一、选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 1. 杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。 A．大于 B．等于 C．小于
2. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 。
A．增大 B．减小 C．不变
3. 晶体管通过改变 来控制 。
A．基极电流 B．栅-源电压 C．集电极电流 D．漏极电流 E．电压 F．电流 4. 集成运放有 个输入端和 个输出端。
A．1 B．2 C．3
5. 集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过UIcmax时，集成运放将 ，当其差模输入电压超过UIdmax时，集成运放 。
A．不能正常放大差模信号 B．输入级放大管将击穿 6.直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了 。 A．放大变化缓慢信号 B 放大共模信号 C 抑制温漂
7. 已知整流二极管的反向击穿电压为20V,按通常规定，此二极管的最大整流电压为 。
A. 20V B. 15V C. 10V D. 5V
8. 空穴为少子的半导体称为________,空穴为多子的半导体称为 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.纯净半导体 D.金属导体 9. 杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。 A．大于 B．等于 C．小于
10. 室温附近，当温度升高时，杂质半导体中 浓度明显增加。
1
A．载流子 B．多数载流子 C．少数载流子
11. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ，反向电流 。 A．增大 B．减小 C．不变 12. 晶体管通过改变 来控制 。
A．基极电流 B．栅-源电压 C．集电极电流 D．漏极电流 E．电压 F．电流
13. 晶体管电流由 形成，而场效应管的电流由 形成，因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 。
A．一种载流子 B．两种载流子 C．大 D．小
14. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 。 A.10KΩ B.4KΩ C.3KΩ D.2K
15. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越 。
A．严重 B．轻微 C．和放大倍数无关
二、 填空题（本大题共5小题，每小题3分，共15分） 1. 某测量仪器要求ri高，输出电压稳定，应选 负反馈电路。
2. 为了充分提高负反馈效果，当信号源为高内阻的电流信号源，又要求放大电路的输出电压稳定，应选 负反馈电路。
3. 将二进制数11010.1转换为十进制数为 ，转换为十六进制数为 。 4. 如采用奇校验传送的数据部分为0111001，则所加的校验位应为 。 5 逻辑函数F?AB?AB的对偶函数F’= 三、填空题（本大题共15小题，每空1分，共20分） 1.集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( )
2
2. 凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。( ) 3. 集电路开路右实现线与。（ ）
4. 在电源电压均为5V时，具有同样功能的TTL电路比CMOS电路工作速度高。（ ） 5. 在电源电压均为5V时，具有同样功能的TTL电路比CMOS电路功耗大。（ ） 6. CMOS门电路的输入端悬空时相当于接逻辑1。（ ） 7.同步计数器一定有同步置0或同步置数输入端。 （ ） 8. 异步计数器一定有异步置0或异步置数输入端。 （ ）
9.同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入，而反则相比例运算电路中的集成运放无共模信号。( )
10. 电压比较器的阀值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。( )
11. 在深度负反馈条件下，运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种动算。( )
12. 电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。( )
13. 对交流信号有反馈作用的称为交流反馈，对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。( )
14. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（ ） 15. 不管差分放大电路的参数是否理想，RE均有共模负反馈作用。（ ） 四、 分析计算题（本大题共5小题，每小题10分，共50分） 1. 二极管的伏安特性曲线如图题1.1.3所示。
（1） 二极管承受的反向电压VRM为多少？
（2） 若温度升高20°C，则二极管的反向电流IS应为多大？ （3） 当温度升高20°C时，定性画出变化后的伏安特性曲线。
3
图题1.1.3 图1.1.3
2. 稳压值为7.5V和8.5V的两只稳压管串联使用时，可得到几种不同的稳压值？各为多少伏？设稳压管正向导通压降为0.7V。
3. 稳压管接成图题4-3所示电路。已知稳压管的稳压值为6V，在下述4种情况下： （1） VI =12V，R1=4KΩ，R2=8kΩ； （2） VI =12V，R1=4KΩ，R2=4kΩ；
（3） VI =24V，R1=4KΩ，R2=2kΩ； （4） VI =24V，R1=4KΩ，R2=1kΩ。 试确定输出电压VO的值。
图题4-3
4. 图题4-4所示电路中，稳压管2CW16具有下列特性：稳定电压9伏，耗散功率允许值250mW，稳压管电流小于1mA时不能稳压，且动态电阻不大于20Ω。试按电路中的参数计算：
4
（1） 当RL=1kΩ 时，电流IR、IZ、IL的大小； （2） 当电源电压VI变化±20%时，VO最多变化几伏？
（3） 稳压管在VI和RL变化至何值时功耗最大？其值是否已超过允许值？（V的变
化范围不超过±20%，RL可任意变化。） （4） 按照图中的参数，分析该电路在IL大于何值时将失去稳压能力？
图题4-4
5. 在图题4-5所示电路中，已知R1=3kΩ，R2=12kΩ，Rc=1.5kΩ，Re=500Ω，VCC=20V，3DG4的β=30。
（1） 试计算ICQ、IBQ和VCEQ ；
（2） 如果换上一只β=60的同类型管子，估算放大电路是否能工作在放大状态； （3） 如果温度由10℃升至50℃，试说明VC（对地）将如何变化（增加、不变或减
少）？ （4） 如果换上PNP型的三极管，试说明应做出哪些改动（包括电容的极性），才
能保证正常工作。若β仍为30，你认为各静态值将有多大的变化？
图题4-5
5