氧化：
1. 生长SiO2薄膜：【作用】1掩蔽杂质扩散；2对器件绝缘保护 2. 干氧氧化原理：Si+O2=SiO2
氧化特点：氧化速率慢，SiO2氧化层致密，质量好
3. 湿氧氧化原理：Si+O2=SiO2 Si+2H2O=SiO2+2H2↑ 氧化特点：氧化速率较快，SiO2氧化层疏松，质量差
4. 清洗硅片步骤五个： ① 甲苯：除油污 ② 乙醇：除甲苯
③ 去离子水冲洗：除有机溶剂
④ 浓硫酸煮：去金属离子（冒白烟）
⑤ 冷热去离子水交替冲洗/去离子水质量标准：测量水的电阻率 5. 硅片颜色变化：【氧化前】亮灰 【氧化后】蓝（薄）、紫红（厚） 扩散：
1. 实验步骤五个
① 烧源：【方程】2BN+3O2=2B2O3+N2
② 扩散片清洗：浓硫酸煮，去1光刻胶2杂质 ③ 氮化硼的活化及试片：1150度通氧30分 ④ 硼预沉积：【目的】控制杂质总量 【条件】杂质表面浓度不变
【方程】2B2O3+3Si=3SiO2+4B
⑤ 硼再分布：【目的】控制硅片1表面浓度2扩散结深 【条件】杂质总量不变/限定源
2. 方块电阻:反映扩散层质量的重要指标
3. 方块电阻的变化：反映硅片便面杂质浓度的变化情况（每次扩散后都要测）
4. 所谓方块电阻：表面为正方形的半导体薄层、在电流方向平行于正方形的边时所呈
现的电阻，表示为：R□(R□=CV)
I5. 采用四探针测试法：排成直线彼此相距S四根钨丝构成、测量时针尖压在硅片表面，外面两个探针接通电流，测量中间两个探针间电压 6. 氮化硼扩散原理是什么？扩散目的是什么？
① 原理：物质分子或原子的热运动，物质分子或原子有高浓度向低浓度扩散，扩散速度有温度决定
② 目的：通过扩散将杂志引入半导体中，在半导体的特定区域形成具有某种导电类型的PN结
7. 扩散前为什么要活化源？
① 烧源反应：2BN+3O2=2B2O3+N2 反应条件：高温+生成物过量 = 可逆 ② 预沉积： 2B2O3+3Si=3SiO2+4B
反应条件：高温+N2过量
③ B2O3与Si反应同时，B2O3被N2还原成BN ④ 所以扩散前需要进行活化源
8. 测试方块电阻为什么要使用测试样片？
① 扩散片表面被SiO2分成许多小扩散窗口，不利于四探针法测量
② SiO2绝缘，影响方块电阻的测量 ③ 测试样片与样品进行同一处理，扩散结深与表面杂志浓度均一致，则方块电阻相同 ④ 所以通过测量测试样片的方块电阻来测量样品的方块电阻 9. 双步扩散有哪些优点？
① 双步扩散就是预沉积和再分布
② 通过控制预沉积时间可以控制掺入杂质总量 ③ 通过控制在分布时间可以控制结深
④ 双步扩散既可以控制掺入的杂质总量又可以控制扩散结深 10. 为什么再分布可以调整方块电阻？
通过解扩散方程可知，随着扩散时间的增加 ① 一方面，硅片杂质的扩散结深在不断增加，
② 另一方面，硅片的表面杂志浓度在不断减小，方块电阻不断增加 ③ 所以可以通过调节炉温和再分布的时间来调节方块电阻 光刻：
1. 光刻一：【目的】刻扩散窗口，为扩散做准备 2. 光刻二：【目的】刻引线孔，为蒸发做准备 3. 光刻三：【目的】反刻铝电极，为性能测试做准备 4. 三次光刻不同： ① 掩膜版不同
② 腐蚀方法不同:
1，2用氢氟酸缓冲液，水浴30-40分 3用浓磷酸，水浴100度 5. 光刻步骤： ① 涂胶
② 前烘：红外灯 ③ 曝光
④ 显影：除为感光部分光刻胶 ⑤ 坚膜 ⑥ 腐蚀：【二氧化硅】氢氟酸（HF）缓冲（氟化铵）剂（去离子水）
【腐蚀速度】1000?/分（紫红色二氧化硅厚度4500?、时间4分半）
【铝】浓磷酸 5. 光刻流程图:
蒸发：
1. 注意事项：
① 气压降到 10Pa 以下，启动分子泵
② 气压降到1Pa 以下，启动电离型真空计 2. 分子泵：2万-3万转/分 机械泵：分子泵前级泵 扩散泵：【气压】钟罩内：5*10-3Pa以下
钟罩和系统间：降到10-2托，启动扩散泵 【预热】40分 【钨丝电流】 60A
3. 铝：
① 保存：无水乙醇
② 真空运动状态：直线运动
③ 清洁：V型，浓磷酸加热煮1-2分，去离子水冲洗 ④ 镀铝时间：40-60s 5. 问答题
① 为什么要达到一定真空度才可以镀铝？ 答：普通大气中存在很多气体分子，高温蒸发出的金属原子或分子将不断与这些气体发 生碰撞，这样会：
1 改变金属原子或分子的运动方向，不能顺利到达基片表面 2 空气中的氧极易使蒸汽原子氧化
3 系统中气体也将跟基片表面不断碰撞，和金属原子一起沉积，形成疏松的金属膜，并使炙热的金属氧化膜氧化，影响镀膜质量。
所以要保持足够低的残余气体气压，使蒸汽原子在该系统中运动的平均自由程大于源至基片的距离，并减少残余气体与基片碰撞机会。
② 铝膜质量有哪些因素决定？ 1 系统真空度
2 钨丝加热器清洁度 3 Al氧化物含量 4 Si片清洁度 5 打开当班时间
③ 画图说明电离型真空计工作原理 1阴极发射的电子再往阳极高速运动中， 会碰撞真空室中的气体分子
2气体分子电离，离子被离子收集极手机 3微安表上显示示数，真空室中气体越多， 撞击出的离子越多，微安表示数越大 4微安表示数可以表示出真空室的气压
④ 画图说明热阻型真空计工作原理 1 参考端与测量端接入相同的电流， 两个电阻功率相同
2 测量端在真空中，散热能力小 电阻温度高于测量端电阻
3 测量端电阻增加，电桥失去平衡
电压表有示数，随真空室真空度增加而增加 4 通过电压表示数即可表示真空室的真空度 制版:
1. 什么是版图？
答：一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案表
2. 反相器：N-FET和 P-FET
说明不同输入时导通状态和输出值：若AND门电路
测量：
1. 什么是扩散结深？
答：结深是指在硅片中掺入不同导电类型的杂质时，距离硅片表面Xj的地方，掺入杂质浓度与硅片本体浓度相等，即在这一位置形成PN结，Xj称为结深。 2. 片子固定：蜡，固定在磨角器上 3. 如何调节显微镜？ ① 调节焦距看清片子
② 移动样品台，找到斜坡P区位置
③ 调节目镜十字线，使一条线与P区平行 4. 染色原理：
答：1 Si电化学势高于Cu, Si可以置换出Cu，使硅片表面呈铜红色
2 N型Si电化学势高于P型Si
3 掌握反应时机，可以使N区镀上铜红色而 P区没有，就显示出PN结 5. 染色液：CuSO4·5H2O : 48％HF : H2O = 5g : 2ml : 50ml 6. 染色步骤：
① 片子放入染色剂中 ② 灯光照射
③ 发现N区染色，立即夹出清洗（滤纸吸干后测量） 工艺流程图