四路无线遥控开关设计毕业设计论文 - 图文(4)

2019-02-16 13:11

图3-6

根据上述分析,可得桥式整流电路的工作波形如图2。由图可见,通过负载RL的电流iL以及电压uL的波形都是单方向的全波脉动波形。

桥式整流电路的优点是输出电压高,纹波电压较小,管子所承受的最大反向电压较低,同时因电源变压器在正、负半周内都有电流供给负载,电源变压器得到了充分的利用,效率较高。因此,这种电路在半导体整流电路中得到了颇为广泛的应用。 3.3桥式整流电容滤波原理

电容滤波电路利用电容的充、放电作用,使输出电压趋于平滑。

图3-7

当u2为正半周并且数值大于电容两端电压uC时,二极管D1和D3管导通,D2和D4管截止,电流一路流经负载电阻RL,另一路对电容C充电。当uC>u2,导致D1和D3管反向偏置而截止,电容通过负载电阻RL放电,uC按指数规律缓慢下降。 当u2为负半周幅值变化到恰好大于uC时,D2和D4因加正向电压变为导通状态,u2再次对C充电,uC上升到u2的峰值后又开始下降;下降到一定数值时D2和D4变为截止,C对RL放电,uC按指数规律下降;放电到一定数值时D1和D3变为导通,重复上述过程。 RL、C对充放电的影响

图3-8

电容充电时间常数为rDC,因为二极管的rD很小,所以充电时间常数小,充电速度快;RLC为放电时间常数,因为RL较大,放电时间常数远大于充电时间常数,因此,滤波效果取决于放电时间常数。

电容C愈大,负载电阻RL愈大,滤波后输出电压愈平滑,并且其平均值愈大。

3.4电磁继电器的工作原理和特性

3-9 电磁继电器原理图

继电器是一种电子控制器件,它具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路),通常应用于自动控制电路中,它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。

电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、触点簧片等组成的。只要在线圈两端加上一定的电压,线圈中就会流过一定的电流,从而产生电磁效应,衔铁就会在电磁力吸引的作用下克服返回弹簧的拉力吸向铁芯,从而带动衔铁的动触点与静触点(常开触点)吸合。当线圈断电后,电磁的吸力也随之消失,衔铁就会在弹簧的反作用力返回原来的位置,使动触点与原来的静触点(常闭触点)吸合。这样吸合、释放,从而达到了在电路中的导通、切断的目的。对于继电器的“常开、常闭”触点,可以这样来区分:继电器线圈未通电时处于断开状态的静触点,称为“常开触点”;处于接通状态的静触点称为“常闭触点”。

3.5稳压器的工作原理

所有的稳压器,都利用了相同的技术实现输出电压的稳定。输出电压通过连接到误差放大器(Error Amplifier)反相输入端(Inverting Input)的分压电阻(Resistive Divider)采样(Sampled),误差放大器的同相输入端(Non-inverting Input)连接到一个参考电压Vref。 参考电压由IC内部的带隙参考源(Bandgap Reference)产生。 误差放大器总是试图迫使其两端输入相等。为此,它提供负载电流以保证输出电压稳定:

Vout = Vref(1 + R1 / R2)

78L05系列集成稳压器的典型应用电路如下图所示,这是一个输出正5V直流电压的稳压电源电路。IC采用集成稳压器78L05,C1、C2分别为输入端和输出端滤波电容,R1为负载电阻。当输出电较大时,78L05应配上散热板。

图3-9 稳压器原理图

下图为提高输出电压的应用电路。稳压二极管VD1串接在78L05稳压器2脚与地之间,可使输出电压Uo得到一定的提高,输出电压Uo为78L05稳压器输出电压与稳压二极管VC1稳压值之和。VD2是输出保护二极管,一旦输出电压低于VD1稳压值时,VD2导通,将输出电流旁路,保护78L05稳压器输出级不被损坏。

图3-10

下图为输出电压可在一定范围内调节的应用电路。由于R1、RP电阻网络的作用,使得输出电压被提高,提高的幅度取决于RP与R1的比值。调节电位器RP,即可一定范围内调节输出电压。当RP=0时,输出电压Uo等于78L05稳压器输出电压;当RP逐步增大时,Uo也随之逐步提高。

下图为扩大输出电流的应用电路。VT2为外接扩流率管,VT1为推动管,二者为达林顿连接。R1为偏置电阻。该电路最大输出电流取决于VT2的参数。

3.6三极管结构

(1) NPN型三极管结构。图3-11所示是NPN型三极管结构示意图。三极管由三块半导体构成,对于NPN型三极管而言,由两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧,这两块半导体所引出的电极名称如图3-11中所示。

N型材料和P型材料交界处形成一个PN结 集电极 集电极与基极之间的 PN结称为集电结 基极 N P N 发射极 发射极与基级之间的PN结称为发射结

图3-11

在P型和N型半导体的交界面处形成两个PN结,这两个PN结与前面介绍的二

极管PN结具有相似的特性。

(2) PNP型三极管结构。图3-12所示是PNP型三极管结构示意图。它与NPN型三极管基本相似,只是用了两块P型半导体、一块N型半导体,也是形成两个PN结,但极性不同。

N型材料和P型材料交界处形成一个PN结 集电极 集电极与基极之间的 PN结称为集电结 基极 P N P 发射极 发射极与基级之间的PN结称为发射结

3-12


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