? 25、简述1990年代CMOS工艺技术特征：特征尺寸、晶圆尺寸、衬底、隔离、源漏、栅极材料、光刻光源、曝光方式（光刻机）、刻蚀、互连材料及方式等。
? 答：1990年CMOS工艺技术特征： 特征尺寸：从0.8毫米到0.18毫米 晶圆尺寸从150毫米到300毫米 ?外延硅作衬底 ?浅沟槽隔离
?LDD和硅化物的侧壁间隔 ?多晶硅化物盖茨和本地互连 减少阻力，提高设备的速度
- 硅化钨和钛硅化物作为栅极材料。 ?光刻
- G线，I线（365纳米），和248纳米深紫外线 - 正光阻
- 步进电机取代投影打印机 - 履带式步进集成系统 ?血浆蚀刻图案的蚀刻 ?湿毯子剥膜蚀刻 ?多层金属互连
?钨 CVD和CMP（或蚀刻背面），形成插头 Ti和TiN阻挡层/黏附层为钨
?钛铝铜焊接层，以减少接触电阻