7．一定电压作用下， 与 的关系称为光敏电阻的光电特性。因为它具有 性，光敏电阻不宜做测量元件。（光适量；光通量；非线）
8．每种光导材料制成的光敏电阻，对入射光的 具有选择性。对不同波长的入射光具有 的灵敏度。（光谱；不同）
9．光敏电阻的频率特性中的频率是指 。（光强度变化的频率）
第七章 电势型传感器及应用
§7—1 热电偶
复习思考题
1．解释热电效应、热电势、接触电势和温差电势？ 2．简述热电偶能够工作的两个条件？ 3．什么叫中间导体定律和标准电极定律？ 4．为什么热电偶中多用合金做热电极？
5．目前常用哪三种结构的热电偶？它们各自的特点是什么？ 6．简述热电偶测温原理？
7简述热电偶冷端处理的几种方式及其各自的特点？ 考试题
1．热电偶是用 组成 而成。当两个 处于 ，回路中便产生 。（两种不同半导体或金属；闭合电路；结点；不同温度时；热电动势）
2．热电势的大小仅与 的性质和 有关。热电势由 和温差电动势两部分组成。（导体材料；接触点温度；接触电动势）
3．热电偶有两个 极。测温时，置于被测温度场中的接点称 ，置于恒定温度场中的接点称 。（热电；热端（或工作端，测量端）；冷端（或参考端，自由端）
4．接触电势是互相利用的两种金属中，由于 不同，引起 产生的。 的金属，因 宏观上带正电； 的金属，因 宏观上带负电。（导体自由电子密度；自由电子扩散；电子浓度大；扩散失去电子；电子浓度小；得到电子）
5．温差电势是由于金属 引起 而形成的。 的一端为正极， 的一端为负极。温差电势一般比接触电势小得多。（两端温度不同；热扩散；温度高；温度低）
6．由A、B导体组成的热电偶，当引入第三导体C时，只要 ，则C导体的接入对回路 无影响，这就是中间导体定律。（中间导体的两端温度相同；总热电动势）
7．如果导体C分别与热电偶两个热电极A、B组成热电偶，且保持三个热电偶 分别相同时，则热电偶A、B的热电势 ，称为 。导体C通常用 制作。（两端温度；等于另外两个热电偶热电动势之差；标准电极定律；铂）
8．标准化热电偶国家已定型批量生产，同一型号的具有良好的 ，有统一的 ，并有与之 记录和显示仪表。（互换性；分度表；配套）
9．热电偶按本身结构形式划分有： 热电偶、 热电偶、 热电偶。（普通；铠装；薄膜）
10．普通热电偶的热电极是 金属丝，两热电极之间 ，为了防止有害介质侵蚀，工业上使用的热电偶一般都配有 。（一端焊接在一起两根；用绝缘管绝缘；保护套管）
11．铠装热电偶是将 、 、 组合在一起，经拉伸加工而成坚实的组合体，该元件做得 、 ，易于 适于狭小地点的温度测量。（热电极；绝缘材料；保护套管；很细；很长；弯曲；狭小地点）
12．薄膜热电偶是用真空蒸镀等工艺将 材料沉积在绝缘基片上形成 而成。它的测量端既 又 ，适于微小面积上的温度测量。（热电极；薄膜；小；薄；微小面积上）
13．热电偶的冷端处理方法有： 、 法、 法、 法。（0恒温；计算修正；电桥补偿；冷端延长）
14．0C恒温法是将热电偶的 埋入 的保温瓶中。该法是一个 较高的方法，但是只适用于 。（冷端；0C冰水混合物；准确度；实验室）
15．计算修正法是热电偶的冷端温度保持在某一温度tn条件下，热端温度为t时，测得热电势是 ，用 先查出E（TN，0），则计算得E（t，0C）= 。再用 查 得被测热端温度t值。（E（t，tN）；分度表；E（tN，0）；E（t，tn）+E（tn，0）；E（t，0）；分度表）
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16．电桥补偿法是当热电偶冷端温度变化时，对热电偶回路提供一个 ，其大小与 因 引起的变化相等，而 相反，达到自动补偿的目的，从而保证 不变。电桥补偿法是利用 电桥的输出电压，自动地补偿热电偶因 变化而引起 的变化。（附加电动势；回路热电动势；冷端tN变化；方向；热电回路输出；不平衡；冷端温度tN；热电动势）
17．冷端延长法是将 用 延长，将冷端引到 、 的地点去。当用于延长的电极的 与原来电极在低温区段的 时，就不会影响测量结果。当然，冷端延长法既不能使冷端温度 ，对热电偶回路内的热电势也 。（热电极（昂贵的热电极）；热电性能相近的导线（廉价的热电极）；低温；变化小；热电特性；热电特性相同或相近；恒0C；不能起温度补偿）
§7—2 光电池
复习思考题
1．解释光生伏特效应？
2．硒、硅光电池的工作原理是什么？
3．试述哂光电池光谱特性特点、硅光电池光电特性的特点？ 4．简述硅光电池温度特性特点？ 考试题
1． 的半导体表面上或 半导体上， 的现象，称为光生伏特效应。（镀有金属膜；相接触的两种不同类型；受光照射产生电动势）
2．光电池是基于 直接将 转换成 的一种有源器件。（光生伏特效应；光能；电能）
3．硒光电池是半透明的 与 接触的结合体，其分界面形成类似半导体PN结的 。它将光生电子、空穴对进行 ，使 集结电子， 集结空穴而产生 。（金属薄膜；P型硒半导体；阻挡层；漂移；金属薄膜；电动势（电位差））
4．硒光电池的 区段与 相近。它的 波长与 的灵敏度波长也相近。（光谱响应；人眼睛；最大灵敏度；人类正常视觉）
5．硅光电池是在N型硅片上渗入 形成一个 PN结附近 激
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发出光生电子、空穴对时，由PN结 将光生电子、空穴对进行漂移，使PN结两边半导体产生 。（P型杂质；大面积；光照射PN结区；阻挡层；漂移；电动势）
6．硅光电池的光谱 比硒大。它的光照度与短路电流的关系呈 ，光照度与开路电压的关系有 。使用硅光电池做测量变换元件时，最好使其工作在 。它在温度特性是指 与 随 的特性。（光波长；线性；饱和期；接近短路工作状态；短路电流； 开路电压；温度变化）
§7—3压电石英晶体和压电陶瓷
复习思考题
1．什么叫正、逆压电效应和纵向、横向压电效应？ 2．石英晶体X、Y、Z轴的名称及其特点是什么？ 3．简述压电陶瓷的结构及其特性？
4．比较、一下石英晶体和压电陶瓷各自的特点？ 5．压电元件的等效电路及其特点是什么？ 6．电荷放大器的特点是什么？ 7．压电元件的几种变形方式是什么？ 8．压电片叠在一起的特点及连接方式是什么？ 9．简述压电传感器的特点及应用？ 考试题
1．石英晶体和压电陶瓷多晶体具有 、 效应，利用它们的 效应制成了电势型传感器。（正；逆压电；正压电）
2．石英晶体的右旋直角坐标系统中，Z轴称 ，该方向上 压电效应；X轴称 ， 晶面上的压电效应 ；Y轴称 ，沿Y轴方向上的 。（光轴（中性轴）；没有；电轴；垂直于X轴；最显著；机械轴；受力面上不产生电荷）
3．沿石英晶片X轴加力，在力作用的 上，产生 电荷，承纵向压电效应。石英晶体压电式传感器中主要用 效应。它的特点是晶面上产生的 与 呈正比，而与 和 无关。（两晶面；异性；纵向压电；电荷密度；作用在晶面上压强；
晶片厚度；面积）
4．若沿石英晶体Y轴方向加压力，在 不出现电荷，电荷出现在 上，只是 相反，称横向压电效应。（受力的两个晶面上；沿X轴加压力的两个晶面；电荷符号；横向压电效应）
5．压电陶瓷是一种人工制造的 压电材料,它是由无数细微的单晶组成,他们都有自发形成的 。压电陶瓷又叫 。（多晶；单晶；极化方向；铁电体）
６．极化处理前的压电陶瓷材料对外不显 ，各向 ，不具有 。（极化方向；同性；压电特性）
７．极化处理后的压电陶瓷受到沿 的作用力时，其 随之改变，因而在 的平面上将出现电荷量的 。它的大小与压电陶瓷的 和 的大小成正比。（极化方向；剩余极化强度；垂直于极化方向；变化；压电系数；压力）
８．压电陶瓷的压电系数比石英晶体的 。所以采用压电陶瓷制作的压电是传感器，其 较高。但石英晶体的 性是其他压电材料无法比的。（大得多；灵敏度；稳定）
９．压电元件是一个电压很大的信号源，它可以等效一个 和一个 并联的等效电路。测量中要求与其它配接的放大器具有 和 。（电荷源；电容；高输入阻抗；低输出阻抗）
10．电荷放大器十一个 ，高放大倍数的 ，其输出电压至于压电元件 和 有关，而与配接的 无关。（电容负反馈；运算放大器；产生的电荷；反馈电容；电缆分布电容）
11．压电式传感器中，常把两片 的压电片叠在一起，其并联法是两压电片的 粘贴在一起， 在两边电极， 增加一倍，电容也增加一倍；其串联接法是两压电片的 粘在一起，因而上、下两极板的电荷量与 相同，总容量为 一半，输出电压 。（同型号；负极；正电极；电荷量；正极和负极；单片；单片时；增大一倍）
12．压电式传感器的压电元件，接受力和变形方式有 变形、 变形、 变形和 或 变形。其中应用最普遍的是 。（厚度；长度；面剪切；厚度剪切；厚度变形的压缩式和剪切变形的剪切式）
13．压电式传感器不能测量 被测量，更不能测量 。目前多用于 和动态的力或压力的测量。（频率太低的；静态量；加速度）
§7—4 霍尔元件