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2、MCU从模块读出数据
图3-3是单片机从显示器输出寄存器数据的通信时序图
图3-3 LCD读时序图
3.1.2.3 常用基本指令
常用基本指令如表一所示,
表一 常用基本指令
指令码 指令 RRDDDDDDDDS W B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 清屏 显示状态 开/关 0 功能0 设定 0 0 0 1 DL X RE
说明 将DDRAM填满“20H”,并且设定DDRAM的地址计数器(AC)到“00H” D=1:整体显示ON C=1:游标ON B=1:游标位置ON DL=1 (必须设为1) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 D C B X X RE=1: 扩充指令集动作 RE=0: 基本指令集动作
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设定CGR0 AM地址 设定DDR0 AM地址 读取忙碌标志0 (BF)和地址 写资料到1 RAM 0 0 1 AAAAAA设定CGRAM地址到地址计C5 C4 C3 C2 C1 C0 数器(AC) 0 4 AAAAAAAC6 C5 C4 C3 C2 C1 C0 设定DDRAM地址到地址计数器(AC) 读取忙碌标志(BF)可以确AAAAAAA认内部动作是否完成,同时1 BF C6 C5 C4 C3 C2 C1 C0 可以读出地址计数器(AC)的值 写入资料到 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 内部的RAM(DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM) 从内部RAM读取资料(DDRAM/CGRAM/ IRAM/G 读出1 RAM 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 3.2 DA模块
图3-4是DAC0832的内部结构图如图3-4所示,其引脚说明如下 ILE: 输入锁存允许信号, 高电平有效 CS:片选信号, 低电平有效 WR1:写信号1,低电平有效
当ILE、CS、WR1同时有效时, LE1=1,输入寄存器的输出随输入而变化,否则LE1=0, 将输入数据锁存到输入寄存器
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图3-4 DAC0832内部结构图
+5028CON8U1Cef+15r17BIT0C6VVILE192BIT1J4435BIT2Rfb944BIT3U2J3516BIT4Iout1112-+CON2615BIT5VOUT11714BIT6Iout2123+-V2813BIT7LM324_A11J512/CS1218WR1WR2/XREF17DD-15CON2NNGG30DAC08321
图3-5 DA转换电路
XFER:转移控制信号,低电电平有效 WR2:写信号2,低电平有效
XFER、WR2同时有效时, LE2=1,寄存器输出随输入而变化,否则LE=0,输入数据锁存到转换寄存器
将
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如图3-5所示的是DA转换电路,图中J3、J5分别是数据输入端和控制端口,在本设计中要用到两组DA转换电路而其数据口是并接在一起的,因此同控制WR1可以实现数据进入输入寄存器选择,控制WR2可实现数据进入转换寄存器的控制。通过DA转换后送运放LM324驱动再从CON2输出到后级调理电路。
3.3 基极、集电极电压源输出驱动电路
图3-6所示,是基极和集电极的前级驱动电路,该电路将从DA输出的电压信号从J1输入,经比例减法器调整并从J2输出。通过调整电位器RP1来调整输出电压的中点,调整R1、R2可以实现对减法器放大倍数的调整,因此该电路对基极和集电极都是适用的。
输出与输入的关系如式3-1,
Vo?-其中VA可通过RP1调整;
RESR1J121INRP1+1513AR3RES-15R4.RES12-OUT+LM324_D14U1J2OUT12R2 (VA-Vi) 式3-1;
R1RESR2 图3-6 基极和集电极的前级驱动电路
3.4集电极功放电路
在三极管的参数测量中,由于需要一个集电极偏置电压,并且还需要较大的电流(150mA)容量,如果直接将运放的输出作为偏置,那对运放的功率要求较高,就需要选用输出电流较大的运放,价格较贵,成本相对较高。图3-7是集电极功放电路,该电路是在前级采样普通运放的基础上将前级输出的电压信号进行
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VCCQ1TIP122J221CON2R15.1K328R424KA1OP07C5100PJ3CON212+-4R2R320KQ2TIP12710KVCC 图3-7集电极功放电路
电流放大,从而提高了输出电流。
其中,通过调整RW1可以调整电压放大倍数
3.5 V/I转换电路
由于在测量三极管的输出特性曲线需要一个精确的电流Ib,图3-8是V-I转换电路,将DA转换器输出的电压信号按一定的比例系数转换为电流信号。 如图3-5所示的电压-电流转换电路,由于引入了负反馈,U2构成同相和运算电路,U1构成电压跟随器,图中取R1=R2=R3=R4=R
U02=Up2
R4R4*UI?*Up2?0.5UI?0.5Up2
R3?R4R3?R4Up1?