一、填空题（每空1分，共20分） 1、CPU，运算器（或算术逻辑单元） 2、-128,127
3、寄存器间接寻址 4、40，PSEN 5、80H，直接 6、高，0000H
7、20-33pF（在范围内都算对） 8、两
9、锁存器，上拉 10、B-AB，频率 11、异步
12、8，波特率
二、单项选择题（共20题，每题1分，共20分）
1~5、CACAD 6~10、ABDBB 10~15、DDAAD 16~20 BCCCD 三、简答题（共5题，每题5分，共25分）
1、系统上电瞬间，电容C上的电压很小，RST引脚为高电平（2分）；在电容充电过程中，RST引脚电位逐渐下降，当RST引脚电位小于某一特定值后，CPU即脱离复位状态（2分）；RST引脚高电平维持的时间>24机器周期即可复位（1分）。
2、fosc=12MHz，定时器计数脉冲频率为12/12=1Mhz,计数脉冲周期为1us（2分）;T0方式2为8位自动重装方式，其最大计时时间为28*1us=256us（3分）。 3、 参考答案之一
#include \分)
#define P8155 XBYTE[0x2000] //(2分) P8155 = 0xff;//（2分） 参考答案之二
#include \分)
XBYTE[0x2000] = 0xff；//（4分） 参考答案之三
*(( unsigned char xdata * )0x2000)=0xff;//(5分)
4、周期T=1/50=20ms（2分）,每位LED数码管显示时间为20/8=2.5ms（3分）。 四、程序分析题(共2题，每题10分，共20分) 1、
0xfd(2分) 0x50(2分) ES (2分) 1 (2分)
五、综合应用（20分） 1、
（1）图中电阻为限流电阻，限制流过lED发光二极管的电流约为10ma，其阻值大概为200
11
欧姆。（200-1K都算对）。（3分）
（2）准备好DINA和DINB相与1位数据，当CLK引脚产生上升沿的时候该位数据由Q0到Q7依次移入。（4分）
（3）DINA和DINB为逻辑与的关系，为串行数据输入端；CLR为清零信号，低电平有效。（3分） 2、
#include\
#define uchar unsigned char sbit SCL = P1^0; sbit SDA = P1^1; sbit DINB = P1^2； sbit CLR = P1^3； //以上3分
void so164(uchar chData) { uchar i,x; SCL = 0; x=chData;
for(i=0;i<8;i++) {
SDA = 0;
if((x&0x01 == 1)) SDA =1; SCL =1; x = x>>1; SCL = 0; } }
以上移位函数4分 void main() {
uchar x =0x55; DINB =1; CLR=1; so164(x); while(1)； }
//以上main函数3分
2012A卷
一、 填空题（每空1分，共20分）
1、+1000110B的反码是 ；-0110011B的补码是 。
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2、MCS-51内部RAM的 到 是位寻址区。
3、MCS-51单片机三总线包含 、 和 。 4、MCS-51单片机复位后，PC的值是 。
5、一个机器周期等于 个状态周期，振荡脉冲2分频后产生的时钟信号的周期定义为状态周期。
6、MCS-51单片机外部程序存储器的最大可扩展容量是 ，其地址范围是 。
7、若变量定义在pdata区，则间接寻址时采用的寄存器是 (Ri/DPTR)。 8、若有C51语句unsigned char temp，那么temp占用 个字节。
9、晶振频率是12MHz，定时器0在方式2下，硬件最长能定时的时间是 。 10、MCS-51的外部中断有触发方式，一种是低电平触发，另一种是 。 11、在串口实现多机通讯当中，一个主机最多可以带 个从机。 12、MCS-51单片机外接12MHz晶振，NOP指令执行的时间是 us。 13、定时器0当GATE位设置为0时，TR0= 开始定时。
14、ROM芯片2764的容量是 ，若其首地址为0000H，则其末地址 。
二、 单项选择题（共15题，每题1分，共15分）
1、变量定义为unsigned char bdata FLAG,下列说法错误的是（ ）
A、数据长度为8位 B、不允许字节操作
C、允许位操作 D、变量在内部RAM的20H~2FH
2、MCS-51系列单片机外扩存储器芯片时,4个I/O中作为数据总线的是（ ）。
A、P0口和P2口 B、P0口 C、P2和P3口 D、P2 3、访问外部数据存储器时，不起作用的信号是（ ）。
A、RD B、WR C、PSEN D、ALE
4. 如果当前工作寄存器区为0区，则工作寄存器R0的地址为：（ ） A、00H B、07H C、08H D、0FH 5、变量的存储器类型是指（ ）
A、变量在内存中的排列顺序 B、变量在程序执行过程中的作用范围 C、变量占用的物理空间大小 D、变量所处的存储区域
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6、要使无符号字符型变量a中的数高4位为0，低4位不变，则执行以下哪条语句：（ ）
A、a = a & 0x0F; B、a = a & 0xF0; C、a = a | 0x0F; D、a = a | 0xF0; 7、若定义： unsigned char x[5] ,*pb ; 则正确的赋值表达式是( )
A：pb=x； B：pb=x++； C：*pb=&x； D：*pb=*x[0]; 8、访问64K程序存储器区域的变量应声明的关键字为（ ） A、xdata B、idata C、code D、bdata
9．中断开启时，除了将各自的中断允许控制位置“1”外，仍然需要将（ ）置“1”。
A、ET0 B、EA C、ES D、ST2 10、中断服务子程序的返回指令为：（ ）
A、POP PSW B、POP Acc C、RET D、RETI
11、在片外扩展一片27128（16k*8bitROM），需要（ ）根地址线。 A、8 B、13 C、14 D、16 12、 以下能正确定义一维数组的选项是（ ）
A、int a[5]={0,1,2,3,4,5}; B、char a[]={0,1,2,3,4,5}; C、char a={‘A’,‘B’,‘C’}; D、int a[5]=“0123”; 13、使用宏来访问绝对地址时，一般需包含的库文件是（ ）
A、reg51.h B、absacc.h C、intrins.h D、startup.h
14、扩展存储器时要加锁存器74LS373，其作用是（ ）。
A、锁存寻址单元的低八位地址 B、锁存寻址单元的数据 C、锁存寻址单元的高八位地址 D、锁存相关的控制和选择信号 15、发光二极管的工作电流一般为（ ）
A、10μA B、40μA C、10mA D、40mA
三、简答题（共5题，每题5分，共25分）
1、简述时钟周期、机器周期、指令周期的概念及相互关系。
2、MCS-51外扩的程序存储器和数据存储器，共用16位地址线和8位数据线，可以有相同的地址空间，为什么两个存储空间不会发生冲突？ 3、写出C51的中断程序入口地址。
4、计算右图中使LED正常工作的限流电阻R的阻值，写出计算过程。
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5、定义如下变量
（1）、内部RAM直接寻址区无符号字符变量i； （2）、外部64K RAM的有符号整形变量x；
四、程序分析题(共10分)
1、程序改错（6分）
定义外部中断0的中断函数，如下所示，指出其中的三处错误。 unsigned int Flag;
unsigned int Int0(unsigned char para) interrupt 1 { Cnt++;
if(Cnt>10) { Cnt=0;
Flag=1; } }
2、以下指令执行后，PSW为：（共4空，每空1分，共4分）
MOV A, #10101110B ADD A, # 01111101B
Cy Ac OV P 五、编程题（10分）
MCS-51单片机外接晶振为12MHz，T0工作于方式1，产生50ms定时中断。补充下列函数，使P1.0产生1秒的方波。
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