青岛理工大学毕业设计
实验过程中遇到了一个问题，MOS管总是被烧坏，在低压、小电流的情况下，情况比较良好，基本无尖峰电压。但是在高压、大电流（130V输入，380V输出）情况吸下，用示波器观察MOS管两端的电压发现，D-S之间存在很高的尖峰电压，这是导致MOS管损坏的原因，波形如下：
有图可知此时尖峰电压达到了171.85V，MOS管在这种情况下存在被击
穿的危险。
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当取RC中R=10C=20nf欧姆大功率，140V输入，380输出：
有图可知，MOS管在关断的过程中发生了震荡，究其原因：由于电阻存在一定的等效电感，与电容C发生LC震荡，因此应使用质量较好的无感电阻。
经过改进之后，在同样的电压、电流、负载、功率等级下选定RC参数如下，C=0.47nF，R=25欧姆：下图是在Ui=140V，Uo=380V，I=15A 情况下的电压电流的波形，发现波形比较标准，没有太大的尖峰电压或是尖峰电流，所以所选RC原件参数比较合理。
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下面看一下MOS管D-C两端的电压：
放大后的波形如下：
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由上图观察可知，在满足系统功率等级的情况下，所选RC吸收电路的参数符合产品的要求，能够在规定的电压、电流、功率、规定的开关频率下，使尖峰电压在允许的范围之内，是选用开关管的时候有了更大的余量，是产品更加的可靠，同时选用合适的管子降低了成本。 1.RC电容C偏大
电容端电压上升很慢，因此导致MOS管电压上升较慢，导致MOS管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上；另一方面电容过大，电容在一个开关周期所存储的能量很多，这些能量必须通过电阻释放，这就导致了电容所消耗掉的能量过多导致开关电源效率降低，同时电阻因为消耗太多能量而发热，因此对其需要进行散热，并且要增加其功率等级，增加了成本 。
2.RC电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）
电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RC电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。 3.RC电阻电容乘积R×C偏小
电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至MOS管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RC电路一样。 4.RC电阻电容乘积R×C合理，C偏小
如果参数选择合理，MOS管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和MOS管应力都很大。
实验波形如下所示：
4.7 检测采样电路
为保护单片机不受主回路的干扰，在它们之间进行电气隔离，本设计的检测采样电路中选用了线性光耦HCPL7800。HCPL7800结构简图如图4.9所示：
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图4.9 HCPL7800结构简图
HCPL7800工作带宽85KHz, 工作电压：VDD1 = +5V，VDD2 = +5V；最大输入电压：
U(Vin+－Vin-) = 200mV, 电压增益：8。
4.7.1 电压采样电路
电压采样电路如图4.10所示：
图4.10 电压采样电路
由图4.10知，光伏电池输出电压UPV经分压电阻后进入HCPL7800的输入端，再经HCPL7800的光隔和放大后输出，最后经差分放大电路放大后送入Atmega128单片机的AD0，由此可得式（4.9）、（4.10）、（4.11）。
Ua?R4（4.9） UPV
R3?R4