A卷 2009—2010学年第 一 学期
南京大学 材料科学与工程系 全日制统招本科生
《
模拟电路 》期末考试试卷 闭 卷
任课教师姓名:_______
考试日期： 考试时长： 小时 分钟
考生年级 考生专业 考生学号 考生姓名
题号 得分 一 二 三 总分 一.（20分，每空1分）填空题。
1．P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。
本题得分 2．PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有单向导电性。
3．反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压无关。 4．三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。
5．当温度升高时，三极管的集电极电流IC（ ），发射结压降UBE（ ）。 6．为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ ）负反馈，为了减小输出电阻采用（ ）负反馈。
7．负反馈放大电路的闭环放大倍数Af=（ ），对于深度负反馈Af=（ ）。 8．共模信号是大小（ ）极性（ ）的两个信号。
9．乙类互补功放存在（ ）失真，可以利用（ ）类互补功放来克服。 10．在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受的最高反向电压是变压器副边电压有效值
的（ ）倍，负载的最大输出电压为变压器副边电压有效值的（ ）倍。
二.（20分，每题2分）选择题。
1．稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，
但其两端电压必须（ ）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止
2．用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极
分别是（ ），该管是（ ）型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）
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本题得分 A卷 2009—2010学年第 一 学期
3．对功率放大器的要求主要是（ ）。
A、Uo高 B、Po大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真
4．共射极放大电路的交流输出电压波形上半周失真时为（ ），此时应该（ ）偏置
电阻。
A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5.放大电路产生零点漂移的主要原因是（ ）
A、采用了直接耦合的方式 B、采用了阻容耦合的方式 C、采用了正负双电源供电 D、增益太大
6.某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（ ）
A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈
7.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配好，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）
A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 8.下列关于肖特基二极管说法错误的是（ ）
A、多数载流子导电器件 B、适用于高频应用 C、电容效应小 D、基区较厚 9.下列关于FET说法错误的是（ ）
A、增强型MOSFET的VGS与 VDS同极性 B、增强型MOSFET的VGS与VDS极性相反 C、耗尽型MOSFET的VGS可正、可负或为零 D、JFET的VGS与 VDS极性相反
??A2001?jf200，则此滤波器为（ ）
10．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为滤波器。
A、低通 B、高通 C、带通 D、带阻
三.（60分）分析计算题。
1．两级放大电路如下图所示。设两个三极管的β1，β2，rbe1，rbe2已知。
（1）指出三极管T1和T2各属何种组态； （2）画出中频区h参数微变等效电路图；
（3）写出输入电阻Ri和输出电阻Ro的计算公式；
??V??V?/V?和A?/V?的表达式。（4）写出电压放大倍数A（10分） voivsos2
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2.电路如图所示，设UCES=0试回答下列问题：
（1）给出该电路的准确名称，并问ui=0时，流过RL的电流有多大？
（2）请说出二极管V3、V4的作用，并问若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？ （3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？单管的管耗为多少？
（8分）
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3．在图示电路中，已知VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路I=1 mA，RB1=RB2=1 kΩ，RC1=RC2=10 kΩ；两只晶体管特性完全相同，且β1=β2=100，rbe1= rbe2=2 kΩ。估算： （1）电路静态时T1和T2管的集电极电位；
（2）电路的差模放大倍数Avd、共模放大倍数Avc、差模输入电阻Rid和输出电阻Ro （9分）
4．在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10 kΩ，R和C的可调范围分别为1~100 kΩ、0.001~1μF。
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（1）说出该振荡电路各部分的名称，并分析振荡的原理。 （2）振荡频率的可调范围是多少？
（3）RF的下限值为多少？要使振荡能够稳定下来，RF应为什么温度特性？（8分）
5．电路如图所示。试用瞬时极性法判断下面的电路能否振荡，将不能振荡的电路加以改正并写出振荡频率。 （8分）
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