RE200B
RE200B是传感器的一种，RE200B采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，并配合双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。
参数
双元热释电红外传感器RE200B
灵敏元面积 2.0×1.0mm2 基片材料 硅 基片厚度 0.5mm 工作波长 7-14μm 平均透过率 >75%
输出信号 >2.5V(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益) 噪声 <200mV(mVp-p) (25℃) 平衡度 <20%
工作电压 2.2-15V
工作电流 8.5-24μA(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) 源极电压 0.4-1.1V(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) 工作温度 -20℃- +70℃ 保存温度 -35℃- +80℃ 视场 139°×126° 说明
该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。
1、上述特性指标是在源极电阻等于47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到最佳光学设计。
3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值
4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。 5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚.