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目录 宋体，小三号，居中 摘要 ·························································································································· Ⅰ Abstract ···················································································································· Ⅱ 第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） ······················ 1 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 ··················································· 1 1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 ··································································· 4 1. 3 掺杂和杂质特性 ·························································································· 12 1. 4 氮化物材料的制备 ······················································································ 13 1. 5 氮化物器件 ·································································································· 19 1. 6 GaN基材料与其它材料的比较 ··································································· 22 1. 7 本论文工作的内容与安排 ·········································································· 24 第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 ··················································· 31 2. 1 MOCVD材料生长机理 ··············································································· 31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 ·················································· 32
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结论 ························································································································· 136 目录内容：中文宋体，英文和数字Times New Roman，参考文献（References） ······················································································· 138 页码编号：摘要,Abstract使用页码“I,II,?”；正文开始使用页码“1,2,3,?”；小节标题左侧缩进1·致谢 ························································································································ 150
字符；页码数字居中对齐 小四 III
第一章 GaN基半导体材料及器件进展 章标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居中 第一章 GaN基半导体材料及器件进展
节标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居左 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓正文文字：中文宋体，英文Times New Roman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符，行距1.35倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前行距），段前0行，段后0行。 景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 ????
1．2 III族氮化物的基本结构和性质
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表标题置于表的上方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号，行距1.35。
表1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、?c和T0的值
带隙温度系数 样品类型 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3 ????
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Eg0(eV) 3.503 3.489 ? ~3.471 ?c (eV/K) T0 (K) 5.08?10-4 7.32?10-4 -7.2?10-4 -9.3?10-4 -996 700 600 772 参考文献 61 59 62 63 实验方法 光致发光 光致发光 光致发光 光吸收 dEg/dT(eV/K) T=300K -5.32?10-4 ? -4.0?10-4 -4.5?10-4 ????
???? 第一章 GaN基半导体材料及器件进展
图标题置于图的下方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号，行距1.35。 加热电阻 →气流 测温元件 测温元件
图1-1 热风速计原理
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第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺
第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺
2.1 MOCVD材料生长机理
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转换控制 频率信 号 源
频率设置 波形数据设置
图2-1 DDS方式AWG的工作流程
制 器 频率控 地址发生 器 波形存储 器 Ｄ／Ａ转换器 滤波器
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参考文献 标题：中文宋体，四号，居中 参考文献 [1] Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02 [2] Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-583． [3] 万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮Roman，四号，1.35倍行距，参考文献应在文电出版社，1990．302-307．
中相应地方按出现顺序标引。 参考文献内容：中文宋体，英文Times New [4] Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．1991-08-06． [5] Candy J C．A use of double-integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE
Trans Commun，1985，33(COM)：249-258．
[6] 丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．
常见参考文献格式： ①科技书籍和专著：编著者．译者．书名[M]（文集用[C]）．版本．出版地：出版者，出版年．页码． ②科技论文：作者．篇名[J]．刊名，出版年，卷号（期号）：页码． 作者．篇名．ⅹⅹ单位博（硕）论文，年． 参考文献必须标明文献类型标志：普通图书 M；会议录 C；汇编 G；报纸 N；期刊 J；学位论文 D；报告 R；标准 S；专利 P；数据库 DB；计算机程序 CP；电子公告 EB。电子文献载体类型标志：磁带 MT；磁盘 DK；光盘 CD；联机网络 OL。 - 138 -
致谢
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标题：宋体，四号，居中。 内容：宋体，小四，1.35倍行距，两边对齐。
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