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………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… EFm Ec EFs Ei Ev 0.59 eV 0.29eV ρ x （1.5分） （1.5分） 1.
半导体中达到了平衡吗？为什么？（5分）
答：达到了平衡。因为半导体中EF处处相等（或EFn=EFp=EF，或np=ni2， 或J=0 ）。
2. 求出半导体Si-SiO2界面EF=Ei处的电子浓度？同时绘出与该能带图对应的定性电荷块图。
n0?Nce?Ec?EFkT?10e19?0.590.026?1.38?109cm?3
??(1分) (0.5分) (0.5分) 或
EFS?Ei10?ns?ni?1.5?10?cm??3
电荷块图见上图（评分标准在电荷块图下方）
3. 求出ND？（5分）
ND?Nce?Ec?EFkT?Nce?Eg?(EFs?Ev)kT?10e19?1.18?(0.29?0.59)0.026?9.68?1013?cm?3?
4. 写出VG详细表达式？（5分）
VG?V0?VB?V0?kT?NDln?q??ni??? 或VG?V0?VB ? 如果两个n型半导体构成的MOS结构除了器件1是Al栅，器件2是Au栅，其它参数都相同，将导致这两个MOS结构的高、低频C-V特性曲线发生什么定性变化？试绘出定性高、低频C-V特
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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
性曲线。已知WAl=4.25 eV，WAu=4.75 eV。（6分） （1）VFB(Al)<0, VFB(Au)>0
或：直接在C-V图中VG坐标上明确标出VFB(Al)位于VG坐标轴负方向（1分），VFB(Au) 位于VG坐标轴正方向（1分）
（2）判题时请注意，如果考生将两个C-V曲线分别绘在两个坐标图中，注意VFB(Al)是否位于VG坐标轴负方向（1分）、VFB(Au) 是否位于VG坐标轴正方向
Al栅C-V：2分（高频C-V 1分+低频C-V 1分） Au栅C-V：2分（高频C-V 1分+低频C-V 1分）
C Al栅（低频各1分） Au栅 （高频各1分） VFB(Al)
VFB(Au)
VG
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