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题号 题分 得分 一 二 三 四 五
得 分 评卷人 一、单项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其代码填入题干后的括号内。每小题2分，共20分）
1． 设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（ C ）
A. ISeU B. C. D. ISU/UT
2．等效电路法较适于解决的问题是 （ B ） A. 输入为高频时的情况 B. 输入输出均为小信号时电路的交流性能 C. 静态工作点的设置情况 D. 输出为大信号时的幅度与波形
3．集成运放制造工艺使得同类半导体管的 （ C ） A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好 D. 参数范围大。
4．当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（ A ） A.增大 B.不变 C.减小 D.视管子类型而变化不同
5．功率放大电路的转换效率是指 （ B ） A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 D．信号输入功率与输出功率的比值。
6．而所谓闭环是指 （B ） A．考虑信号源内阻 B．存在反馈通路 C．接入电源 D．接入负载
7．直流稳压电源中滤波电路的目的是 （ C ） A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
8．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 （ D ） A．电压串联负反馈 B．电流并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电压并联负反馈
9．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 （ B ） A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 C. 共模放大倍数增大
10．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 （ B ）
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适 得 分 评卷人 二、判断题（认为对的，在题后的括号内打“√”，认为错的打“×”。每小题2分，共10分）
1． 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （× ） 2．只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 （× ） 3．放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。 （× ） 4．阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。 (√ )
5．在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。 （√ ） 得 分 评卷人 三、填空题（每空2分，共20分）（五号黑体字）
1．为了稳定放大电路的输出电压，应引入 电压 负反馈。
? 右图所示放大状态晶体管各极电位，判断出a是 基 极，该管是 NPN 型 硅 材料管。 3． 已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用 带通 滤波电路 。
4．制作频率非常稳定的10MHz测试用信号源，应选用 石英晶体 正弦波振荡电路。 5．当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，增益下降 3 dB。 6．共模信号是两个输入端信号的 平均值 。
7．已知某放大电路的电压放大倍数为，则 1000 ，fL= 5 Hz。 得 分 评卷人 四、简答及作图题（每小题5分，共15分）
1． 画出P沟道增强型MOS管符号及交流等效模型。
P沟道增强型MOS管符号 (2分)
交流等效模型如图（3分）
2．已知电压比较器如图所示，UREF=-3V, R1=R2=5KΩ,UZ=6V uI=5sintV,求阈值电压及输出电压uo波形。
UT=-=3V (3分) 如图 (2分)
3.合理连线，构成5V的直流电源。
1接4，2接6，5接7、9，3接8、11、13，10接12。如图所示。
电路如图所示。
得 分 评卷人 五、分析计算题（1题15分，2，3题均为10分，共35分）
1. 电路如图所示，晶体管的＝100，（1）求电路的Q点；
（2）画出交流等效电路；
=100Ω。
（3）求、Ri和Ro；
（4）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：（1）静态分析：(6分)
（2）交流等效电路如图（3分）
（3）动态分析：（4分）
（4）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92 （2分）
2．在图示电路中,已知VCC=15V。 (1)R2、R3、D1、D2的作用是什么？
(2)若集成运放输出电压幅值足够大，T1和T2管的饱和管压降UCES可忽略不计,则电路的最大输出功率Pom和转换效率η为多少？
(3)为了提高输入电阻，稳定输出电压，且减小非线性失真，应引入哪种组态的交流负反馈？画出图来。
(4)若UI=0.1V时，Uo=5V，则反馈网络中电阻RF的取值约为多少？
（1）消除交越失真。
（2）最大输出功率和效率分别为
（3）应引入电压串联负反馈，如图 （4）
R1＝1kΩ，故Rf至少应取49 kΩ。
3. 如图电路，设A是理想运放，试求解：
1) 写出正弦波振荡电路振荡的平衡条件，试在图中用＋、－号标出运放A的同相端和反相端；
2) 说明振荡电路的四个组成部分各由哪些元件组成； 3) 写出正弦波振荡平衡条件，推导出Rw'的下限值；
4) 说明R为何种温度系数的热敏电阻才能起到稳幅作用； 5) 写出振荡频率的调节范围。
（1）上“-”下“+” 如图 （2分）
（2）A、R、Rf、R’w组成放大电路，R1 R2 C串并联电路组成正反馈网络和选频网络，无稳幅环节 （2分）
（3）根据起振条件AF>1, F=1/3 得出A>3 即。 （2分） (4) R为正温度系数的热敏电阻 （2分） （5）求解振荡频率的范围。
即 f omin < f 0 < f omax （2分）
西北民族大学电气工程学院期末考试
模拟电子技术试卷（C卷）
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