（两种不同半导体或金属；闭合电路；结点；不同温度时；热电动势）
2．热电势的大小仅与 的性质和 有关。热电势由 和温差电动势两部分组成。（导体材料；接触点温度；接触电动势）
3．热电偶有两个 极。测温时，置于被测温度场中的接点称 ，置于恒定温度场中的接点称 。（热电；热端（或工作端，测量端）；冷端（或参考端，自由端）
4．接触电势是互相利用的两种金属中，由于 不同，引起 产生的。 的金属，因 宏观上带正电； 的金属，因 宏观上带负电。（导体自由电子密度；自由电子扩散；电子浓度大；扩散失去电子；电子浓度小；得到电子）
5．温差电势是由于金属 引起 而形成的。 的一端为正极， 的一端为负极。温差电势一般比接触电势小得多。（两端温度不同；热扩散；温度高；温度低）
6．由A、B导体组成的热电偶，当引入第三导体C时，只要 ，则C导体的接入对回路 无影响，这就是中间导体定律。（中间导体的两端温度相同；总热电动势）
7．如果导体C分别与热电偶两个热电极A、B组成热电偶，且保持三个热电偶 分别相同时，则热电偶A、B的热电势 ，称为 。导体C通常用 制作。（两端温度；等于另外两个热电偶热电动势之差；标准电极定律；铂）
8．标准化热电偶国家已定型批量生产，同一型号的具有良好的 ，有统一的 ，并有与之 记录和显示仪表。（互换性；分度表；配套）
9．热电偶按本身结构形式划分有： 热电偶、 热电偶、 热电偶。（普通；铠装；薄膜）
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差动变压器式
10．普通热电偶的热电极是 金属丝，两热电极之间 ，为了防止有害介质侵蚀，工业上使用的热电偶一般都配有 。（一端焊接在一起两根；用绝缘管绝缘；保护套管）
11．铠装热电偶是将 、 、 组合在一起，经拉伸加工而成坚实的组合体，该元件做得 、 ，易于 适于狭小地点的温度测量。（热电极；绝缘材料；保护套管；很细；很长；弯曲；狭小地点）
12．薄膜热电偶是用真空蒸镀等工艺将 材料沉积在绝缘基片上形成 而成。它的测量端既 又 ，适于微小面积上的温度测量。（热电极；薄膜；小；薄；微小面积上）
13．热电偶的冷端处理方法有： 、 法、 法、 法。（00恒温；计算修正；电桥补偿；冷端延长）
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14．0C恒温法是将热电偶的 埋入 的保温瓶中。该法是一个 较高的方法，但是只适用于 。（冷端；00C冰水混合物；准确度；实验室）
15．计算修正法是热电偶的冷端温度保持在某一温度tn条件下，热端温度为t时，测得热电势是 ，用 先查出E（TN，0），则计算得E（t，00C）= 。再用 查 得被测热端温度t值。（E（t，tN）；分度表；E（tN，0）；E（t，tn）+E（tn，0）；E（t，0）；分度表）
16．电桥补偿法是当热电偶冷端温度变化时，对热电偶回路提供一个 ，其大小与 因 引起的变化相等，而 相反，达到自动补偿的目的，从而保证 不变。电桥补偿法是利用 电桥的输出电压，自动地补偿热电偶因 变化而引起 的变化。（附加电动势；回路热电动势；冷端tN变化；方向；热电回路输出；不平衡；冷端温度tN；热电动势）
17．冷端延长法是将 用 延长，将冷端引到 、 的地点去。当用于延长的电极的 与原来电极在低温区段的 时，就不会影响测量结果。当然，冷端延长法既不能使冷端温度 ，对热电偶回路内的热电势也 。（热电极（昂贵的热电极）；热电性能相近的导线（廉价的热电极）；低温；变化小；
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热电特性；热电特性相同或相近；恒0C；不能起温度补偿）
1．金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随 而 ，而半导体的电阻率随 而 （少数除外）。（温度升高；增加；温度升高；减小）
2．热敏电阻是利用半导体的 随温度变化 的特点制成的。（电阻值；幅度大） 3．半导体中导电的是 ，其数目比金属中自由电子数目 ，故其 大。温度升高后，载流子数目的增加随温度以 上升，半导体的电阻率也就随温度以 下降。（载流子；少得多；电阻率；指数规律；指数规律）
4．热敏电阻的 与 的关系称热电特性，它近似符合 规律。（阻值；温度；指数函数）
5．随着温度的升高，电阻率 减小的电阻，称 缓变型热敏电阻。由某些 的混合物制成。（随温度升高；负温度系数；固体多晶半导体氧化物）
6．电阻率随温度的升高而增加，但过某一温度后 的电阻，称 剧变型热敏电阻。该类电阻材料是 ，在室温下是半导体，所以又叫 。（急剧增加；正温度系数；陶瓷；半导体陶瓷）
7．当温度接近某一数值时，电阻率产生 的电阻，称 热敏电阻，它是钒，钡，磷和硫化银系 经烧结而成的 。（突变下降；临界；混合氧化物；烧结体）
8．利用热敏电阻测量，控温或温度补偿时， 要小，使其工作在伏安特性曲线的 区段，从而保证热敏电阻的阻值仅与 有关。热敏电阻是一种 敏感元件。（测量电流；线性；环境温度；热）
9．剧变型和临界型热敏电阻不能用于 范围内的 ，但用于某一 范围内的 控制却是十分优良的。（宽；温度控制；窄；温度）
1．当磁场中静止载流导体的 方向与 不一致时， 的平行于 和 方向上的两个面上产生 的现象称为霍尔效应。它是导体中的 再磁场中受到 作用发生 的结果。（电流；磁场；栽流导体；电流；磁场；电动势；载流子；洛仑兹力；横向漂移）
2．霍尔元件是 型半导体制成 形状的 敏元件。（N；扁平长；磁） 3．当霍尔元件处于 中，且 方向与霍尔元件 方向一致时，霍尔电势与 和 乘积成正比。其数学式为 。（均匀磁场；磁场；扁平面法线；激励电流；磁感应强度；UH=KHBI）
4．霍尔元件的灵敏度表示在 和 下，产生 的大小。它与半导体材料的 和霍尔片的 成反比。（单位激励电流；单位磁感应强度；霍尔电势；电荷密度；d）
5．霍尔元件外部有两对电极。一对用来施加 ，叫 电极；另一对用来引出霍尔电势，叫 电极。（激励电流；控制；霍尔电势；霍尔）
6．霍尔常数RH的大小与导体的载流子密度成反比。金属因自由电子 而不宜制作霍尔元件。霍尔电势与导体 成反比，因而霍尔元件制作成 状。（载流子密度；密度大于半导体；厚度；薄片）
7．不等位电势是指激励电流为 时，霍尔元件所处位置又是 条件下，霍尔电极间的 ，主要是由于两个霍尔电极安装时 而引起的。（额定电流；B=0；空载
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UH；不在同一电位面上）
8．不等位电势与霍尔电势具有 级。实用中需要对它进行 。若将霍尔元件视为一个四臂电阻桥，则不等位电势相当于电桥的 ，因而所有能够使电桥 均可用于补偿不等位电势。(相同数量；补偿；初始不平衡输出电压；平衡的方法)
9．霍尔元件是 材料制成的，因而其有关量和参数都随温度的变化而 ，使霍尔式传感器有 误差。减少该误差的措施有：用 供电，减少由于 随温度变化引起的误差；用激励电极 电阻，减少由 随温度变化引起的误差。(半导体；变化；温度；恒流源；输入电阻；并联分流；灵敏系数)
10．保持霍尔元件 为恒值，让磁场中某个方向上的磁感应强度 变化，则霍尔元件在该方向上移动时， 的变化放映霍尔元件的 。用这个原理可以进行 的测量。（激励电流；线性；霍尔电势；位移；位移）
11．霍尔式传感器基本上有 部分组成，一是弹性元件将感受的 ；另一是 和 。要求霍尔元件所使用的气隙磁场具有 梯度。（两；非电量转换成位移；霍尔元件；磁路系统；均匀）
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12.两个 P和N型半导体，中间用 ，一侧有 的近本征半导体i区连接组成磁敏二极管。（不接触；低杂质高电阻；高复合区）
13．磁敏三极管有三个结（ 、 、 ）。有发射区N+，集电区N+，和基区P+，中间用较长的 半导体i区连接而成。在i区靠近发射结的侧面建立 。（集电结；发射结；基极结；近本征；复合区r）
14．磁敏三极管中的 结和 结形成磁敏二极管。由于i区长，在横向电场作用下，发射极电流大部分形成 电流，小部分形成 电流。在正向或反向磁场作用下，引起集电极电流的增加或减少。用磁场的方向控制集电极电流的 或 ，用磁场的 控制集电极电流的变化量。（发射；基；基极；集电极；增加；减少；强弱）
15．磁敏三极管的灵敏度比二极管大 倍到 倍，其工作电压的范围也较宽。（几；十几）
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