第一章 光电材料与器件基础
非平衡载流子：注入方法、准费米能级；
PN结：PN结空间电荷区的形成过程；加偏压的PN结的能带图画法；PN结击穿（齐纳击穿、雪崩击穿）
金属-半导体结：肖特基势垒的形成过程；加偏压的肖特基势垒的能带图；欧姆接触
半导体异质结构：异质结定义；异质结的特性；量子阱；超晶格；量子阱和超晶格的异同
第二章 光电材料的生长与器件制备
外延生长；分子束外延；MBE系统的主要特点；MBE外延生长机理；MOCVD系统的主要特点；MOCVD生长过程的主要阶段；
第三章 LED
辐射复合与非辐射复合：辐射复合、非辐射复合；间接辐射复合的5种主要形式；等电子陷阱；俄歇复合；
LED的基本原理：LED的发光过程
LED的特性参数：I-V特性；外量子效率，内量子效率；LED设计成在P侧发光较为有利的原因；提高注射效率的途径；
LED的光取出原理及方法：减少材料吸收而产生的损失采取的措施；增加光取出效率的方法（增加内部量子效率、改进内部结构、改变表面结构及外形、基本
结构的改变）；
可见光LED：提高红光LED效率通常采用的方法；提高蓝光及绿光LED效率通常采用的方法；FC LED（结构如何，为什么要采用倒装技术）
UV LED：
白光LED：目前制备白光LED的三种主要方法（分析各种方法的优缺点）；
第四章 SOLAR CELL
太阳能发电的独特特点；光生伏打效应的物理过程（能带图）；太阳能电池的输出特性（电压-电流特性曲线、光电池的三个电流的产生、开路电压、短路电流、填充因子、等效电路）；太阳能电池的损失的影响因素；太阳能电池作用的四个基本功能；高效率化的具体技术
单晶硅太阳能电池：特点；电池片工程的三个过程；CZ法的几个主要过程；
多晶硅太阳能电池：薄膜晶粒的改善技术； 非晶硅太阳能电池：特点； III-V族太阳能电池：特性； CIS及CIGS太阳能电池：结构；
第五章 LASER
激光的特点（四点）；自发辐射和受激辐射的特点及区别；产生光放大的必要条件；构成激光器的基本思想；基本思想的实现；激光器的基本结构；对工作物质的基本要求；实现粒子数反转的内因和外因；谐振腔的作用；激光振荡的阈值条件；产生激光必须满足的条件；激光的基本特征。