姓名: 班级： 学号： 哈尔滨工业大学（威海） 2005 /2006 学年 春季学期
集成电路设计原理 试题卷（B）
考试形式（开、闭卷）： 闭 答题时间： 120 （分钟） 本卷面成绩占课程成绩 70 % 题号 分数 一 二 三 四 五 六 七 八 卷 面 总 分 平 时 成 绩 课 程 总 成 绩
一、简述题（40分）
1. 双极型pn结隔离工艺中的n+埋层有哪些作用？。
2. 在双极型集成电路版图设计中划分隔离区的原则是什么？
3. 有比电路和无比电路有哪些差异？
4. CMOS集成电路版图设计中抗闩锁的措施有哪些？
得分
教研室主任签字： 第 1 页（共 5 页）
5.设计MOS电流镜电路时，应注意什么问题？ 二、（共16分）
画出典型pn结隔离工艺双极型集成电路中的双基极双集电极
得分 npn晶体管的平面图（版图）和对应的剖面图，并按工艺流程先后顺序写出所需的光刻掩膜版名称，同时在图中对应图形上标明。
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三、（共16分）
右图是一CMOS单元电路的版图，a) 画出对应的电路图；b) 分析电路功能，写出逻辑表达式；c) 按工艺流程的先后顺序，写图中所用到的光刻掩膜版名称，并在图中选择典型图形标明。
得分 第 3 页（共 5 页）
四、（共12分）
分析右图所示CMOS 运放电路，①说明M1和M2的作用；②说明M3和Rr的作用；③说明M5、M6和M8的作用。（12分）
得分 第 4 页（共 5 页）
五、（共16分）
分析下面电路的功能，并写出各输出端的逻辑表达式。
得分
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