对应的代码:
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase， 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0x80; //将值 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase， 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0x10; //将值 0x10 写到 FLASH 地址 0x5555
SECTOR 擦除操作
SECTOR的擦除操作共需要6个周期的总线写操作 1 – 将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555 2 – 将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA 3 – 将 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555 4 – 将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555 5 – 将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA 6 – 将 0x30 写到要擦除的 SECTOR 对应的地址 对应的代码:
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase， 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0x80; //将值 0x80 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase， 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase， addr) = 0x30; //将值 0x30 写到要擦除的 SECTOR 对应的地址
BYTE 编程操作
写一个BYTE 的数据到FLASH中去，需要 4个周期的总线写操作 1 – 将 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555 2 – 将 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
3 – 将 0xA0 写到 FLASH 地址 0x5555 4 – 将编程数据(BYTE)写到对应的编程地址上去 对应的代码:
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase， 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr8(sysbase， 0x5555) = 0xA0; //将值 0xA0 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr8(sysbase， addr) = data; //将一个 BYTE的数据写到期望的地址 6。 16-BIT FLASH 烧写驱动实例 - SST39VF160
SST39VF160是SST公司的一款16-BIT的NOR FLASH。 在这个小节里， 我们以SST39VF160为例子， 介绍如何对16-BIT NOR FLASH进行操作。对8-BIT FLASH的操作很好理解，但对16-BIT FLASH的操作理解起来要晦涩很多。我尽力描述得清楚些。 SST39VF160的容量为2M-BYTE ， 总共包括512个SECTOR， 每个SECTOR 的容量是4K-BYTE。 该芯片支持SECTOR擦除，整片擦除和以 HALF-WORD 为基本单位的写操作。SST39VF160 的命令定义如表-2 所示。在表 2 中，因为所有命令都是从FLASH的角度来定义的。 所以， 所有的地址都是HALF-WORD地址， 指的是16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址。
在本节后面的描述中，我们使用了下面的2个定义:
U32 sysbase; //该变量用来表示 FLASH 的起始地址 #define SysAddr16(sysbase， offset) ((volatile
U16*)(sysbase)+(offset)) //用来方便对指定的 FALSH 地址进行操作
SysAddr16(sysbase， offset)首先定义了一个16-BIT HALF-WORD的指针，指针的地址为sysbase，然后根据offset做个偏移操作。 因为HALF-WORD指针的地址是2个BYTE对齐的， 所以每个偏移操作会使得地址加2。 最终， SysAddr16 (sysbase， offset)相当于定义了一个HALF-WORD的指针，其最终地址为(sysbase + 2offset) 。在使用SysAddr16 的时候，将sysbase设置成 FLASH 的起始地址，offset 则可以理解为相对于 FLASH 起始地址的 HALF-WORD 偏移量或是偏移地址。假设 FLASH 的起始地址为 0x10000000，SysAddr16(0x10000000， 0)指向 16-BIT FLASH 的第 0 个 HALF-WORD， SysAddr16(0x10000000， 1指向16-BIT FLASH的第1 个HALF-WORD。依次类推。如果要将0xABCD分别写到FLASH 的第0个和第 1个HALF-WORD 中去，可以用下面的代码:
*SysAddr16(0x10000000， 0x0) = 0xABCD; *SysAddr16(0x10000000， 0x1) = 0xABCD;
接下来，我们分别从ARM处理器的角度和FLASH的角度来具体分析一下。 从 ARM 的角度来看:
假设 FLASH 的起始地址为 0x10000000，因为 ARM 处理器知道 FLASH 的地址空间为 0x10000000 ~ (0x10000000 +FLASH容量 – 1)，所以在对这个地址空间进行访问的时候，会设置好FLASH的片选信号，并将低位的地址输出到 地址信号上。以*SysAddr16(0x10000000， 0x1) = 0xABCD 为例。从ARM 处理器的角度来看，该操作是把0xABCD写到地址0x10000002上去。所以ARM处理器最终会在它的地址信号An-A0输出地址0x2，同时会在D15-D0 上输出0xABCD。 从 FLASH 的角度来看:
还是以 *SysAddr16(0x10000000， 0x1) = 0xABCD 为例，FLASH看到的地址是多少呢?接着分析。ARM 处理器在执行操作的时候，会设置好相应的FLASH片选使能信号，并在ARM的地址信号An-A0上输出 0x2。因为 ARM和 16-BIT FLASH的地址信号的连接是错开一位的， 所以， FLASH最终在自己的地址An-A0上看到的信号是0x1， 相当于将ARM
处理器输出的地址往右做了一个移位操作，刚好对应的是FLASH的第1 个HALF-WORD。同时，FLASH会在自己的D15-D0上看到数据0xABCD。
通过上面的分析，我们知道 SysAddr16 中指定的 offset 的值就是 16-BIT FLASH 在自己的地址 An-A0 上看到的值。所以，我们可以很方便的通过 SysAddr16(sysbase， offset) 对 FLASH 进行操作，其中 sysbase 代表 FLASH 起始地址，offset 则代表了FLASH 的第几个HALF-WORD(HALF-WORD偏移量或偏移地址) 。 注意:
1。 在本节后面的描述中，SysAddr16中的 SYSBASE代表的是FLASH的起始地址，而SysAddr16中的 OFFSET则代表了相对于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量或偏移地址。OFFSET 的值也是16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的值。 2。在SST39VF160的命令定义中，所有的地址都是针对FLASH的HALF-WORD地址，指的是在FLASH自己的地址信号An-A0上看到的地址。
整片擦除操作
整片擦除操作共需要6个周期的总线写操作
1 – 将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555 2 – 将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA 3 – 将 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555 4 – 将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555 5 – 将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA 6 – 将 0x0010 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555 对应的代码:
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase， 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x0080; //将值 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase， 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x0010; //将值 0x0010 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555 SECTOR 擦除操作
SECTOR的擦除操作共需要6个周期的总线写操作
1 – 将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555 2 – 将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA 3 – 将 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555 4 – 将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555 5 – 将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
6 – 将 0x0030 写到要擦除的 SECTOR 对应的 HALF-WORD地址 对应的代码:
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase， 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x0080; //将值 0x0080 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase， 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase， addr >> 1) = 0x0030; //将值 0x0030 写到要擦除的 SECTOR 对应的 HALF-WORD地址 注意:
上面的代码中第6个操作周期中的ADDR 是从ARM处理器的角度来看的BYTE地址，因为在擦除的时候，用户希望指定的是从 ARM 的角度看到的地址，这样更方便和更直观。而在 SysAddr16 的宏定义中，OFFSET 表示的是相对于FLASH起始地址的
HALF-WORD 偏移量，或是FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址。所以需要执行一个右移操作，把ADDR转换成 HALF-WORD 地址。
举例说明，SST39VF160 每个 SECTOR 的大小是 4K-BYTE。从 ARM 处器的角度和用户的角度来看，SECTOR-0 相对于FLASH起始地址的BYTE地址是0x0;从FLASH来看SECTOR-0 的HALF-WORD地址是0x0。从ARM处理器的角度和用户的角度来看， FLASH SECTOR-1相对于FLASH起始地址的BYTE地址0x1000; 从FLASH来看， SECTOR-1的HALF-WORD地址应该是(0x1000 >> 1) = 0x800。 如果要擦除SECTOR-0，上面代码的第6条指令应该是: *SysAddr16(sysbase， 0x0 >> 1) = 0x0030; 如果要擦除SECTOR-1，上面代码的第6条指令应该是: *SysAddr16(sysbase， 0x1000 >> 1) = 0x0030; HALF-WORD 编程操作
写一个HALF-WORD的数据到FLASH中去，需要4个周期的总线写操作 1 – 将 0x00AA写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555 2 – 将 0x0055 写到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA 3 – 将 0x00A0 写到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555 4 – 将编程数据(HALF-WORD)写到对应的 HALF-WORD地址 对应的代码:
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase， 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到 FLASH 地址 0x2AAA
*SysAddr16(sysbase， 0x5555) = 0x00A0; //将值 0x00A0 写到 FLASH 地址 0x5555
*SysAddr16(sysbase， addr >> 1) = data; //将数据写到对应的 HALF-WORD 地址 注意:
上面的代码中第4个操作周期中的ADDR是从ARM处理器的角度来看的BYTE地址， 因为在执行写操作的时候，用户希望指定的是从 ARM 的角度看到的地址，这样会更方便