125x125单晶硅片 规格说明书
6 inch Mono-crystalline Wafer specification 类别 项目 (Sort) (Item)
Crystal Type晶体类型 Square side 尺寸
规格尺Diameter ( Diagonal) 直径 寸
Thickness Spec. 厚度 Square Angle 边缘角度 Growth method 晶体生长方 式
Conductivity Type 导电类 型
Surface orientation 晶向 电学性Etching pit/位错密度 能
Resistivity 电阻率 参数 Lifetime 少子寿命 Oxygen content 氧含量
Carbon content 碳含量
Saw mark 刀痕
Edge defect (Depth) 崩边 深度
外观质
Edge defect ( Length) 崩量
边长度
指标 TTV (5point) Warp. 弯曲度 Surface Quality 表面质量坑
指标/参数/要求
单位 Index/Parameter/Request（Uni t）
Mono-crystalline 125*125 ± 0.4 mm 165 ± 0.4 mm 190 ±10 μm 90°± 0.3degre
e
CZ
P-type/Boron ( 100 ) ± 1.0 ° ≤1000/cm3 1.0~3.0 Ω*㎝ ≥ 15.0 μs ≤1×1018
atoms
/cm3
≤5×1016
atoms
/cm3
≤ 20 μm ≤ 0.3 mm ≤ 1 mm ≤ 25 μm ≤ 30
μm
晶片无裂纹、孔洞和明显刀痕及凹