高频电子线路实验说明书
（3）DSB信号波形与载波波形的相位比较
在实验3（2）的基础上，将示波器CH1改接8TP01点，把调制器的输入载波波形与输出DSB波形的相位进行比较，可发现：在调制信号正半周期间，两者同相；在调制信号负半周期间，两者反相。 4.SSB（单边带调制）波形观察
单边带（SSB）是将抑制载波的双边带（DSB）通过边带滤波器滤除一个边带而得到的。本实验利用滤波与计数鉴频模块中的带通滤波器作为边带滤波器，该滤波器的中心频率110KHZ左右，通频带约12KHZ。为了利用该带通滤波器取出上边带而抑制下边带。双边带（DSB）的载波频率应取106KHZ。具体操作方法如下：
将载波频率为106KHZ，幅度300mv的正弦波接入载波输入端（8P01），将频率为4KHZ，幅度300mv的正弦波接入音频输入端（8P02）。按照DSB的调试方法得到DSB波形。将调幅输出（8P03）连接到滤波与计数鉴频模块中的带通滤波器输入端（15P05），用示波器测量带通滤波器输出（15P06），即可观察到SSB信号波形。在本实验中，正常的SSB波形应为110KHZ的等幅波形，但由于带通滤波器频带较宽，下边带不可能完全抑制，因此，其输出波形不完全是等幅波。 5．AM（常规调幅）波形测量 （1）AM正常波形观测
在保持输入失调电压调节的基础上，将开关8K01置“on”（往上拨），即转为正常调幅状态。载波频率仍设置为2MHZ（幅度200mv），调制信号频率1KHZ（幅度300mv）。示波器CH1接8TP02、CH2接8TP03，即可观察到正常的AM波形，如图2-15所示。
图2-15
25
高频电子线路实验说明书
调整电位器8W03，可以改变调幅波的调制度。在观察输出波形时，改变音频调制信号的频率及幅度，输出波形应随之变化。下图为用示波器测出的正常调幅波波形：
（2）不对称调制度的AM波形观察
在AM正常波形调整的基础上，改变8W02，可观察到调制度不对称的情形。最后仍调到调制度对称的情形。下图为用示波器测出的不对称调幅波波形：
（3）过调制时的AM波形观察
在上述实验的基础上，即载波2MHZ（幅度200mv），音频调制信号1KHZ（幅度300mv），示波器CH1接8TP02、CH2接8TP03。调整8W03使调制度为100%，然后增大音频调制信号的幅度，可以观察到过调制时AM波形，并与调制信号波形作比较。下图为调制度为100%和过调制的AM波形：
调制度为100%的AM波形 过调制AM波形
26
高频电子线路实验说明书
（4）增大载波幅度时的调幅波观察
保持调制信号输入不变，逐步增大载波幅度，并观察输出已调波。可以发现：当载波幅度增大到某值时，已调波形开始有失真；而当载波幅度继续增大时，已调波形包络出现模糊。最后把载波幅度复原（200mv）。 （5）调制信号为三角波和方波时的调幅波观察
保持载波源输出不变，但把调制信号源输出的调制信号改为三角波（峰—峰值200mv）或方波（200mv），并改变其频率，观察已调波形的变化，调整8W03，观察输出波形调制度的变化。下图为调制信号为三角波时的调幅波形：
6．调制度Ma的测试
我们可以通过直接测量调制包络来测出Ma。将被测的调幅信号加到示波器CH1或CH2，并使其同步。调节时间旋钮使荧光屏显示几个周期的调幅波波形，如图5-16所示。根据Ma的定义，测出A、B，即可得到Ma。
ma?
A?B?100% A?B27
高频电子线路实验说明书
BA图2-16
三．实验报告要求
1．整理按实验步骤所得数据，绘制记录的波形，并作出相应的结论。 2．画出DSB波形和ma?100%时的AM波形，比较两者的区别。 3．总结由本实验所获得的体会。
28
高频电子线路实验说明书
实验3 振幅解调器（包络检波、同步检波）
3-1 振幅解调基本工作原理
解调过程是调制的反过程，即把低频信号从高频载波上搬移下来的过程。解调过程在收信端，实现解调的装置叫解调器。
一．普通调幅波的解调
振幅调制的解调被称为检波，其作用是从调幅波中不失真地检出调制信号。由于普通调幅波的包络反映了调制信号的变化规律，因此常用非相干解调方法。非相干解调有两种方式，即小信号平方律检波和大信号包络检波。我们只介绍大信号包络检波器。 1.大信号检波基本工作原理
大信号检波电路与小信号检波电路基本相同。由于大信号检波输入信号电压幅值一般在500mV以上，检波器的静态偏置就变得无关紧要了。下面以图3-1所示的简化电路为例进行分析。
图3-1 大信号检波电路
大信号检波和二极管整流的过程相同。图3-2表明了大信号检波的工作原理。输入信号ui(t)为正并超过C和RL上的uo(t)时，二极管导通，信号通过二极管向C充电，此时uo(t)随充电电压上升而升高。当ui(t)下降且小于uo(t)时，二极管反向截止，此时停止向C充电，uo(t)通过RL放电，uo(t)随放电而下降。
充电时，二极管的正向电阻rD较小，充电较快。uo(t)以接近ui(t)的上升速率升
29