13．差动变压器传感器不仅可以直接用于 位移 测量，还可以用于测量与 位移 有关的任何机械量。
14．螺线管三节式差动变压器主要由线圈组合、活动衔铁和导磁外壳组成。其零点残余电压产生的主要原因是（ B ）。 A．活动衔铁的初始位置不合适
B．两次级线圈电气参数和几何尺寸不对称 C．磁性材料饱合
15．差动变压器传感器的结构形式很多，其中应用最多的是（ C ）。 A．变间隙式 B．变面积式 C．螺线管式
16．为了使螺线管式差动变压器传感器具较好的线性度，通常是（ BD ）。 A．取测量范围为线圈骨架的1/10～1/4 B．取测量范围为线圈骨架的1/2～2/3 C．激磁电流频率采用中频 D．激磁电流频率采用高频
17．螺线管三节式差动变压器传感器的两个匝数相等的次级绕组，工作时是（ D ）。
A．同名端并联 B．同名端接在一起串联 C．异名瑞并联 D．异名瑞接在一起串联 18．差动变压器式传感器的配用测量电路主要有（ AB ）。 A．差动相敏检波电路 B．差动整流电路 C．直流电桥 D．差动电桥 19．通常用差动变压器传感器测量（ A ）。
A．位移 B．振动 C．加速度 D．厚度
20．画出差动变压器式传感器配用的差动整流（半波电压输出）测量电路图 三、电涡流式传感器
1．电涡流式传感器的整个测量系统由 传感器线圈 和 导体系统 两部分组成。利用两者之间的 磁场耦合程度 来完成测量任务。
2．电涡流式传感器的基本结构是由 和框架组成。其中 是主体，因而它的性能、尺寸、形状对整个测量系统的性能 产生重要影响。
3．电涡流传感器的工作原理：传感器的激磁线圈通正弦 交变电流 时，在其周围产生交变 磁场 ，使被测金属导体内产生 感应电涡流 。它的存在消弱激磁线 圈 内 磁场 的变化。使线圈 电感量、阻抗、品质因数 发生变化（对比无被测金属时变
小 ）。该变化完全取决于被测金属导体的电涡流效应。而电涡流效应的大小与被测金属导体的电阻率、磁导率及几何形状有关，又与线圈的几何尺寸、线圈中激磁电流的 频率 有关，还与线圈与被测金属导体间的 距离 等参数有关。如果保持上述中的其它参数不变，而只改变其中的一个参数，则传感器的 线圈的阻抗 就仅仅是这个参数的 单值 函数。通过测量线圈 阻抗 的变化量，即可实现对该参数的测量。
4．电涡流传感器工作时，被测物体的 电阻率 和 相对导磁率 越小．则传感器灵敏度越大。
5．利用电涡流式传感器测量位移时，只有在线圈与被测物的距离大大地小于线圈半径时，才能得到较好的 线性 度和较高的 灵敏 度。
6．电涡流传感器中激磁线圈的等效阻抗是很多参数的函数，如果 其它参数 不变，只改变其中的一个参数，通过测量等效阻抗的 变化率 ，即可实现这个参数的测量。
7．利用电涡式传感器测量位移时，为了得到较好的线性度和较高的灵敏度，应该让线圈到金属导体表面 的距离大大地小于 线圈半径 。
8．电涡流传感器工作时，要求线圈距被测物无关的金属至少有一个线圈 的距离。否则会使 灵敏度 降低和 线性误差 范围缩小。
9．电涡流传感器的配用测量电路有： Q值测量 电路 、 电桥 电路、 谐振 电路。
10．对于高频反射式电涡流传感器来说，为了使其具有较高的 灵敏 度，不产生电涡流透射损耗，要求被测物必须达到一定的 度。
11．电涡流传感器中，被测导体中电涡流强度和被测导体与激磁线圈之间的距离呈 非线性 关系，且随距离的 ，电涡流将迅速减小。
12．若使电涡流传感器的灵敏度高，被测物体的电阻率ρ和相对磁导率μ应该是（ A、C ）。
A．ρ大 B．ρ小 C．μr大 D．μr小
13．利用电涡流式传感器测量位移时，为了得到较好的线性和灵敏度，其激磁线圈（半径为r。）与被测物体间的距离x应该满足（ B ）。
A． r。≈x B． r。＞＞x C． r。＜x D． r。＞x
14．电涡流式传感器激磁线圈的电源是（ C ）。
A．直流 B．工频交流 C．高频交流 D．低频交流
15．用电涡流传感器进行测量时，不属于被测物体的金属物与激磁线圈（半径为ra）之间的距离S应该满足（ D ）。
A．s＞ r。 B．S＞2r。 C．S≈2r。 D．S＜2r。
第五章思考题与练习题
1. 压电式传感器的工作原理是基于某些电介质材料的 压电效应 。
2. 用石英晶体制作的压电式传感器中，晶面上产生的 电荷量 与作用在晶面上的压强成正比，而与晶片的 几何尺寸 和面积无关。
3. 压电陶瓷是人工制造的多晶体，是由无数细微电畴组成的。电畴具有自己的 极化 方向。经过 极化处理 过的压电陶瓷才具有压电效应。
4. 沿着压电陶瓷极化方向加力时，其 剩余极化强度 发生变化，引起垂直于极化方向的平面上 电荷 的变化而产生压电效应。
5. 压电陶瓷的 压电系数 比石英晶体大得多。但石英晶体具有很多优点，尤其 温度稳定性 是其他压电材料无法比的。 6. 简述压电陶瓷的工作原理：
极化处理过的压电陶瓷具有良好的 压电效应 特性。当他受到沿 极化方向 的力作用时，因陶瓷 变形 使电畴的界限发生变化，电畴 界限发生移动 使其 剩余极化强度 随之变化，因而在垂直于 作用力 的平面上出现 电荷 的变化。这种变化量与压电陶瓷的 压电系数 和 作用力 的大小成正比。测量这个 电荷变化量 ，即可知 作用力 的大小。
8.压电式传感器具有体积小、结构简单等优点，但不能测量 静止 的被测量。特别是不能测量 静态力 。
10.压电式传感器目前多用于测量（ B ）。
A. 静态的力或压力 B. 动态的力或压力 C. 速度 D. 加速度 11.压电石英晶体表面上产生的电荷密度与（ C ）。
A. 晶体厚度成反比 B. 晶体面积成正比 C. 作用在晶体上的压力成正比 D. 剩余极化强度成正比 12.压电陶瓷传感器与压电石英晶体传感器的比较是（ D ）。
A. 前者比后者灵敏度高得多 B. 后者比前者灵敏度高得多 C. 前者比后者性能稳定性高得多 D. 后者比前者性能稳定性高得多
第六章思考题与练习题
一、光电导器件
1．光敏电阻的工作原理： 光敏电阻上可以加 直流 电压，也可以加 交流 电压。加上电压后，无光照射光敏电阻时，由于光敏电阻的 阻值较高 ，电路中只有 很小 的电流，称 暗 电流；当有光照射光敏电阻时，因其 阻值较小 ，电路中电流也就 增加 ，称 亮 电流。据 光电流 的大小，即可推算出人射光 光强 的大小。
2．光敏二极管的结构与普通 二极管 类似。它是在 反向 电压下工作的。 3．光敏二极管的工作原理：光敏二极管的材料和结构与 普通二极管 相似。工作时加 反向 电压。无光照射光敏二极管时，电路中仅有很小的 反向饱和 电流，相当于二极管截止；当有光照射光敏二极管时，光子激发出 电子空穴 对，其中 少数 截流子的 漂移 运动使 电流大大地增加，形成 光 电流，相当于光敏二极管导通。 光 电流随着 光强 的增加而线性地增加。
4．光敏三极管可以看成普通三极管的集电结用 光敏二极管 替代的结果。通常 基极 不引出，只有两个电极。
5．光敏三极管在电路中的接法也是集电结反偏、发射结正偏。无光照射时的暗电流相当于普通三极管的 电流。
6．光敏三极管的工作原理： 光敏三极管在电路中的接法与普通 三极管 相同。这时，其基极 开路 、集电结 反偏 、发射结 正偏 。无光照射时，集电极与发射极之间有 穿透 电流，此即光敏三极管的 暗 电流，此时相当于管不通；当有光照射光敏三极管的 集电 结附近的 基区 时，集电结的 反向饱和 电流大大地增加，此即光敏三极管集电结的 光 电流，该电流经发射结放大成为光敏三极管的 光电流 ，此时光敏三极管导通。
7．在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ B ）。
A．外光电效应 B．内光电效应 C．光电发射 D．光导效应 8．光敏电阻的性能好、灵敏度高，是指给定电压下（ C ）。 A．暗电阻大 B．亮电阻大
C．暗电阻与亮电阻差值大 D．暗电阻与亮电阻差值小 9．光敏电阻适于作为（ B ）。