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《 模拟电子技术 》综合复习资料
第一章 常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda
[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.
NPN型硅管 PNP型硅管
NPN型锗管 2V 6V PNP型锗管 1.3V
1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是
2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大
C.截止
D.已损坏
3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大
小将是 [ C ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定
4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
5、二极管的主要特性是 [ C ] A.放大特性 B.恒温特性
C.单向导电特性 D.恒流特性 6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、 下列选项中，不属三极管的参数是 [ B ] A.电流放大系数β B.最大整流电流IF
C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM 8、 温度升高时，三极管的β值将 [ A ]
A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、 在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]
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A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]
A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P型半导体中，多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
四、 asdasdsafsdafsadfas
在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。
由此可知：
1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。 2、此晶体管的电流放大系数?约为 40 。 3、此晶体管的类型是 PNP 型（PNP或NPN）。
T ① l1 l2 ②
五、 sdasdasdasdasdasdasdas l3
测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极； （a）NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B (b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B 2估算(b)图晶体管的? 和 ? 值。 (a) ?=40 ?=40/41 (b) ?=60 ?=60/61
③ 六、asdasdasddasdasdasdas
判断各下图中二极管导通状态，并标出Uo的值。各二极管导通电压UD?0.7V。
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左图：D1 D3 D2导通D4截止 Uo=2.1V 右图： D2导通D1截止 Uo=-6V
七、asdsfdsagrayfghgdjdgfjh
电路如下图所示，若UI=10V，R=100?，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是
Izmin=5mA, Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。
解：满足两个条件： 1、稳压的条件：RL〉150?
2、电流条件满足：RL〉171? 且RL<600? 综合：RL〉171? 且RL<600?
八、 gfdhdgfhdfghdfhfgsdhsdfg
稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R=500?。试求： （1） （2）
解：（1）Ui?20V当Ui?20V当Ui?20V,RL?1K?时，U0?? ,RL?100?时，U0??
,RL?1K?稳压管稳压，
U0?5V
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（2）Ui?20V,RL?100K?稳压管不稳压，工作在反向截止状态，U0?3.3V
第二章 基本放大电路dsafffff 一、选择题
1、 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 [ C ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
2、在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将 [ C ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 3、 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是 [ B ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
4、在电路中我们可以利用 [ C ] 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路 5、 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 [ C ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
6、 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电
压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 [ A ]
A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 7、以下电路中，可用作电压跟随器的是 [ D ]
A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路
8、 晶体三极管的关系式iC=f(uBE)|uCE代表三极管的 [ B ] A.共射极输入特性 B.共射极输出特性
C.共基极输入特性 D.共基极输出特性
9、 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 [ B ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真
10、对于基本共射放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将 [ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 11、在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将 [ C ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
12、在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是 [ C ]
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A.共射放大电路 B.共基放大电路
C.共集放大电路 D.不能确定 13、 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是 [ B ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
四、ssssssssssssssssss
设下图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的?=50，rbb’=200?,UBEQ=0.6V,求：
1静态工作点ICQ、UCEQ 各为多少？ 2输入电阻Ri ,输出电阻Ro各为多少？ 3电压放大倍数Au为多少？
解：1、ICQ??(VCC?UBE)/R1 UCEQ?VCC?ICR2
2、Ri =rBE,输出电阻Ro=R2 3、Au???(R2//RL)/rBE
五、sssssssssssssssss
设下图所示电路中各电容对交流信号可视为短路， 晶体管的β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=0.6,求: 1.求静态工作点ICQ=?
2.该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少? 3.该电路的电压放大倍数Au为多少?