注：
图3?3. F2811/C2811记忆映射（见A至E的注意事项）
只有其中一个向量maps—M0向量图，饼图载体，BROM载体，XINTF vector—should启用一次。 A.内存块不按比例。
B.保留地址保留为将来的扩展.应用程序不应该访问这些地区。
图例： C.外设帧0,外设帧帧1, 2和外设内存maps仅限于数据存储器只.用户程序无法访问这些程序存储空间maps.
D.“保护”指写其次顺序读操作，而不是管道命令保存。 E.某些内存范围EALLOW保护防止杂散配置后写道。
图3?3. F2810/C2810记忆映射（见A至E的注意事项）
图例：
只有其中一个向量maps—M0向量图，饼图载体，BROM载体，XINTF vector—should启用一次。
注： A.内存块不按比例.
B.保留地址保留为将来的扩展.应用程序不应该访问这些地区.
C.外设帧0,外设帧帧1, 2和外设内存maps仅限于数据存储器只.用户程序
无法访问这些程序存储空间maps.
D.“保护”指写其次顺序读操作，而不是管道命令保存. E.某些内存范围EALLOW保护防止杂散配置后写道.
对Flash扇区表3?1.地址F2812和F2811
表3?2.地址F2810对Flash扇区
“低64K”进入的maps数据空间中的内存地址范围240x.”高64K”内存地址进入的maps 24x/240x.代码程序将执行空间范围24x/240x-compatible只是从“高64K”内存区.因此，闪存/ 32K和ROM SARAM的块顶部H0可以使用运行在
24x/240x-compatible代码MP/MC代码（如果2812,模式是低），或者可以执行从XINTF区7（如果MP/MC模式为高）。
该XINTF由五个独立区域。一个区域都有它自己的芯片选择，其余四区分担两个芯片选择。每个区域都可以进行编程，具有自己的时间（等待状态），并任样本或忽视外部就绪信号。这使得简单，无缝连接到外围设备。
注意：
该芯片是选择合并到一个单一芯片选择XINTF区0和区域
1(XZCS0AND1);和芯片 XINTF区6和区域7选择合并成单一芯片选择(XZCS6AND7).参见第3.5,“外部接口，XINTF (2812只）”，相关详细信息。
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周边外设帧帧1, 2,和XINTF区1组合在一起，让这些区块是“读/写块外围保护”。因为写的“保护”模式确保所有访问这些块发生。由于C28x管道，紧接着写的书，不同的内存位置，将出现在本CPU。此内存总线相反的顺序可能会导致某些问题在用户期望写发生第一（笔试）外设的应用程序。支持的C28x CPU一块保护模式，一个内存区域可以进行保护，以确保操作发生的书面（刑罚是，添加到对齐操作额外的周期）。这种模式是可编程的，并默认情况下，它会保护选定的区域。
在AT复位2812，XINTF区7访问如果XMP/MC脚被拉高。这个信号选择微处理器或微电脑的运作模式。在微处理器模式，区域7映射到高内存，这样的量表是从外部获取。引导ROM在这种模式下被禁用。在微电脑模式，区域7被禁用，这样的载体是从引导ROM。这使得牵强用户可以选择从片上存储器或片外存储器启动。对复位状态，XMP/MC信号被保存在一个在MP/MC 寄存器 XINTCNF2模式位。用户可以改变这一模式，在软件因此，控制和引导ROM XINTF区7。没有其他受内存块映射XMP/MC。
I / O空间不支持2812 XINTF.
在内存映射地区的各个空间等待状态见表3?3.
表3?3.等待状态
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