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1 项目设计方案
本设计的系统框图如下所示：
温度传感器 喇叭 LPC2478 uClinux Web服务器 图1.1系统框图
实施方案：
LPC2478 和 uCliunx 实现对 DS18B20温度传感器进行温度的采集，通过Web浏览器访问Boa Web服务器可以查看到温度的情况，然后在通过Web CGI对LPC2478板子上的DAC（DAC与喇叭连接）进行控制，来模拟对温度的控制。
用户用web浏览器访问板子的web服务器，然后发送命令对板子进行控制。 监测温度：将温度以网页的形式显示出来，网页每两秒刷新一次并监测温度，如果大于预设值则驱使DAC输出报警。
升加1°C：用户点击该按钮即可实现对DAC的控制，是喇叭发出声响，来模拟对温度的控制。
降低1°C：用户点击该按钮即可实现对DAC的控制，是喇叭发出声响，来模拟对温度的控制。这三者的频率都不一样。
WEB系统框图如下：
Web客户端监控
图1.2 WEB系统框图
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2 开发环境介绍
2.1 LINPO-PS LPC_2478介绍
LINPO-PS LPC_2478实验板是上海丰宝电子科技有限公司设计的ARM7系列实验板之一，采用了恩智浦公司基于ARM7TDMI-S内核、单电源供电、LQFP208封装的LPC2478，具有JTAG仿真调试，ISP编程等功能。
实验板上提供了一些键盘、数码管、LED、喇叭等常用功能部件，还具有RS232 接口电路、I2C 存储器电路、USB OTG和HOST电路、CAN总线电路、SD卡接口、I2S接口电路、CAN总线电路、LCD接口电路以及10M/100M以太网电路。另外，用户也可以更换兼容的MCU 进行仿真调试，如LPC2468、LPC2470等。还为用户引出I/O 接口以及地址和数据总线接口，极大地方便了用户进行32 位ARM 嵌入式系统的开发实验。
2.2 NORFLASH介绍
系统采用芯片AM29LV160DB是16位的存储宽度，因此芯片的A0～A19脚与总线的A1～A20脚连接。片选信号使用CS0，这样本片NOR Flash被配置为外部静态存储器的Bank0，其地址范围为0x80000000～0x801FFFFF。如下图所示：
图2.1
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2.2.1 AM29LV160DB简介
AM29LV160DB为2MB的NOR Flash芯片，使用电平为2.7V～3.6V，存取时间70ns，封装形式为48脚的FBGA或TSOP封装。
AM29LV160DB一共提供了35个扇区，其中4～34号扇区为64Kbyte或32Kword。对扇区的操作为字节模式或字模式。字节模式时，每个扇区的存储单元大小为8bit；字模式时，扇区的存储空间寻址范围小一半，但每个地址单元的数据大小为16bit。 2.2.2 AM29LV160DB的操作命令字
对NOR Flash存储器的数据读操作跟普通的RAM是一样的。但进行写、擦除、查询等操作时要使用写入组合命令字来实现。AM29LV160DB的命令字见下图。
图2.2
例如：当要查询芯片的生产厂商ID号时，在字模式下，前三个周期分别向地址0x555、0x2AA、0x555处写入数据0xAA、0x55、0x90，第四个周期从地址0处即可获得厂商ID。
2.2.3 Nor flash的映射
LPC2400系列芯片具备外部存储器接口，通过外部存储器控制器（EMC）可以扩展两组共8个Bank的存储器组（静态存储器bank0～bank3，动态存储器bank0～bank3）。对于外扩的FLASH（NOR）型，则可以使用LDR指令读取数据，但是不能使用STR指令直接写数据，而是需要根据FLASH芯片写操作时序进行控制，实现FLASH的擦除编程。
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2.3 Nand flash介绍
NAND Flash与总线的连接与SDRAM和NOR Flash的连接不同，地址线只用了A21和A22做时钟使能和地址使能信号，数据线只用8位作为IO线。分别与总线连接。片选信号使用CS1，这样本片NAND Flash被配置为外部静态存储器的Bank1，其地址范围为0x81000000～0x81FFFFFF。其硬件连接图如下：
图2.3
2.3.1 Nand flash芯片工作原理
Nand flash芯片型号为K9F2G08U0M，存储容量为256M ×8bit （256M字节），采用块页式存储管理。8个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。
芯片内部存储布局及存储操作特点
一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为： 1 Block = 64 Pages (128K + 4k) Byte 1 Page = (2K + 64)Bytes
1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages= (128K + 4K) Bytes
1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 2048 Blocks= 2112 Mbits=264MB
在每一页中，最后64个字节（又称OOB）用于Nand Flash命令执行完后设置状态。 重要芯片引脚功能 I/O0I/O7：复用引脚。
可以通过它向nand flash芯片输入数据、地址、nand flash命令以及输出数据和操作
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状态信息。
CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许。 ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许。 CE:芯片选择。 RE:读允许。 WE:写允许。
WP:在写或擦除期间，提供写保护。 R/B:读/忙输出。
2.3.2 Nand flash主要内设命令详细介绍
Nand Flash命令执行是通过将命令字送到Nand Flash控制器的命令寄存器来执行。 Nand Flash的命令是分周期执行的，每条命令都有一个或多个执行周期，每个执行周期都有相映代码表示该周期将要执行的动作。
主要命令有：Read 1、Read 2、Read ID、Reset、Page Program、Block Erase、Read Status。
详细介绍如下： 1. Read 1：
功能：表示将要读取Nand flash存储空间中一个页的前半部分，并且将内置指针定位到前半部分的第一个字节。 命令代码：00h 2. Read 2：
功能：表示将要读取Nand flash存储空间中一个页的后半部分，并且将内置指针定位到后半部分的第一个字节。 命令代码：30h 3. Read ID：
功能：读取Nand flash芯片的ID号 命令代码：90h 4. Reset：
功能：重启芯片。 命令代码：FFh 5. Page Program：
功能：对页进行编程命令, 用于写操作。
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