无机材料科学基础第八章扩散

2018-12-19 21:25

第7章 扩散

一、名词解释

1.扩散:

2.扩散系数与扩散通量: 3.本征扩散与非本征扩散: 4.自扩散与互扩散:

5.稳定扩散与不稳定扩散:

名词解释答案:

一、扩散是指在梯度的作用下,由于热运动而使粒子定向移动的过程 二、扩散通量:单位时间内通过单位面积粒子的数目

扩散系数:单位浓度梯度下的扩散同俩个 三、本征扩散:由热缺陷所引起的扩散

非本征扩散:由于杂质粒子的电引入而引起的扩散 四、自扩散:原子或粒子在本身结构中的扩散

互扩散:两种的扩散通量大小相等,方向相反的扩散 五、稳定扩散:单位时间内通过单位面积的粒子数一定 不稳定扩散:单位面积内通过单位面积的粒子数不一定

二、填空与选择

1.晶体中质点的扩散迁移方式有: 、 、 、 和 。

2.当扩散系数的热力学因子为 时,称为逆扩散。此类扩散的特征为 ,其扩散结果为使 或 。

3.扩散推动力是 。晶体中原子或离子的迁移机制主要分为两种:

和 。

4.恒定源条件下,820℃时钢经1小时的渗碳,可得到一定厚度的表面碳层,同样条件下,要得到两倍厚度的渗碳层需 小时.

5.本征扩散是由 而引起的质点迁移,本征扩散的活化能由 和 两部分组成,扩散系数与温度的关系式为 。

6.菲克第一定律适用于 ,其数学表达式为 ;菲克第二定律适用于 ,其数学表达式为 。

7.在离子型材料中,影响扩散的缺陷来自两个方面:(1)肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷(热缺陷),(2)掺杂点缺陷。由热缺陷所引起的扩散称 ,而掺杂点缺陷引起的扩散称为 。(自扩散、互扩散、无序扩散、非本征扩散)

8.在通过玻璃转变区域时,急冷的玻璃中网络变体的扩散系数,一般 相同组成但充

1

分退火的玻璃中的扩散系数。(高于、低于、等于)

9.在UO2晶体中,O2的扩散是按 机制进行的。(空位、间隙、掺杂点缺陷)

填空题答案:

1、易位扩散、环形扩散、空位扩散、间隙扩散、准间隙扩散

2、1+(δlnγi)/(δlnNi)<0、由低浓度向高浓度扩散、偏聚、分相 3、化学位梯度、空位机制、间隙机制 4、4

5、热缺陷、空位形成能、空位迁移能、D?D0e6、稳定扩散 、

?CJ??D?x(?Q)RT

?C?2C?D?x2、不稳定扩散、?t7、本征扩散、非本征扩散

8、高于 9、间隙

四、试分析离子晶体中,阴离子扩散系数-般都小于阳离子扩散系数的原因。

阴离子通常作为堆积结构的基础,而阳离子通常填充于空隙之中,阳离子扩散相对较容易,而阴离子若要扩散则需要破坏堆积结构,所需要的能量更多,故阴离子扩散系数-般都小于阳离子扩散系数

六、碳、氮、氢在体心立方铁中扩散的激活能分别为84、75和13kJ/mol,试对此差异进行分析和解释。

C-N-O的半径依次减小,C-N-O在间隙中扩散的能力逐渐增加,故扩散的激活能越低

七、MgO、CaO、FeO均具有NaCl结构,在各晶体中,它们的阳离子扩散活化能分别为:Na+在NaCl中为41kcal/mol,Mg2+在MgO中为83 kcal/mol,Ca2+在CaO中为77 kcal/mol,Fe3+在FeO中为23 kcal/mol,试解释这种差异的原因。 1、由于FeO为非化学计量型氧化物故扩散活化能较低

2、NaCl中的Na离子电价较低,故NaCl扩散活化能相对较低 3、Ca的半径比Mg离子的半径大,故MgO的扩散活化能高

八、已知氢和镍在面心立方铁中的扩散系数为:

?64000?4.18?2,试计算1000℃?10300?4.18?2和

DH?0.0063exp???cms?cmsDNi?4.1exp??RTRT????

2

的扩散系数,并对其差别进行解释。

?10300?4.18?2?10300?4.18?-4DH?0.0063exp???cms?0.0063exp????1?10

RT.15????8.314?1273

?64000?4.18?2?64000?4.18?-11DNi?4.1exp???cms?4.1exp????4.33?10

RT.15????8.314?1273其中H的离子半径明显小于Ni的半径,故前者更容易扩散,其扩散系数也就越高

九、假定碳在α-Fe(体心立方)和γ-Fe(面心立方)中的扩散系数分别为:

2D??0.0079exp??83600RT?cm2s;D??0.21exp??141284RT?cms,计算800℃

时各自的扩散系数,并解释其差别。 D??0.0079exp??83600RT?cm2s=6.7×10

-7

D??0.21exp??141284RT?cm2s=2.8×10

-8

α-Fe(体心立方)和γ-Fe(面心立方)相比结构更疏松,粒子在其中更容易扩散、故扩散系数越大

十、在制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单品中,若在1600K温度下.保持硼在硅单品表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半,问需要多长时间(已知D1600℃=8×10-12cm2/sec;当erf?x2Dt?0.5x?0.5时,2Dt)?

C0?C1C0?C1;起初无浓度,故C?0;C1?0.5C0;?0.5C0?C C0?C

-310?0.5;t?125000s-1228×10t

十一、Zn2+在ZnS中扩散时,563℃时的扩散系数为3×10-14cm2/sec;450℃时的扩散系数为1.0×10-14cm2/sec,求:(a)扩散的活化能和D0;(b)750℃时的扩散系数;(c)根据你对结构的了解,请从运动的观点和缺陷的产生来推断活化能的含义;(d)根据ZnS和ZnO相互类似,预测D随硫的分压而变化的关系。

3

Q)RT(-Q)8.314?836.15D?D0e3×101?10-14(-?D0e?D0e-14(-Q)8.314?723.15

Q?48827;D0?3.4?10-11D?3.4?10e-11(-48827)8.314?1023.15?1.1?10-13十二、欲使Ca2在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)都是非本征扩散,要求三价杂质离子有什么样的浓度?试对你在计算中所作的各种特性值的估计作充分说明(已知CaO肖特基缺陷形成能为6eV)。

aO?M2O3?C???2MCa?3OO?VCa''''6?1.6?10-19?6.23?1023VCa?exp(-)?3.6?10-62?8.314?2873.15 ''?-6-6M?MCa?2VCa?2?3.6?10?7.2?10

4


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