4． 一个n型锗样品（施主密度Nd?1014cm?3），截面积为10cm，长为1cm。电子和空
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穴的寿命均为100?s。假设光被均匀地吸收，电子-空穴对产生率g=10/cm·s，试
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计算有光照时样品的电阻。（纯锗的迁移率数值：?n?3900cm2/V?s, ?p?1900） cm2/V?s。
5． 一个半导体棒，光照前处于热平衡态、光照后处于稳定态的条件，分别由图7（a） 和
（b）给出的能带图来描述。设室温（300K）时的本征载流子密度ni?1010cm?3，试根据已知的数据确定：
(1)热平衡态的电子和空穴密度n0和p0； (2)稳定态的空穴密度p；
(3)当棒被光照设时，“小注入”条件成立吗？试说明理由。
6． 如图8所示，一个很长的n型半导体样品，其中心附近长度为2a的范围内被光照射。
假定光均匀地穿透样品，电子-空穴对的产生率为g（g为常数），试求出小注入情况下样品中稳态少子分布。
第七章 半导体中的接触现象
1． 试推导出计算p?n结的电压电流关系式。
?22． 锗p?n结中p及n区的室温电阻率均为10??m时，计算p?n结的电势差。如果
电阻率变为10??m时，它的值又是多少？
?4?23． 在锗p?n结中300K时n型层的电阻率为10??m，p型层的为10??m。设电子
?4迁移率为0.36m/V·s,空穴迁移率为0.17m/V·s,在热平衡时结电势VD等于0.5V，求出势垒厚度（??16 ）。
?4?24． 在Ge突变结中，p区电阻率为10??m，n区的为10??m，热平衡时势垒高度
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为0.5V，??16，结面是直径为0.15mm的圆，试求出这时的结电容。如果加3V反向偏电压时，它的电容是多少？
第八章 半导体表面
1． 对于由金属/氧化物/n型半导体构成的理想MOS结构：
（1）分别画出积累层和耗尽层的能带图；
（2）画出开始出现反型层时的能带图，并求出开始出现反型层的条件； （3）画出开始出现强反型层时的能带图，并求出开始出现强反型层的条件。 2． 对于n型半导体，利用耗尽层近似，求出耗尽层宽度xd和空间电荷面密度Qsc 随表
面势Vs变化的公式。 3． 利用载流子密度的基本公式 n?Ncexp(?Ec?Efk0T) 和p?Nvexp(?Ef?Evk0T) ，
证明在表面空间电荷区中，载流子密度可以写成：
eV(x)eV(x)p(x)?p0exp[?]n(x)?n0exp[]， k0T
k0T其中no和p0是体内的电子和空穴密度，V(x)是表面空间电荷区中的电势。 4． 一个n型硅样品，电阻率为3??cm，试在开始出现强反型时，求出表面空间电荷区
中恰好为本征的位置与空间电荷区边界的距离。硅的相对介电常数?s?12，
?n?1350cm2/V?s。
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