《模拟电子技术》复习题四参考答案
一、填空题
1．加宽，具有单向导电 2．0.7，0.5
3．正向，反向；＜0 4．变压器
5．共射和共集，共射；共集。 6．0.45；0.9
7．串联负反馈；直流负反馈；电流负反馈 8．100 二、选择题
1、C 2、C 3、C 4、B 5、B 6、C 7、B 8、A 9、C 10、C 三、判断题
1、√ 2、× 3、√ 4、× 5、√ 6、√ 7、× 8、√ 9、× 10、√ 四、分析计算题 1、
解：(1)电路为3级放大电路。第一级为共源极放大电路，第二级、第三极均为共射极放
大电路。
（2）引入电流串联负反馈。
uiuoR8???R7//RLR3?R5?R8 方法一：R3uo(R//RL)(R3?R5?R8)??7uiR3R8
uR(R?R5?R8)Auf?o??73uiR3R8如果 Auf?方法二：
?UR8R3fF???R8?R5?R3 IO?I1R?R5?R3Ag?O??8?FRRUi83
?U(R//RL)(R3?R5?R8)Auf?o??7?R3R8Ui 2、
解：(1)OCL乙类双电源互补对称功率放大电路
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理想情况下其效率可达78.5%。
1(Vcc?VCES)2?12W2RL(2)Pom= VCES=1V RL=6?
VCC－1=±12V VCC>0 VCC=13V
(3)
ICM?Vcc13V??2.17ARL6?
V(BR)CEO ≥2VCC=26V
3、
0?V?解：
R3?V??VoR4 （虚断）
?V??R31001Vo?Vo?Vo
R3?R4100?1002 （虚断）
Vi?V?V??0?R1R2
?V??R21001Vi?Vi?Vi
R1?R2100?1002V+=V－ （虚短）
?Vi?Vo 4、
VCC12??4mARC3K。
I?0,UCE?VCC?12V；N点坐标，
解：(1)M点坐标，C12Ib??75?A160K
在图上正确画出直流负载线，标明静态工作点Q。
UCE?0,IC?(2)过Q点做两条垂线，分别与坐标轴相交于一点。
3mA?2mA???5075?A?50?A得静态工作点的值：I=3mA,U=3V。。
CQ
CEQ
首先出现的是饱和失真。
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(4)应减少RB。（2分）
I?12VR?50?A,?R12BB?50?A?240KB。应为240K比较合适。 (5) 小信号模型。
ibuiRbrbe?RiCRLb
(6) r'??26be?rbbI?200?50?26?633? CQ3Ri?Rb//rbe?rbe?633? Ro?Rc?3k? (7) A?u???Rc//RLr??50?3//3??118 be0.633
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《模拟电子技术》复习题五
一、填空题
1．P型半导体中，以 导电为主。
2．场效应管属于 控制型器件，而晶体管 BJT 则是__ _ 控制型器件。
3．有一差分放大电路，Aud=100，Auc=0，ui1=10mV，ui2=5mV，则uid= ，输出电压，uic= u0= 。
4．已知放大电路加1mV信号时输出电压为1V，加入负反馈后，为了达到相同的输出需要加10mV输入信号。则反馈深度为
，反馈系数为
。
5．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 耦合三大类。 6．交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如下图所示，负载上获得的最大不失真输出电压的峰峰值是 V。
二、选择题
1．测得某硅晶体三极管的电位如图1所示，判断管子的工作状态是（ ）。 A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．击穿状态 2．本征半导体在温度升高后，（ ）。
A.自由电子数目增多，空穴数目基本不变； B.空穴数目增多，自由电子数目基本不变；
C.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同； D.自由电子和空穴数目基本不变。 3．某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（ ）。 A.P 沟道增强型MOS 管 B.P 沟道结型场效应管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管
4．如图3所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压u0 波形不失真，则应（ ）。 A．RC 增大 B．RB 增大 C．RB 减小 D．β增大
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图1 图2 图3 这说明放
大电路的输出电阻为（ ）。
A.10k? B.2 k? C.1 k? D.0.5 k? 6．电压放大倍数最高的电路是（ ）。 A.共射电路 A.基极电流
B.共集电路 C.共基电路
D.不定
7．三极管的电流放大系数由三极管的（ ）决定。
B.集电极电流 C.发射极电流 D.内部材料和结构
8．放大电路需减小输入电阻，稳定输出电流，则引入（ ）。
5．放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k? 的负载电阻后输出电压降为3V，
A.电压串联负反馈； B.电流并联负反馈； C.电流串联负反馈； D.电压并联负反馈。 9．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。
A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 D.便于使用
10．在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电压的（ ）倍。 A．1 B.2 C.1.5 D.0.5 三、分析题
1、三极管 BJT 放大电路中，测得一只 BJT 的三个电极的电位如下图4所示。试判断该 BJT 是 NPN 型还是 PNP 型？答： 。 是硅材料还是锗材料？答： 。
1—— ，○2—— ，○3—— 。 并判别出三个电极的名称。答：○
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