AGP总线的发展经历了AGP1X、AGP2X、4X、8X等阶段。AGP总线工作时钟频率为66MHZ，位宽为32位。1X模式带宽为266MB/S（66MHZ*32bit/8）；2X模式采用双脉冲沿数据传输技术，每时钟周期可传输2次数据，带宽增加至533MB/S（2*66MHZ*32bit/8）；4X和8X模式采用了在每时钟周期传输4次和8次数据的方式（等效是提高了AGP总线工作频率），带宽分别增加至1GB/S（4*66MHZ*32bit/8）和2.1GB/S（8*66MHZ*32bit/8）。
AGP8X是INTEL公司新发布的图形端口规格，得到了ATI、NVIDIA、Matrox等全球主要图形卡芯片供应商和显示卡制造商的支持。AGP8X需要内存提供大量的数据，将主要应用在Pentium4系统上，原因是Pentium4主板支持Rambus或DDR高速内存，内存总线能提供3.2GB/S的带宽，能够把AGP8X的性能发挥到极限。
特注：▲AGP有一个复位脚、一个时钟脚，8根A线（地址线），32根D线（数
据线）。供电为：3.3V、5V、12V。
▲AGP数据线的对地阻值相互间可误差范围为15欧姆。 ▲AGP地址线的对地阻值相互间可误差范围为10欧姆。 ▲AGP的时钟是北桥输出。
▲AGP的复位与PCI的复位相通。
▲在检查AGP时，注意所选用的AGP显卡是几X的。
▲1X、2X电压为3.3V，针脚为124PIN；4X电压为3.3V（个别为1.5
V），针脚为132PIN；8X电压为1.5V，针脚为132PIN，（个别为124PIN）。12V辅助电压。
4、 内存储器
内存储器简称内存，用于存放当前待处理的信息和常用信息的半导体芯片。容量不大，但存取迅速。
★内存包括RAM、ROM和Cache。 RAM：随机存储器
RAM是电脑的主存储器，人们习惯将RAM称为内存。RAM的最大特点
是关机或断电数据便会丢失。（内存越大的电脑，能同时处理的信息量越大）。
586电脑常用的RAM有EDO RAM（动态内存）和SDRAM（同步动态内
存）。
DDR SDRAM(SDRAMⅡ)为双速率内存. R DRAM(RAM BUS DRAM)
注:72线内存为5V电压,168线内存为3.3V,184线为2.5V. 168线内存糟只有时钟没有电压.
168 线 DIMM 引脚（底 视 图） 1 GND 2 数据线 3 数据线 数据线 数据线 VCC GND 数据线 数据线 数据线 数据线 VCC 4 数据线 5 数据线 1 数据线 2 数据线 3 数据线 4 数据线 5 数据线 6 CB4 7 GND 8 NC 9 CAS 10 DQM5 11 RAS 12 地址线 13 地址线 14 地址线 15 地址线 1 CLK 2 GND 3 CS3 4 DQM7 5 VCC 6 空脚 7 CB7 8 数据线 9 数据线 10 VCC 11 空脚 12 空脚 数据线 数据线 GND 数据线 数据线 VCC 数据线 CB5 空脚 VCC DQM4 CS1 GND 地址线 地址线 BA0 VCC 地址线 CKE0 DQM6 GND 空脚 CB6 GND 数据线 数据线 数据线 VREF GND 数据线 数据线 数据线 数据线 数据线 数据线 数据线 CB0 GND 空脚 /WE DQM1 D/C 地址线 地址线 地址线 BA1 VCC GND CS2 DQM3 VCC 空脚 CB3 数据线 数据线 VCC 空脚 CKE1 数据线 数据线 GND 数据线 数据线 VCC 数据线 CB1 空脚 VCC DQM0 CS0 GND 地址线 地址线 A10/AP VCC CLK DC DQM2 DC 空脚 CB2 GND 数据线 数据线 数据线 VREF GND 13 数据线 14 数据线 15 数据线 16 数据线 17 VCC 18 数据线 19 数据线 20 CLK 21 SA0 22 SA2
数据线 GND 数据线 数据线 数据线 数据线 GND 空脚 SA1 VCC=3.3V 数据线 数据线 数据线 数据线 VCC 数据线 数据线 CLK 空脚 SCL 数据线 GND 数据线 数据线 数据线 数据线 GND 空脚 CDA VCC 常 见 SDRAM 编 号 识 别
一、在选购SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包
括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
1）世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： ▲ HY HYUNDAI ------- 现代 ▲ MT Micron ------- 美光 ▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 ▲ HM Hitachi ------ 日立 ▲ MB Fujitsu ------ 富士通 ▲ TC Toshiba ------ 东芝 ▲ KM Samsung ------ 三星 ▲ KS KINGMAX ------ 胜创 1)内存芯片速度编号解释如下:
★-7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. ★–75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. ★–8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★–7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. ★–10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. 3) 编 号 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M. dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。 ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2)HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ.
2、IDE 顶 视 图（注：DD为数据线） 引脚 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 IDE信号 Reset DD7 DD6 DD5 DD4 DD3 DD2 DD1 DD0 GND DMARQ DIOW DIOR IORDY DMACK INTRQ DA1 DA0 CSO 引脚 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 IDE信号 GND DD8 DD9 DD10 DD11 DD12 DD13 DD14 DD15 KEY(空脚) GND GND GND ALE 允许 GND IOCS16 PDIAG DA2 CSI 39 3、FDD 顶 视 图 引脚 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 DASP 信号 GND 保留 GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND 40 引脚 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 GND 信号 Redaced write(0) Head load(I) FDHDIN Index(0) Motor enadle 1(I) Drive select0(I) Drive select1(I) Motor enadle0(I) Driect select(I) Step(I) Write data(I) Write enable(I) Track0(0) Write protect(0) Read data(0) Head select(I) Disk change(0) 注：“0”表示来源于驱动器的信号。 “I”表示来源于接口控制器的信号。 七、 B I O S
1、BIOS ： 基本输入输出系统（属软件） 2、BIOS与CMOS的区别：
CMOS是互补金属氧化物半导体的缩写，具有低功能耗持性，计算机的BIOS就是存储在由它所制成的ROM或EEPROM，所以CMOS是纯粹的硬件。
把写入了BIOS程序的CMOS存储器统称为BIOS。 3、
Mask Rom 掩膜性、不能修改。
Prom 可编程Rom ROM
Eprom 紫外线
可擦除Prom EEProm 电可改写（12V写，5V读）