第五章 半导体器件及应用(5)

2019-04-16 17:28

在图5-20(b)中,无光照时,由于光敏三极管VT1的暗阻很大,VT2管基极处高电位导通,继电器J得电动作,这样就实现了光电开关的暗控制。依上述工作原理,可开拓出许多实用性的光电开关电路。

第四节 晶闸管

在实际工作中,为了使整流器输出的直流电压能够根据需要进行调节,就要采用可控整流电路,晶闸管正是可以实现这一要求的可控整流元件。利用它进行交、直流电动机的调速,或用于随动系统或变频电源等电路。

一、晶闸管的结构和符号

晶闸管全称是晶体闸流管,又称可控硅,简称SCR,是一种“以小控大(电流)”的功率型器件,也是最基础的电力电子器件。其特点是耐压高、容量大、效率高、控制灵敏、体积小、重量轻、使用寿命长等优点。主要用于可控整流、逆变、调压、无触点开关及变频等电子电路。其主要缺点是过载能力和抗干扰能力较差,控制电路比较复杂等。

图5-21 晶闸管的外形与符号

(a)小电流塑封式 (b小电流螺旋式 (c)大电流螺旋式 (d)图形符号

常用晶闸管外形有塑封式、螺旋式和平板式。如图5-21(a)所示为小电流塑封式,图5-21(b)和(c)为螺旋式,图5-21(d)为晶体管的电路图形符号。

晶闸管的内部结构由四层半导体材料组成,即P型半导体和N型半导体交替构成,分别为P1、N1、P2和N2,如图5-22(a)所示;它们的接触面形成三个PN结,分别为J1、J2

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和J3;引出的三个电极分别为阳极A,阴极K和控制极G。为了说明晶闸管的工作原理,可将其看成是PNP和NPN两个三极管相连,如图5-22(b)所示;可等效为两个三极管,如图5-22(c)所示;晶闸管的符号如图5-22(d)所示。

图5-22 晶闸管的结构

(a)结构示意图 (b)结构分解图 (c)等效为三极管的电路图 (d)图形符号

二、晶闸管的工作原理

晶闸管在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源、负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。

下面介绍晶闸管的两种工作状态。 1.关断状态

(1) 晶闸管的阳极A和阴极K之间外加反向电压时,不管门极G承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。

(2) 当晶闸管的阳极A和阴极K之间加正向电压,而门极G不加电压时,J2处于反向偏置,管子不导通,仍处于关断状态。

2.导通状态

晶闸管的阳极A和阴极K之间外加正向电压,且晶闸管的门极G和阴极K之间也加正向电压,晶闸管才正向导通。

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如图5-23(a)所示,当晶闸管的阳极A和阴极K之间外加正向电压,且晶闸管的门极G和阴极K之间也加正向电压时,每个三极管的集电极电流同时又是另一个三极管的基极电流,如图5-23(b)所示。因此,对于两个互相复合的三极管电路,当有足够的门极电流流入时,就会形成强烈的正反馈,在很短的时间内(一般不超过几微秒),使两个三极管均饱和导通,晶闸管也就饱和导通了。当它导通后,门极G就失去控制作用,晶闸管依靠内部的正反馈始终维持导通状态。

因此,晶闸管的导通条件为:在阳极和阴极间加正向电压,同时在门极和阴极间加正向触发电压。若要关断晶闸管,就要减小门极电流或改变阳极与阴极的极性。

图5-23 晶闸管的工作原理 (a)实际电路图 (b)等效电路图

三、晶闸管的伏安特性

晶闸管的阳极、阴极间的电压u和阳极电流i以及控制极电流I之间的关系称为晶闸管的伏安特性。即:

i?f(u)IG (5-7)

若用曲线表示这种关系,则称为伏安特性曲线,如图5-24所示,曲线分为正向特性和反向特性两部分。

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图5-24 晶闸管的伏安特性曲线

1.正向特性

当u>0时,对应的曲线是正向特性曲线。由图5-24可看出,晶闸管的正向特性可分为关断状态OA段和导通状态BC段两个部分。当控制极电流IG=0时,逐渐增加正向电压u,观察阳极电流i的变化情况。当电压从零逐渐增加时,三个PN结中有一个为反向偏置,晶闸管处于关断状态,只有很小的正向漏电流。当电压加大到正向转折电压时,晶闸管突然导通,进入伏安特性的BC段。此时晶闸管可通过较大电流,而晶闸管的压降很小,这种导通方法极易造成晶闸管击穿而损坏,应尽量避免。若在门极与阴极间加上触发电压,则会降低转折电压(门极电流IG越大,转折电压就越低)。导通后,若电流降低到小于维持电流IH时,晶闸管将由导通变为关断。

2.反向特性

当u<0时,对应的曲线称为反向特性曲线。当晶闸管加反向电压时,三个PN结中有两个是反向偏置,只有很小的反向漏电流IR。反向电压增加到一定数值后,反向电流急剧增加,使晶闸管反向击穿,将这一电压值称为反向转折电压UBR。晶闸管的反向特性与二极管相似,此时,晶闸管状态与门极上是否加触发电压无关。

四、晶闸管的主要参数 1.额定正向平均电流IR

在环境温度小于40℃及规定的散热条件、纯电阻负载下,允许连续通过晶闸管的工频正弦半波电流的平均值。

2.维持电流IH

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在控制极开路和规定环境温度下,维持晶闸管导通的最小阳极电流。一般为几十毫安到一百多毫安。当晶闸管正向电流小于维持电流IH时,会自行关断。

3.触发电压UG

在室温下,阳极和阴极间加6V直流电压时,使晶闸管从关断变为完全导通所需的最小控制极直流电压。一般UG为1V~5V。

4.触发电流IG

在室温下,阳极和阴极间加6V直流电压时,使晶闸管从关断变为完全导通所需的控制极最小直流电流。一般IG为几十毫安至几百毫安。

5.正向转折电压UBO

在额定结温和控制极开路条件下,晶闸管从关断转为导通的正弦波半波正向电压峰值。

6.正向重复峰值电压UDRM

控制极开路的条件下,允许重复作用在晶闸管上的最大正向电压。一般UDRM为正向转折电压UBO的80%。

7.反向重复峰值电压URRM

控制极开路的条件下,允许重复作用在晶闸管上的最大反向电压。一般URRM为反向转折电压UBR的80%。一般把UDRM和URRM中较小的数值作为元件的额定电压。

除以上几个主要参数外,晶闸管还有其他参数,如:正向平均电压,控制极反向电压和浪涌电流等。

五、晶闸管分类及简介

按照关断、导通及控制方式分类:晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。

按照封装形式分类:晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。

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