当开关S1断开时，VCC MAIN、L19、D1、负载构成回路。此时，L19在开启储磁能转化为电流。与VCC MAIN一起向负载供电。同时，对C331、C348充电，如图48所示。
开启和关闭过程不断重复，起到升压的作用，升压过程就是一个电感的能量传递过程，充电时，电感吸收能量，放电时电感放出能量。电容在电感充电时给负载端放电保持一个持续的电流。 2．背光供电电路
显示屏的背光由芯片U23完成，U23可以驱动两组共8个LED实现背光，通过I2C总线调整内部寄存器来控制电流大小从而控制屏幕亮度。 背光供电电路原理图如图49所示。
3．显示电路
显示屏信号由CPU通过MIPI信号接口输出，经过接口J5送至显示屏，显示屏的背光供电送到接口J5的17、19、21脚，显示屏供电送至接口J5的1、3、5脚。
在显示屏电路中使用了MIPI接口，MIPI即移动产业处理器接口（Mobile Industry Processor Interface，MIPI）联盟。是MIPI联盟发起的为移动应用处理器制定的开放标准。 4．后置摄像头电路
苹果在发布会上提到iPhone 5S后置iSight相机是全球最受欢迎的相机，所以iPhone 5S中升级相机传感器并不是很让人意外。苹果并没有选择增加更多的像素，而是增大了感光元件，这将使照片更出色。所有这一切，令iPhone 5S上的iSight摄像头感光度提升了33%。 A7处理器将帮助iSight相机实现更好的效果，iPhone 5S的照片高光和阴影处细节更好，噪点更少。
iPhone 5S的相机传感器还拥有自动图像防抖动功能。其工作方法是以很短的曝光时间拍摄4张照片。然后，这些照片的最佳部分被组合成一张图像，最大限度减少噪点以及物体运动和手部抖动带来的影响。 iPhone 5S的图像传感器可以拍摄每秒120帧的720p视频，拍摄完成后，选出要放慢速度的部分，然后该片段即会以1/4的速度播放。
iPhone 5S后置摄像头电路如图51所示。
在iPhone 5S主摄像头电路中，数据信号通过MIPI数据接口进行通信。供给摄像头电路的有4路电压，分别是PP2V5＿RCAM＿AF＿CONN、PP1V2＿RCAM＿CONN、PP1V8＿RCAM ＿CONN、PP2V85＿RCAM＿CONN。CPU通过I2C总线控制主摄像头的工作。 5．前置摄像头电路
前置摄像头数据信号和前置摄像头一样，也是通过MIPI数据接口进行通信的，相对后置摄像头来说还是比较简单的。
6．闪光灯电路
iPhone 5S中的相机配备了双LED智能True Tone闪光灯，拍照时相机会自动判断所需的白光与黄光的恰当百分比和强度。最终呈现出色彩更生动逼真的美妙图像。色调既不太冷，也不会太暖，高光效果更出色，肤色表现更自然。
供电电压送至闪光灯驱动U17的A2、B2脚，电感L5和U17共同组成振荡电路，闪光灯驱动信号从A3、B3、C3、A4、B4、C4、D4脚输出。 闪光灯电路原理图如图53所示。
3.6 触摸屏电路
在iPhone 5S手机触摸屏电路中，使用了U12、U15两个芯片完成了触摸信号的转换和处理。 1．电容式触摸屏
目前大部分手机的触摸屏都是电容式触摸屏，下面简单介绍电容式触摸屏的工作原理。电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜导体层，再在导体层外加上一块保护玻璃，双玻璃设计能彻底保护导体层及感应器。
电容式触控屏可以简单地看成是由四层复合屏构成的屏体：最外层是玻璃保护层，接着是导电层，第三层是不导电的玻璃屏，最内的第四层也是导电层。最内导电层是屏蔽层，起到屏蔽内部电气信号的作用，中间的导电层是整个触控屏的关键部分，4个角或4条边上有直接的引线，负责触控点位置的检测。 电容式触摸屏的4边均镀上狭长的电极，在导电体内形成一个低电压交流电场。在触摸屏幕时，由于人体电场，手指与导体层间会形成一个耦合电容，4边电极发出的电流会流向触点，而电流强弱与手指到电极的距离成正比，位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱，准确算出触摸点的位置。电容触摸屏的双玻璃不但能保护导体及感应器，更能有效地防止外在环境因素对触摸屏造成的影响，就算屏幕沾有污秽、尘埃或油渍，电容式触摸屏依然能准确算出触摸位置。 2．触摸电路供电
在iPhone 5S手机中，单独增加了一个显示电源U3为显示和触摸电路供电，U3的工作原理在前面己经讲过了，不再赘述。
显示电源U3输出PP5V1＿GRAPE＿VDDH、PN5V7＿ SAGE＿AVDDN、PP5V7＿SAGE AVDDH电压至U12和U15。电源管理芯片U7输出PP1V8＿GRAPE、PP1V8电压至U12和U15。
3．触摸电路工作原理
U12（主感应控制器）内部主要由ADC（模数转换）、校准系统和ARM组成。ADC主要负责将模拟的电容变化量信号转换为X-Y坐标信息传送给ARM，ARM对这些坐标信息进行解析，转变为相应的动作或功能信息，传送给校准系统，及时将周围环境（温度、湿度等）的变化对电容感测系统的影响进行校准和补偿，而不用系统做额外的校准动作，这也就是电容式触摸屏为何不需要校准的原因。
U15（从感应控制器、触摸屏驱动）内部主要由激励源和控制逻辑单元组成。激励源通过外加的5.7V电压通过内部升压成13.5V和-12V电压，从而产生启动信号，并发送给驱动线，控制逻辑单元通过算法使驱动线逐行进行扫描，从而确定触碰点的确切位置。 触摸电路如图55所示。
供电电压PP5V1＿GRAPE＿VDDH送到主传感控制器U12的C8脚，PP1V8＿GRAPE送到主传感控制器U12的A1、F4、C5脚；应用处理器输出32kHz时钟信号AP＿TO＿TOUCH＿ SCLK32K＿RESET＿L到主传感控制器U12的D1脚；应用处理器输出SPI总线信号AP＿TO TOUCH＿SPII＿CS＿L，AP＿TO＿TOUCH＿SPII＿SCLK、AP＿TO＿TOUCH＿SPII＿MOSI、TOUCH ＿TO＿AP＿SPII＿MISO分别送到主传感控制器U12的E4、D3、D2、E1脚；主传感控制器U12的内部ADC电路开始工作并输出1.5V电压，B1、C1脚外接1.5V电压滤波电容。
具备以上工作条件之后，主传感控制器U12输出升压启动使能信CUMULUS＿TO＿SAGE＿BOOST＿EN到从传感控制器U15的B2脚，U15内部的升压电路开始工作，输出-12V和13.5V工作电压至触摸屏。 主传感控制器U12与传感控制器U15开始通信（CUMULUS＿VSTM＿OUT<0-19>），经J4输入触摸传输信号Cumulus in<0-14>送到传感控制器U15，然后U15再送给主传感控制器U12加工处理。
在触摸电路中，注意触摸芯片U12、U15的工作条件，还有各个信号启动的先后顺序，也就是平时所说的时序，这是非常关键的。 4. BSYNC电路
显示模块输出显示多路同步动态控制信号LCM＿TO＿AP＿HIFA＿BSYNC，分别送至应用处理器U1的AP 12脚、从传感控制器U15的K15脚、缓冲器U5的1脚。
显示多路同步动态控制信号LCM＿TO＿AP＿HIFA＿BSYNC经过缓冲器U5以后输出LCM ＿TO＿AP＿HIFA＿BSYNC＿BUFF信号，分别送到主传感控制器U12的G1脚、显示电源U3的A2脚。
显示多路同步动态控制信号的作用是控制显示屏背光LED同步发光，避免出现显示、灯光不同步的问题。同时还同步控制触摸电路，灯亮显示的时候触摸能同步工作，灯灭不显示的时候锁定触摸屏。 显示多路同步动态控制信号电路如图56所示。
3.7 多功能开关控制电路
在iPhone 5S手机中使用了苹果专用的USB/UART切换芯片U2，U2芯片支持7选1的切换，并且可以通过内部寄存器来控制，U2还支持附件ID的识别功能，可以识别不同的附件接入。
3.8 应用处理器存储器电路
iPhone 5S手机应用处理器部分使用了两个存储器，分别是NAND Flash U4和EEPROM（码片）存储器U6，下面分别进行介绍。
1. 存储器分类
目前市面上使用的存储器有很多种，根据存储介质、存储方式、信息保存和存储用途等分类如图59所示。
目前较为常用的是半导体材料ROM和RAM存储器。 2. NAN D存储器
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel公司于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本并具有更高的性能，像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
“NAND存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量需要多次擦写的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。 NAND Flash内部结构框图如图60所示。
在iPhone 5S手机中，将NAND Flash分成三个区：隐藏区用于存放开机程序，系统区用于存放系统文件，
用户区用于存放用户数据，如MP3、MP4等。
NAND Flash与NOR Flash相比较，其数据线宽度只有8bit，没有地址总线，I/O接口可用于控制命令和地址的输入，也可用于数据的输入和输出，多了CLE和ALE来区分总线上的数据类别。 NAND Flash信号如表1所示。
3. EEPROM存储器
EEPROM（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，电子抹除式可复写只读存储器，或写作E2PROM）是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。
iPhone 5S手机应用处理器部分增加一个EEPROM存储器U6，U6通过I2C总线与应用处理器进行通信，原理图如图62所示。
3.9 应用处理器功率控制电路
当应用处理器功率过高时，VCC＿MAIN功率也会升得过高，此时电源管理芯片U7内部温度传感电路开启PP＿VCC＿MAIN＿UVLO＿SENSE=3.8V，MAIN＿UVLO＿SENSE 经分压后给U1600的 B2脚后，U1600的A2脚为高电平时，当U1600的A2脚为高电平时，Q1600饱和（D极与S极短接），使SOCHOTO为低电平，那么应用处理器的工作功率也就降低温度下降，那VCC＿MAIN＿SENSE也就为降低，从而使应用处理器正常工作。
应用处理器控制电路如图63所示。
这个控制过程其实就是闭环控制过程：取样一—比较一—控制一—输出。把应用处理料比作发动机，那么这个电路就相当于“节气门”，控制适当的“节气门”使发动机工作在合适的功率状态。