（从左到右依次为RL=150k,75k, 35k） SP文件：
.TITLE 1.2UM CMOS INVERTER .options probe .options tnom=25
.options ingold=2 limpts=30000 method=gear .options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12 .protect
.lib'C:\\synopsys\\cmos25_level49.lib' TT .unprotect .global vdd
Mn out in 0 0 NMOS W=1.5u L=0.5u RL VDD OUT 75k VDD
VDD 0 2.5V
VIN IN 0 0
.DC VIN 0 2.5V 0.1V .probe V(out) .probe V(in) .alter
.TITLE Exercise 2.1 RL = 150k RL Vdd out 150k .alter
.TITLE Exercise 2.1 RL = 35k RL Vdd out 35k .end
1. 5．对2的结果进行仿真验证。(tran 仿真；输入加脉冲，上升和下降时间都为5ns)
由图得：tPHL=; tPLH=SP文件：
.TITLE 1.2UM CMOS INVERTER .options probe .options tnom=25
s
.options ingold=2 limpts=30000 method=gear .options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12 .protect
.lib'C:\\synopsys\\cmos25_level49.lib' TT .unprotect .global vdd
Mn out in 0 0 NMOS W=1.5u L=0.5u *（工艺中要求尺寸最大0.5u） RL OUT VDD CL OUT 0 3p VDD
75k
VDD 0 2.5V
Vin in 0 PULSE(0 2.5v 100n 5n 5n 5u 10u) .TRAN 1n 30u
.measure tran TPHL trig v(in) val=1.25 td=1n rise=2 targ v(out) +val=1.25 td=1n fall=2
.measure tran TPLH trig v(in) val=1.25 td=1n fall=2 targ v(out) +val=1.25 td=1n rise=2 .probe V(out) .probe V(in) .end