Rb1Rc4.7k?TC2 1+VCC (+15V)+VDD(+15V)RdC1C2 33k?C1Rsvs1?FRb21?FvoRLCe22k?3.9k?Re4k?vi
RgvoRL20k?10?F图题5.8
解：（1）I?EQV?VBQBEQRIEQVTeRV?VR?R?Rb2CCb1b2eBEQ22?15?0.733?22??1.4mA
3.9gm?'?1.4mA?53.8mS 26mVVT26??1?120??2.2k? IEQ1.4rbe??1???'rbe?rbb'?rbe?0.05?2.2?2.25k?
Cbe'gm53.8?10?3???17pF 2?fT2?3.14?100?106??（2）R?(RR?r)r??33220.5?0.05?2.2?0.44k?
sbbb?b?e C?C??1?g?R??153.??8?C?17??b?emL?bc4.7?4?????12 11pF33 f?H11?2?RC2?3.14??0.44?10???133?103??2.72MHz
120??4.74?Rbrbe??3322?2.25??94 ????RL????（3）AvsMrbeRs?Rbrbe2.250.5??3322?2.25??f??94??2.72?106??255.68MHz （4）AvsMH
5.9已知晶体管电路如图题5.8所示，设信号源内阻为RS?500?，已知晶体管??100，
rbb'?50?，VBE?0.7V，估算电路的下限频率fL。
解：?Re??1，?Re可视为开路 j?Ce（1）输入回路：
C1?Cb1Ce10?1?0.09?F 1??1?1003?6f?L111?2?(R?r)C2???0.5?2.25??10??0.09?10sbe1??645Hz
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（2）输出回路：
f?L212?2?(R?R)C2???4.7?4??10??1?103cLb2L2?6??18Hz
?f??f
L1 ?f?f?645Hz
LL15.10有一个N沟道耗尽型MOS场效应管（IDSS＝1mA），三个电阻（分别为1M?、
100k?、10k?）和两个电容（分别为0.1μF 、10μF ），要求从中选择合适的电阻、电容
组装一个如图题5.10所示的放大电路（其负载电阻为20k?），并希望该放大电路有较高的输入电阻和尽量低的下限截止频率。
VCC (+15V)C2 C1TRsRb1vs1+VDD(+15V)RdC1C2 Rb2RcRevoCeRL?viRgvoRL20k?
图题5.10
解：（1）为使电路有尽可能高的输入电阻，Rg必须取大值，所以应取1M?。 （2）在此电路中，V?0，则I?IGSDDSS?1mA，所以，为保证电路具有合适的静态工作
点，Rd应取10k?。
因为f?L111,f?，若f、f两者相差4倍以上，电路最终的
2?RC2??R?R?CL2L1L2g1dL2下限截止频率取决于两者中较大的下限频率，所以要使下限截止频率尽可能低，C1应取
0.1?F，C2取10?F。
5.11已知图题5.11所示电路中，两个晶体管的?和rbe相同，?1??2?50，rbe1＝rbe2?2k?，试分析：
（1）定性分析C1、C2、C3中哪一个电容对放大电路的下限截止频率fL起决定性作用？（简要说明理由）
（2）估算该放大电路的下限截止频率fL。
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Rb1620k?C1Rc13k?Rb2620k?C2 T1Rc23k?VCC (+9V)C3T2Rb1750k?C1Rc16.8k?Rb2300k?C2 T1+VCC (+12V)Rs0?10?F10?Fvo10?FRs1k?vs10?FRe29.1k?T210?FC3vo10?F 图题5.11 解：（1）因为负载开路，所以C3构成的回路时间常数为∞；T2管为共集电路，输入电阻Ri2很大，因此C2与Ri2构成的回路时间常数也较大；T1为共射电路，输入电阻Ri1较小，信号源内阻Rs又不大，所以C1构成的回路时间常数最小，对整个放大电路的fL起决定作用。 （2）f?f?LL111??5.3Hz
2?(Rs?rbe1Rb1)C12???1?2750??103??10?10?6?
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