模拟电子技术基本练习题(解) - 图文(3)

2019-06-11 14:09

(A) 350~560Ω (B)280~933Ω (C) 560~933Ω (D)280~560Ω

33.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( B )。(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

34.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( A )。(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

36.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( C )。

(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

37.甲乙类互补功率放大电路如图所示,图中D1、D2的作用是消除( C(A)饱和失真 (B)截止失真 (C)交越失真 (D)频率失真

38.如图所示功率放大电路,已知VCC=20V,RL=8Ω。该功率放大器的最大输出功率为( D )。

(A) Pom=25W (B) Pom=50W (C) Pom=15W (D) Pom=6.25W

39.LC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件( C )。

(A) (B) (C) (D)

40.RC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件( A、D )。

(A) (B) (C) (D)


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