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图2-5 ADC0809的内部逻辑结构图
其主要特性如下: (1)8位分辨率;
(2)单-5V的电源,输出模拟电压范围:0~5V; (3)具有锁存控制的8路模拟开关
(4)可锁存三态输出,可与大多数的8位微处理器接口; 其引脚功能如下:
IN0~IN7:8路模拟量输入端; D0~ D7 :8路数字量输出;
ADDC ,ADDB,ADDA:用于选择8路通道模拟地址线: ADDC ADDB ADDA 通道 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 2 0 1 1 3 1 0 0 4 1 0 1 5 1 1 0 6 1 1 1 7
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ALE:地址锁存信号。上升沿将ADDC,ADDB,ADDA存入地址锁存器。 START:A/D转换启动信号,正脉冲时,A/D转换开. EOC:转化结束信号,转化开始时OEC=0,结束时OEC=1. OE:输入允许信号,当OE=1时打开三态输出门。 CLOCK:时钟信号 GND:接地 2.3.3单片机的选择
属于哈佛体结构的MCS-51系列单片机,其程序存储器和数据存储器各自独立,编址范围均为64KB。该系列产品功能强,运行速度高,可靠性强,其为低电压;高性能CMOS8位单片机,片内含4位的EEPROM和128位的RAM,兼容MCS-51指令系统,片内通用8位CPU和Flash存储单元,可灵活运用于性价比高的应用场合,所以设计中单片机选取的型号为AT89C51!
(1)主要性能参数: ①与MCS-51产品指令系统兼容
4K字节EEPROM 图2-6 AT89C51引脚图
②1000次擦写周期 ③ 全静态操作:0HZ~24MHZ ④三级加密程序存储器 ⑤ 23*8字节的内部RAM ⑥32个可编程I/O口线 ⑦ 2个16位定时/计数器 ⑧6个中断源 ⑨可编程串行UART通道 ⑩低功耗空闲和掉电模式述:
(2)功能特性描述:
AT89C51提供以下标准功能:4K字节FLASH闪速存储器,128字节的内部RAM。32个I/O口线,两个16位定时/计数器,一个5向量两级中断结构,
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一个全双工串行通信口,片内振荡器及时钟电路,同时,AT89C51可降至0HZ的静态逻辑操作,并支持两种软件可选的节电模式。空闲方式停止CPU的工作,但允许RAM,定时/记数器,串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存RAM中的内容,但是振荡器停止工作并禁止其它所有部件直到下一个硬件复位!各引脚对应的功能简要介绍如下:
Vss —— 接地。 图 2-6 AT89C51的内部结构图 Vcc —— 电源端,接+5V。
P0.0~0.7 —— P0口是开漏双向口可以写为1使其状态为悬浮用作高阻输入,P0也可以在访问外部程序存储器时作地址的低字节,在访问外部数据存储器时作数据总线,此时通过内部强上拉输出1。P0口每位可以能驱动8个LS型TT
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L负载。
P1.0~1.7 —— P1口是带内部上拉的双向I/O口,向P1口写入1时P1口被内部上拉为高电平,
可用作输入口。当作为输入脚时被外部拉低的P1口会因为内部上拉而输出电流。P1口每位可以能驱动4个LS型TTL负载。
P2.0~2.7 —— P2口是带内部上拉的双向I/O口,向P2口写入1时P2口被内部上拉为高电平,可用作输入口。当作为输入脚时,被外部拉低的P2口会因为内部上拉而输出电流。在访问外部程序存储器和外部数据时分别作为地址高位字节和16位地址,此时通过内部强上拉传送。当使用8位寻址方式访问外部数据存储器时,P2口每位可以能驱动4个LS型TTL负载。
P3.0~3.7 —— P3口是带内部上拉的双向I/O口,向P3口写入1时P3口被内部上拉为高电平,可用作输入口。当作为输入脚时被外部拉低的P3口,会因为内部上拉而输出电流。P3口每位可以能驱动4个LS型TTL负载。P3 口还具有以下特殊功能:
RxD(p3.0) —— 串行输入口 TxD(P3.1) —— 串行输出口 INT0(P3.2) —— 外部中断0 INT1(P3.3) —— 外部中断 T0(P3.4) —— 定时器0 外部输入 T1(P3.5) —— 定时器1 外部输入 WR(P3.6) —— 外部数据存储器写信号 RD(P3.7) —— 外部数据存储器读信号
RST —— 复位。当晶振在运行中只要复位管脚出现2个机器周期高电平,即可复位内部。有扩散电阻连接到Vss,仅需要外接一个电容到Vcc即可实现上电复位。
ALE —— 地址锁存使能。在访问外部存储器时,输出脉冲锁存地址的低字节,在正常情况下,ALE 输出信号恒定为1/6 振荡频率并可用作外部时钟或定时。 PSEN —— 程序存储使能。当执行外部程序存储器代码时,PSEN每个机器周期被激活两次。在访问外部数据存储器时,PSEN无效。访问内部程序存储器时,
图2-2 AT89C51封装引脚配置图 12
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PSEN无效。
EA/Vpp —— 外部寻址使能/编程电压。在访问整个外部程
序存储器时EA必须外部置低,如果EA为高时将执行内部程序,除非程序计数器包含大于片内
FLASH的地址。该引脚在对FLASH编程时,接5V/12V编程电压(Vpp),如果保密位1已编程,EA在复位时由内部锁存。
XTAL1 —— 反相振荡放大器输入和内部时钟发生电路输入。 XTAL2 —— 反相振荡放大器输出。
图2—7 Flash编程和校验的波形(高电平编程方式)
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