Indium-Tin-Oxide Target
氧化铟锡(ITO)靶材项目
调研报告
二〇一一年十二月
0
1
目 录
1.市场部分……………………………………………………2 1.1 透明导电ITO薄膜的性能………………………………2 1.2用途现状…………………………………………………31 1.3应用及发展趋势…………………………………………90 1.4产量及市场需求量……………………………………100 2.工艺技术部分……………………………………………109 2.1生产工艺………………………………………………109 2.2技术指标………………………………………………114 2.3技术水平………………………………………………118 3. 经济部分………………………………………………123 3.1项目规模………………………………………………123 4.国内主要靶材生产企业、联系方式…………………129 5.国外主要靶材生产企业、联系方式…………………139 6.中国内地平板显示产业的前景…………………………145 附件1 三井公司MMF法ITO靶材技术生产工艺简介……157 附件2比兹依斯普有限公司(英国)ITO靶材工艺简介……168
（本报告谨以个人视角浅显对ITO靶材国内外状况，客观提出看法和意见，仅供参考）
2
1.市场部分
1.1 透明导电ITO薄膜的性能
1.1.1 ITO薄膜的结构
氧化铟锡（Indium-Tin-Oxide,ITO）的分子量277.64，密度7.179，熔点1565℃，在10Torr 真空下的蒸发温度为600℃。
-4
（a） 非晶ITO （b）结晶ITO
图1.1.1.1 ITO的结晶结构
ITO(In203:Sn02=9:1)的微观结构（如图1.1.1.1所示），
3
In203里掺人Sn后，Sn元素可以代替In203，晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In203中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成10～10cm的载流子浓度和10～30cm
20
21
-3
2
／vs的迁移率（载流子浓度超过这个值则电子迁移率反而会下降）。该机理提供了在lOΩ〃cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。
-4
图1.1.1.2 SnO2中电荷载体的形成（氧气空穴释放的2个电子）
图1.1.1.3 ITO靶材SME（10000倍）照片 试验多用钨舟或铂舟加热蒸发，也用Al2O3坩埚加热蒸发法制备ITO薄膜，采用电子束加热蒸发效果较好。工业化是用磁控溅射法在玻璃基板上溅镀大面积ITO薄膜，如液晶
4