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AEC-Q200试验条件： 说明：AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但是在高温工作寿命就需要，温度循环与温度衝击，其试验目的与手法不一样，在温度循环中高低温变化需控制温变率，温衝击则不用，偏高湿度就是俗称的高温高湿试验，而湿度抵抗就是湿冷冻试验
试验条件注意事项：1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测
高温储存(MIL-STD-202-108)：[适用设备：THS]
薄膜电容、网路低通滤波器、网路电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h 电感、变压器、电阻：125℃/1000h 变阻器：150℃/1000h
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：最大额定温度/1000h
高温工作寿命(MIL-STD-202-108)：[适用设备：THS] 网路低通滤波器、网路电阻：85℃/1000h
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定IL 钽电容、陶瓷电容：最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压 铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h
薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压) 自恢复保险丝：125℃/1000h
电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压 可变电阻：125℃/1000h/额定功率
变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流
陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
石英震盪器：125℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
温度循环(JEDEC22A-104)：[适用设备：TSR、ESS] 薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles 电感、变压器、变阻器、石英震盪器、自恢复保险丝：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
网路低通滤波器、网路电阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
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温度衝击(MIL-STD-202-107)：[适用设备：TC、TSK]
自恢复保险丝：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles 偏高湿度(MIL-STD-202-103)：[适用设备：THS]
钽电容、陶瓷电容：85℃/85%R.H./1000h/电压1.3～1.5V 电感&变压器：85℃/85%R.H./1000h/不通电 铝电解电容：85℃/85%R.H./1000h/额定电压
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压＆电流 电阻、热敏电阻：85℃/85%R.H./1000h/工作电源10% 自恢复保险丝：85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%
可变电容、可变电阻：85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%
网路低通滤波器&网路电阻：85℃/85%R.H./1000h/电压[网路电容(额定电压)、网路电阻(10%额定功率)]
变阻器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压85％+ma电流
石英震盪器、陶瓷共鸣器：85℃/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
薄膜电容：40℃/93%R.H./1000h/额定电压 湿度抵抗(MIL-STD-202-106)：[适用设备：THS]
薄膜电容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电
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