说明： 拉低总线至少480us ;可用于检测DS18B20 工作是否正常 bit RST_DS18B20() {
bit ret=\
DQ=0;/*拉低总线 */
Delayxus_DS18B20(32);/*为保险起见，延时495us */
DQ=1;/*释放总线 ，DS18B20 检测到上升沿后会发送存在脉冲*/
Delayxus_DS18B20(4);/*需要等待15~60us，这里延时75us 后可以保证接受到 的是存在脉冲（如果通信正常的话） */ ret=DQ;
Delayxus_DS18B20(14);/*延时495us，让ds18b20 释放总线，避免影响到下一 步的操作 */
DQ=1;/*释放总线 */ return(~ret);}
写时序：读写时隙
主机在写时隙向DS18B20 写入数据，并在读时隙从DS18B20 读入数据。在单总 线上每个时隙只传送一位数据。
有两种写时隙：写“0”时间隙和写“1”时间隙。总线主机使用写“1”时间隙向 DS18B20 写入逻辑1，使用写“0”时间隙向DS18B20 写入逻辑0.所有的写时隙必须有
最少60us 的持续时间，相邻两个写时隙必须要有最少1us 的恢复时间。两种写时隙
都通过主机拉低总线产生。
为产生写1 时隙，在拉低总线后主机必须在15μs 内释放总线。在总线被释放
后，由于5kΩ 上拉电阻的作用，总线恢复为高电平。为产生写0 时隙，在拉低总线
后主机必须继续拉低总线以满足时隙持续时间的要求(至少60μs)。 在主机产生写时隙后，DS18B20 会在其后的15 到60us 的一个时间窗口内采样单 总线。在采样的时间窗口内，如果总线为高电平，主机会向DS18B20 写入1；如果
总线为低电平，主机会向DS18B20 写入0。
如文档所述，所有的写时隙必须至少有60us 的持续时间。相邻两个写时隙必须 要有最少1us 的恢复时间。所有的写时隙（写0 和写1）都由拉低总线产生。 为产生写1 时隙，在拉低总线后主机必须在15us 内释放总线（拉低的电平要持 续至少1us）。由于上拉电阻的作用，总线电平恢复为高电平，直到完成写时隙。 为产生写0 时隙，在拉低总线后主机持续拉低总线即可，直到写时隙完成后释放 总线（持续时间60-120us）。 写时隙产生后，DS18B20 会在产生后的15 到60us 的时间内采样总线，以此来确 定写0 还是写1。
满足上述要求的写函数为： 函数：WR_Bit
功能：向DS18B20 写一位数据 参数：i 为待写的位 返回：无
说明： 总线从高拉到低产生写时序 void WR_Bit(bit i) {
DQ=0;//产生写时序 _nop_();
_nop_();//总线拉低持续时间要大于1us DQ=i;//写数据 ，0 和1 均可
Delayxus_DS18B20(3);//延时60us，等待ds18b20 采样读取 DQ=1;//释放总线 }
函数：WR_Byte
功能：DS18B20 写字节函数，先写最低位 参数：dat 为待写的字节数据 返回：无 说明：无
void WR_Byte(unsigned char dat) {
unsigned char i=\while(i++<8) {
WR_Bit(dat&0x01);//从最低位写起 dat>>=1; //注意不要写成dat>>1 } }
读时序：
DS18B20 只有在主机发出读时隙后才会向主机发送数据。因此，在发出读暂存器命令 [BEh]或读电源命令[B4h]后，主机必须立即产生读时隙以便DS18B20 提供所需数据。另外，主机可在发出温度转换命令T [44h]或Recall 命令E 2[B8h]后产生读时隙，以便了解操作的状态(在 DS18B20 操作指令这一节会详细解释)。 所有的读时隙必须至少有60us 的持续时间。相邻两个读时隙必须要有最少1us 的恢复时间。所有的读时隙都由拉低总线，持续至少1us 后再释放总线（由于上拉电阻的作用，总线恢复为高电平）产生。在主机产生读时隙后，DS18B20 开始发送0 或1 到总线上。DS18B20 让总线保持高电平的方式发送1，以拉低总线的方式表示发送0.当发送0 的时候，DS18B20 在读时隙的末期将会释放总线，总线将会被上拉电阻拉回高电平（也是总线空闲的状态）。DS18B20 输出的数据在下降沿（下降沿产生读时隙）产生后15us 后有效。因此，主机释放总线和采样总线等动作要在15μs内完成。如图表明了对于读时隙，TINIT（下降沿后低电平持续时间）, TRC（上升沿和SAMPLE（主机采样总线）的时间和要在15μs 以内 下图显示了最大化系统时间宽限的方法：让TINIT 和TRC 尽可能的短，把主机采样总线放到15μs 这一时间段的尾部。
由文档可知，DS18B20 只有在主机发出读时隙时才能发送数据到主机。因此，主机必须在BE 命令，B4 命令后立即产生读时隙以使DS18B20 提供相应的数据。另外，在44 命令，B8 命令后也要产生读时隙。所有的读时隙必须至少有60us 的持续时间。相邻两个读时隙必须要有最少1us的恢复时间。所有的读时隙都由拉低总线，持续至少1us 后再释放总线（由于上拉电阻的作用，总线恢复为高电平）产生。DS18B20 输出的数据在下降沿产生后15us后有效。因此，释放总线和主机采样总线等动作要在15us 内完成。 满足以上要求的函数为： 函数：Read_Bit
功能：向DS18B20 读一位数据
参数：无 返回：bit i
说明： 总线从高拉到低，持续至1us 以上，再释放总线为高电平空闲状态产生 读时序
unsigned char Read_Bit() {
unsigned char ret; DQ=0;//拉低总线 _nop_(); _nop_(); DQ=1;//释放总线 _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_();
ret=DQ;//读时隙产生7 us 后读取总线数据。把总线的读取动作放在15us 时 间限制的后面是为了保证数据读取的有效性
Delayxus_DS18B20(3);//延时60us，满足读时隙的时间长度要求 DQ=1;//释放总线
return ret; //返回读取到的数据 }
函数：Read_Byte
功能：DS18B20 读一个字节函数，先读最低位 参数：无
返回：读取的一字节数据 说明： 无
unsigned char Read_Byte() {
unsigned char i;
unsigned char dat=\for(i=0;i<8;i++) {
dat>>=1;//先读最低位 if(Read_Bit()) dat|=0x80; }
return(dat); }
函数：Start_DS18B20 功能：启动温度转换 参数：无 返回：无
说明： 复位后写44H 命令 void Start_DS18B20() {DQ=1;
RST_DS18B20();
WR_Byte(0xcc);// skip
WR_Byte(0x44);//启动温度转换 }
函数：Read_Tem 功能：读取温度 参数：无
返回：int 型温度数据，高八位为高八位温度数据，低八位为低八位温度数据 说明： 复位后写BE 命令 int Read_Tem() {int tem=\RST_DS18B20();
WR_Byte(0xcc);// skip
WR_Byte(0xbe);//发出读取命令 tem=Read_Byte();//读出温度低八位
tem|=(((int)Read_Byte())<<8);//读出温度高八位 return tem;}
DS18B20：
//============================================================= // 文件名称： DS18B20.c // 功能描述： DS18B20驱动 // 维护记录： 2014-06-12 V1.0
//============================================================= #include \#include \#include \#include \#include \#include \#include \
int i,j,k;
extern volatile unsigned short
LCD_BUFFER[SCR_YSIZE_TFT][SCR_XSIZE_TFT]; U16 temp; //定义无符号的16位的变量 U16 t;
U8 DS18B20_ID[8] = {0};
extern unsigned int PCLK;//定义无符号整形PCLK void usDelay(int time) //延时函数 {
U32 i,j;
for (i = time; i > 0; i--) for (j = 1; j > 0; j--); }
//========================================