一、选择题：
* 10101001 常温下单晶半导体中就存在着一定数量的电子一空穴对。
( )
□10101002 空穴参与导电，是半导体区别于其他导体导电的一个重要特
点。 （ ）
□10101003 空穴的导电过程实质上是电子向一个方向连续填补空穴的运
动。 （ ） ＊10101004 在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （ ） 10102005 在纯净的半导体中掺入某些微量杂质元素可使半导体的导 电性能显著增强。 ( ) 10103006 在硅或锗晶体中掺入五价元素可形成P型半导体。 ( ) 10103007 在硅和锗晶体中掺入三价元素可形成N型半导体。 ( ) □ 10103008 在Ｐ型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载
流子。 （ ）
＊10103009 在Ｎ型半导体中，电子是多数载流子，所以Ｎ型半导体带负 电。 （ ）
□10104010 当Ｎ型和Ｐ型半导体结合在一起时，由于浓度差的存在，使
Ｐ区的电子向Ｎ区扩散，使Ｎ区的空穴向Ｐ区扩散，这称为多数载流子的扩散运动。 （ ）
□10104011 将Ｐ区接电源正极，Ｎ区接电源负极，此时ＰＮ结处于反偏
状态。 （ ）
□10104012 ＰＮ结正偏时，多数载流子运动加剧，形成较大的正向电流。 （ ） 10104013 PN结反向偏置时内电场削弱，阻挡层变薄，电阻变小。 ( ) 10104014 PN结正向偏置时内电场增强，阻挡层变厚，电阻变大。 ( ) 10105015 PN结的单向导电性就是指它正偏导通，反偏截止的特性。 ( ) * 10105016 PN结反向偏置时，反向电流随着反向电压增大而增大。 ( )
□10201017 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（ ） □10201018 晶体二极管的正向导通后，随电流的增大电压也成比例 地上升。 （ ）
* 10201019 晶体二极管是线性元件。 ( )
10201020 硅二极管的死区电压是0.2V，锗的死区电压是0.5V。 ( )
10201021 晶体二极管正常工作时的管压降都是0.7V。 ( ) 10201022 晶体二极管加上正向电压后就会导通。 ( ) * 10201023 晶体二极管一旦反向击穿就不能再使用。 ( )
10201024 晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。 ( ) 10201025 二极管具有单向导电性。 ( )
□10202026 由二极管的单向导电特性可知，它的正向电阻小，反向电阻
大。 （ ） * 10202027 二极管的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。 ( ) □10203028 点接触型晶体二极管允许通过电流大于面接触型晶体二极
管。 （ ） 10203029 小电流的二极管常用玻璃壳或塑料壳封装；电流较大的二极管
常用金属外壳封装。 ( ) ＊10204030 用机械万用表测二极管正向电阻时，应将万用表的红表棒接 二极管的正极，黑表棒接二极管的负极。（ ） 10204031 用万用表测得一个二极管的正反向电阻都是无穷大，则 二极管已经短路。 ( )
□10205032 硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小，所以硅二极管的温 度特性比锗二极管好。（ ）
10205033 在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。 ( )
□10206034一般取击穿电压的一半作为晶体二极管的最大反向工作电压。 （ ） □10206035 晶体二极管反向击穿后立即烧毁。（ ）
* 10206036 把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管
两端，此二极管就会被击穿。 ( ) 10206037 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小； 当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。 ( ) 10206038 如果二极管的正反向电阻都很大，则该晶体二极管已被击穿。 ( )
＊10220039 在图一所示电路中，晶体二极管为硅管或锗管均不能导通。 （ ）
□10301040 晶体三极管由二个ＰＮ结构成，晶体二极管由一个ＰＮ结构
成， 所以可以由二个晶体二极管构成一个晶体三极管。 （ ）
□10301041 晶体三极管有两个ＰＮ结，因此它具有单向导电性。（ ） * 10301042 NPN型三极管处于放大状态时各极电位关系应满足UC＞UB＞
UE。 ( ) * 10301043 PNP型三极管的各极电位关系为UC＞UB＞UE，则该三极管处
于截止状态。 ( ) * 10301044 一个PNP型硅三极管各极对地电位为：4V、4.3V、3.6V，则
该三极管工作在饱和状态。 ( ) □10302045 常温下，硅晶体三极管的ＵBE约为0.7V，且随温度升高而增大。
（ ） □10302046 在晶体三极管发射结上加正偏电压时，就会产生基极电流。
（ ） 10302047 三极管输入特性是指三极管的集电极和发射极之间的电压一
定，加在基极和发射极之间的电压和基极电流之间的关系曲线。 ( )
□10303048 晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结正偏,发射结反
偏。 （ ）
10303049 晶体三极管的输出特性可分为三个区域：截止区、放大区和
饱和区。 ( ) 10303050 在三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于ICBO。 ( ) 10303051 晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流随基极电流的
增加而增加。 ( ) 10303052 发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 ( ) 10303053 三极管的穿透电流不受基极控制，与放大无关。 ( ) 10303054 一般说来晶体三极管的电流放大系数β随温度升高而减小。
( )
10303055 发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。 ( ) 10303056 晶体三极管的交流放大系数表示为β=IC/IB，它不随工作点改
变而改变。 ( ) * 10303057 晶体三极管的发射结和集电结都是PN结，因此，发射极和
集电极可以互换使用。 ( ) 10303058 晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。 ( ) 10303059 晶体三极管不允许工作在过损耗区。 ( )
10304060 三极管的放大作用就是把小电流放大成大电流。 ( )
＊10304061 某晶体三极管的IB=10μA时，IC=0.44mA；当IB=20μA时， IC=0.89mA，则它的电流放大系数β=45。（ ）
10304062 三极管放大作用的实质是用较小的电流控制较大的电流。 ( ) ＊ 10304063 测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是 –9V，-6V和-6.2V，则这个晶体三极管是ＮＰＮ型锗管。( ) * 10305064 □10305065 * 10305066 10401067 □10402068 10402069 □10403070 10403071 * 10403072 10403073 * 10403074 □10403075 10501076 10501077 以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，
如果测得两个阻值均较小，则该管为PNP型。 ( ) 用万用表测得晶体三极管任两脚间的电阻均很小，说明该晶
体三极管的二个PN结都已烧毁。（ ）
以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，
如果测得两个阻值均较大，则该管为NPN型。 ( ) 根据MOS管的图形符号不仅可以识别这个MOS管是N沟道 的还是P沟道， 而且还可识别出它是耗尽型的还是增强型的。 ( ) 绝缘栅场效应管的栅极与源极和漏极之间是相互完全绝缘 的。 （ ）
MOS管的一个突出优点是输入电阻高。 ( )
场效应管是以栅源电压控制漏极电流。（ ） UGS的微小变化可以引起输入电压UDS较大变化，这就是结型 场效应管能进行电压放大的原理。 ( )
场效应管的漏极和源极通常制成对称的，只要产品源极与衬 底没有连在一起， 那么漏极和源极就可互换使用。 ( ) 在N沟道增强型MOS管中，如果UGS=0，那么就不存在导电 沟道。 ( )
夹断电压UP和开启电压UT的正负性与导电沟道类型无关。 ( ) 晶体三极管是电流控制型器件，而场效应管是电压控制型器 件。 （ ）
稳压二极管的正常工作区为PN结的反向击穿区。 ( ) 稳压管的反向电流在一定范围内变化时，稳压管端的电压几 乎不变。 ( )
□10502078 开关二极管与普通二极管的不同之处是它的反向电阻极大。
（ ） 10502079 硅开关二极管开关时间极短，仅需几个纳秒。 ( )
□10503080 变容二极管具有显著的变容效应，其PN结的结电容会随着正 向电压的变化而变化。（ ）
* 10503081 变容二极管工作时应加反向电压，其PN结的结电容随反向 电压变化而变化。 ( )
10504082 发光二极管发光的颜色与它所用的材料无关。 ( ) □10505083 光电三极管使用时集电极和发射极极性接反时，电路不能正
常工作。 （ ）
* 10505084 光电二极管工作时加上正向电压，光电流随光照强度的增加 而上升。 ( )
□10505085 光电二极管和发光二极管使用时都应接正向电压。（ ） ＊20101086 按放大器中三极管的连接方式来分，有共射极、共基极和共
集电极放大器等，其中只有电流放大作用而无电压放大作用的是共射极接法。 （ ） 20101087 放大电路中三极管连接方式可分为共射极，共基极二种。
( )
□20102088 在单管放大电路中若电源电压不变，只要变化集电极电阻的 值就可以改变集电极电流的值。（ ）
* 20102089 放大器不设静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三 极管输入特性曲线 的非线性会产生失真。 ( )
20102090 合理设置放大器的静态工作点，就可以防止电路产生失真现 象。 ( )
20102091 放大器中晶体三极管静态工作点是指IBQ，ICQ和UCEQ。 ( ) □20103092 共发射极放大电路中，集电极电阻的作用是将三极管的电流 放大作用以电压放大的形式表现出来。（ ）
20103093 低频放大电路放大的对象是电压、电流的平均值。 ( ) 20103094 低频放大电路放大的对象是电压，电流的变化量。 ( ) 20103095 选择合适的基极偏置电阻RB就可以使三极管有合适的静态工 作点。 ( )
* 20103096 在共发射极放大电路中，集电极负载电阻RC=0时，输出电压 不一定等于零。 ( )