五邑大学本科毕业设计
摘 要（黑体小二）全文1.5万字左右
（小四）（300字左右）锁相回路跟我们生活息息相关，目前较先进的一类是可以用在机顶盒，数字电视，家庭网关，消费应用中的能带来多种效益的可程序化的锁相回路，锁相回路在集成电路应用方面功能越来越优化和广泛，………..。
可使用在各种类比及数位系统上，特别是电机的速度控制系统中, 能够实现稳态精度很高的转速控制，还有通讯架构中的频率再生器、无线通讯系统中的频率合成器、及讯号解调系统，随着超大集成电路制造技术不断地进步，目前的锁相回路大部分还是单晶片系统设计(system on a chip design) 。所以锁相回路已成为继运算放大器之后，又一个用途广泛的多功能集成电路。随着便携式电子大幅应用,功率消耗变为主要的考虑,本论文主要在提出低功率的锁相回路。
关键词 锁相回路；低功率；相位误差（3-5个）
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Abstract
Flash memory cells require high voltage for program and erase operations. These high voltages are generated by charge pump circuits with low supply voltage. Therefore charge pumping circuit is one of the most important peripheral elements in flash memory. In recent years, portable electronic products to meet the popular demand of embedded flash become the key interest of researches and memory design house. Using standard low-voltage logic IC process, no high voltage devices are available. This creates a problem for the conventional charge pumping circuit, which allows high voltage across transistor terminals.
This thesis provides one new charge pump circuit to solve this issue. It uses serial connected capacitors to control voltage difference between device terminals to less than 2Vdd. The new circuit fabricated in single well process can provide the high voltage for Flash memory operation and does not suffer from junction or gate oxide breakdowns. In order to avoid body effect, PMOS devices are adapted, which allows body, drain and gate to be tired together to overcome body effect. Higher output voltage and higher efficiency of the new circuit configuration are demonstrated. Optimization of the channel width, stage and output voltage for various Flash cell operation are presented.
Key words charge pump circuits; embedded flash; gate oxide breakdown
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目 录（黑体小二）
摘要 （小四黑体） ........................................................................................................................ I Abstract (粗体：Times New Roman) .......................................................................................... II
第1章 绪论（小四黑体） ........................................................................................................... 1
1.1 研究背景及意义 （宋体小四，行距18，只到第3级标题，即□.□.□） ............ 1 1.2 国内外研究现状 ............................................................................................................. 1 1.3 设计内容与要求 ............................................................................................................. 1 第2章 升压电路理论与回顾 ....................................................................................................... 3 2.1 升压电路的基础 ............................................................................................................. 3
2.1.1 MOS基本操作原理........................................................................................... 3 2.1.2 MOS-diode基本操作原理 ............................................... 错误！未定义书签。 2.2 狄克森升压电路 ........................................................................... 错误！未定义书签。
2.2.1 狄克森升压电路的架构说明 .......................................... 错误！未定义书签。 2.2.2 狄克森升压电路的操作说明 .......................................... 错误！未定义书签。 2.2.3 狄克森升压电路的电性分析 .......................................... 错误！未定义书签。 2.3本章小结 .......................................................................................................................... 3 第3章 新型升压电路的最佳化与比较 ....................................................................................... 4 3.1新型升压电路的最佳化 .................................................................................................. 4
3.1.1 传导电晶体的宽度对改良式新型升压电路的影响 ........................................ 4 3.1.2 输出电流对互补式新型升压电路的影响 ........................................................ 4 3.1.3 电容大小与层级多寡对互补式新型升压电路的影响 .. 错误！未定义书签。 3.2 互补式新型升压电路在低输入电压下的性能表现 ..................................................... 6 3.3 本章小结 ......................................................................................................................... 6
结论（小四黑体） ......................................................................................................................... 8 参考文献 ....................................................................................................... 错误！未定义书签。 致谢...............................................................................................................................................30
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第1章 绪论（黑体小二）
1.1 研究背景及意义 （黑体小三）
（页面设置：上下左右页边距分别为2.5cm、2.0cm、2.5cm、2.0cm。宋体小四，行距18磅，数字英文：Times New Roman）由于近年来，携带型个人电子产品，如手机、PDA等等急剧的增加，而这类的产品通常必须具有即使关机数据也不会流失的特性。如此一来，使得闪存的使用率大幅提升，而于是降低使用电压和增加电力使用效率的重要性便越来越高。
在本篇论文之中，将提出一种新型的升压电路，使得在互补式金氧半导体单井制程下的晶体管每一端点的电压都可以避免接面崩溃或门极到通道崩溃的情形发生，并且可以应用在快闪式内存写入或抹去时通道热载子注入或福乐-诺汉穿隧效应导致电子注入所需要的高电压。
1.2 国内外研究现状 （黑体小三）
在1976年，狄克森提出了新型升压电路的架构[1]，同时也对此升压电路作了完整的分析，同时这篇文章也成为升压电路领域中，十分重要且基本入门导读。狄克森升压电路结构图，整个升压电路的4个主体为N型金氧半导体以及电容。电容的一端与N型金氧半导体的汲极相接，另一端与振荡波形产生器相接，借由电容将电压耦合至N型金氧半导体的汲极，再借由N型金氧半导体将电压传导致下一个N型金氧半导体的汲极。
而传统的升压电路架构中，主要是靠着金氧半导体的通道来导通电流，以及传递电压。由于旧型的金氧半导体组件或二极管升压电路大都是运用三井的制程以及较厚的氧化层来隔绝升压电路所产生的高电压，使得接面崩溃电压与闸极到通道崩溃电压都比一般在逻辑制程单井下的互补式金氧半导体来的大的多。
1.3本文主要研究内容（黑体小三）
1.3.1 MOS（黑体四号）
针对狄克森升压电路在只有逻辑组件单井CMOS制程下，无法克服高压所带来的崩溃现象，提出一种使用PMOS-Diode和P型金氧半导体电容所组成的新型升压电路架构，能将所有的节点电压都控制在一个输入电压的范围，成功避免了组件崩溃的可能性。为提高电路的操作速度，又提出改良式新型升压电路。为了操作高电压时能有电压输出，又提出互补式新型升压电路。
1.3.1.1 输出电流对互补式（黑体小四）
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同时，我们将要对提出的互补式新型升压电路做最佳化的设计，同时更深入了解改良式新型升压电路的特色与探讨在各种情形下改良式新型升压电路的效能表现，并以狄克森升压电路的效能表现以作为互补式新型升压电路的比较基准升压电路的效能表现以作为互补式新型升压电路的比较基准升压电路的效能表现以作为互补式新型升压电路的比较基准升压电路的效能表现以作为互补式新型升压电路的比较基准升压电路的效能表现以作为互补式新型升压电路的比较基准升压电路的效能表现以作为互补式新。
a) b) 图1-1 NMOS的电路图
a)为OS的电路图；b)为OS的电路图（五号）
1.4本章小结
本章将提出一种新型的升压电路，使得在互补式金氧半导体单井制程下将提出一种新型的升压电路，使得在互补式金氧半导体单井制程下将提出一种新型的升压电路，使得在互补式金氧半导体单井制程下将提出一种新型的升压电路，使得在互补式金氧半导体单井制程下将提出一种新型的升压电路，使得在互补式金氧半导体单井制程下将提出一种新型的升压电路。
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