改错常见问题：
1）两操作数不能同时使用存储器寻址方式；
（2）除源操作数为立即寻址方式外，两操作数中至少一个为寄存器寻址方式； （3）目的操作数不能为立即数。
（1）源操作数和目的操作数的类型不匹配，即字长不一致。必须字节对字节，字对字。 （2）源操作数和目的操作数不能同时为存贮器寻址方式。
（3）基址变址方式没有SI和DI的组合。因为SI和DI都变址寄存器。 （4）BX和BP作为基址寄存器不允许组合使用。
（5）AX为16位通用数据寄存器，ES：为段跨越前缀，指明存储器的所在段，ES:AX为非法。
（6）源操作数和目的操作数的类型不匹配，1000超出一个字节的表示范围，而BYTE PTR[BX]表示字节存储器。
2．已知(DS)=3000H，(SS)=3001H，(BX)=100H，(BP)=0F3H，(SI)=2，内存单元的值如图所示，求下列指令执行后AX的值。
错。码段段址寄存器CS不能出现在指令中。
（2）错。双操作数指令中两操作数不能同为存储器寻址方式。
（3）错。IP是指令指针寄存器 ，它的内容是下一条要取出的指令的偏移地址，
不能为用户所用，故不能出现在指令中。 （4）（5）错。原因同（1）。
（6）错。IN为输入指令，不能使用BX，只能使用累加器AX或AL，接受端口上的数据信息。指令中DX内存放16位端口地址。
（7）错。数据类型不匹配，“BYTE PTR [BX]”指示目的操作数将存放在一个字节的存储器内，源操作数为立即数1000为字数据。
（8）错。原因同（1）。
（9）错。SI和DI都是变址寄存器，不能同时使用。
（10）错。双操作数指令中目的操作数不能为立即数。
（1）错。数据类型不匹配。 （2）对。
（3）错。两操作数必须有一个采用寄存器寻址方式。 （4）错。DX不作变址用。 （5）对。 （6）对。
（7）错。目的操作数应为 word ptr [bx][di]，即必须指明其数据类型。 （8）错。符号地址与符号地址不能相加，此处必须为立即数。
（9）对。 （10）对。
原码：符号位|数值位。以8位为例（下同），表示数的范围为-127～+127。
反码：对于正数，与原码表示 相同；对于负数，则按规则：符号位|数值位每位取反。表示数的范围为-127～+127。
补码：对于正数，与原码表示 相同；对于负数，则按规则：符号位|数值位每位取反+1。表示数的范围为-128～+127。
7. Intel8088在功能上可以分为哪两大部分？各有什么功能？
答：intel8088微处理器可以分为总线接口部件和执行部件两部分，总线接口部件BIU负责从内部存储器的指定区域中取出指令送到指令队列中去排队，执行指令时所需要的操作数（内部存储器操作数和I/0端口操作数）也由BIU从相应的内存区域或I/O端口中取出，传送给执行部件EU。执行部件EU从BIU的指令队列中获得指令，然后执行该指令，完成指令所规定的操作。
10.Intel8088的通用寄存器有哪些？那些寄存器可拆分为高低字节两部分使用？ 答：intel8088的通用寄存器类型如下： AX:累加器，可以跟分为8位的寄存器，AH,AL BX:基址寄存器，可以分为两个8位的寄存器BH,HL CX:计数器，可以分为两个8位寄存器，CH,CL DX:数据寄存器，可以分为两个8位的寄存器，DH,DL SP:堆栈指针寄存器，始终指向栈顶 BP：基数指针寄存器，用于堆栈段 SI:源变址寄存器， DI:目的变址寄存器
12.为什么Intel8088的存储器地址空间要分段？请说明其物理地址的形成过程。 答： 8088有20根地址线，它的直接寻址范围为220 = 1MB（Byte，字节）。所以在以8088组成的微机系统中，可以有1MB的内部存储器。而8088中的寄存器都是16位的，所以16位的寄存器只能给出来16位的地址，寻址空间只能在64KB的范围内。因此，在8088系统中，将1MB的内存分成若干个段，一个段最大64KB，最小16B（16个字节定义成一个小节），最多可有64K个段，最少16个段。段与段之间可以部分重叠，也可以完全重叠。
物理地址的形成过程可由下式表示：
物理地址=段寄存器的内容×10H+有效地址EA
1. Intel8088的寻址方式有那几类？每一类又有那几种？ 1.答：
立即寻址方式 寄存器寻址方式 直接寻址方式
与数据有关的寻址方式 寄存器间接寻址方式
存储器寻址方式 寄存器相对寻址方式 基址变址寻址方式 8088寻址方式 基址变址相对寻址方式
段内直接寻址方式 段内间接寻址方式
与转移地址有关的寻址方式 段间直接寻址方式
段间间接寻址方式
2. Intel8088各种寻址方式是如何形成物理地址的？
2. 答：具体就是以数据有关的寻址方式的物理地址的形成方式。 直接寻址方式：物理地址 =（DS）╳ 16D + EA
寄存器间接寻址方式：物理地址=(DS) ╳ 16D +（BX）|（SI）|（DI）
物理地址=（SS）╳16D +（BP）
寄存器相对寻址方式：物理地址=（DS）╳16D +（BX）|（SI）|（DI）+8位|16位位移量
物理地址=（SS）╳16D +（BP）+ 8位|16位位移量
基址变址寻址方式：物理地址=（DS）╳16D +（BX）+（SI）|（DI） 物理地址=（SS）╳16D +（BP）+（SI）|（DI）
相对基址变址寻址方式：物理地址=（DS）╳16D +（BX）+（SI）|（DI）+ 8位|16位位移量
物理地址=（SS）╳16D +（BP）+（SI）|（DI）+ 8位|16位位移量
伪指令：TYPE运算符用来取变量和和标号的类型，BYTE=1，WORD=2，DWORD=4,NEAR=-1，FAR=-2
SIZE运算符用来计算一个存储区的字节数，共七个字节 4个字和100个字的分配存储，共208个字节 LENGTH运算符用来计算一个存储区中的单元。
1. Intel8088有那几种工作周期？它们之间的关系如何？
1.答：8088有三种工作周期：指令周期、总线周期和T状态（时钟周期）。CPU执行一条指令的时间（包括取指令、指令译码和执行该指令所需的全部时间）称为一个指令周期。把通过系统总线对存储器或I／O端口进行一次读／写操作过程所需的称为总线周期，T状态就是CLK时钟周期。一个指令周期由若干个总线周期组成。每个总线周期通常包含4个T状态，即Tl、T2、T3、T4。
3. 假定某CPU的时钟频率为100MHz，那么一个基本的总线周期为多长时间
3.解：时钟周期T状态是CLK频率的倒数，即T = ；本题T = = 10 ns, 那么一个基本的总线周期为40 ns。
6. 8284时钟发生器能产生哪三种信号？结合等待状态产生电路的作用，试述8088插入等待周期TW 的过程。
6.答：8284时钟发生器能产生时钟信号CLK、复位信号RESET和准备好信号READY。 当访问的是慢速存储器或是外设接口，则在Tl输出的地址，经过译码选中某个单元或设备后，通过等待状态产生电路，立即驱动READY信号到低电平。8088在T3的前沿采样到READY信号无效，就在T3状态后插人等待周期Tw。在Tw状态的时钟下降沿，8088再采样READY信号，只要READY为低电平，就继续插人Tw状态，直至采样到READY为高电平，才进入T4状态。
7. 8088在作I/O访问时，信号IO/为高电平还是低电平？此时A19～A16在T1～T2时的状态有无实际意义？为什么？
7.答：8088在作I/O访问时，信号IO/为高电平，此时A19～A16在T1～T2时的状态无实际意义，因为I/O端口地址只能是8位的或16位的，高4位地址线不起作用。
10.在8088的最小组态（最小模式）的配置与最大组态（最大模式）的配置中，系统总线是如何形成的？
10.答：在8088的最小组态（最小模式）的配置与最大组态（最大模式）的配置中，8088的引脚A19～16/S6～3、A15～8、AD7～0经过地址锁存器形成系统地址总线；AD7～0经过总线收发器形成系统数据总线。在最小组态（最小模式）的配置中，系统控制总线直接来自8088的控制信号引脚，而在最大组态（最大模式）的配置中，8088 CPU输出的状态信号、、经过总线控制器8288，转换成CPU系统所需要的各种控制信号，从而形成系统控制总线。
1. 计算机存储器是怎样分类的？其中半导体存储器又是怎样分类的？ 1.答：存储器的分类如下：
1）按构成存储器的器件和存储介质分类
可分为磁芯存储器、半导体存储器、光电存储器、磁膜、磁泡和其他磁表面存储器以及光盘存储器等。
2）按存取方式分类
可分为随机存取存储器RAM（Random Access Memory）、只读存储器ROM（Read Only Memory）、串行访问存储器等。
3）按在计算机中的作用分类
可分为主存储器（内部存储器）、辅助存储器（外部存储器）、缓冲存储器等。 对于半导体存储器的分类可由下图表示：
RAM MOS 半导体 存储器 掩膜ROM 静态 动态 双极型 PROM ROM EPROM E2PROM 4. 试述六管静态存储电路的工作原理和特点。
4.答：六管静态存储电路的结构可参见教材图6-5。这个电路实际上是一个双稳态位电
路，通过X地址线和Y地址线可以中某一个位电路。
当写入时，写入信号自I/0和I/O线输入，如要写“1”则I/O线为“1”，而线为“0”。它们通过T7、T8管以及T5、T6管分别与A端和B端相连，使A＝“1”，B＝“0”。靠两个反相器的交叉控制，只要不掉电就能保持写入的信号“1”（过程分析略）。写入“0”时亦然。
在读出时，只要某一电路被选中，相应的T5、T6导通，A点和B点与位线D0和D0相通，且T7、T8也导通，故存储电路的信号被送至I/O与两线上。读出时可以把I/O与两线接到一个差动放大器，由其电流方向即可判定存储单元的信息是“1”还是“O”；也可以只用一个输出端接到外部，以其有无电流通过而判定所存储的信息。
这种存储电路，它的读出是非破坏性的，即信息在读出后仍保留在存储电路内。所以由它来构成存储器，不需要刷新。
5. 试述单管动态存储电路的工作原理和特点。 单管动态存储电路的结构如下图所示。
字选线
T1 数据线 C ES CD ES 单管动态存储电路由管子T1和电容C组成。
写入时，字选线为“1”，Tl管导通，写入信息由位线（数据线D）存入电容C中，使