IGBT管的万用表检测方法(3)

2020-04-18 03:37

峰值电压(Vaux_peak),其值由电阻器Ra和Rb之比决定。电容器C和电阻器Rcz则用于决定计时情况以及自举电路的关闭电压,从而节约能量。电阻器Rd为TL431提供偏流,而电阻器Re则限制电流,以保证晶体管Q1处于安全的工作区域(SOA)。

设置电路并不太困难。我们选择电阻器Ra和Rb来设置峰值充电电压(Vaux_peak)

选择电阻器Rc来降低并联电压,使之低于额定的Vaux电压(Vaux_nominal),该额定Vaux电压由辅助绕组提供

电容器C设置自举时间(Tboot)

低功耗PWM偏置电源:

在某些电源中,PWM由类似图4所示电路的辅助绕组供电。这种电路的问题在于,在轻负载工作情况下,辅助绕组中存储的能量不足以给IC供电。电源的工作情况甚至会变得难以估计,因为PWM将不断开关。图6所示的电路给出了解决这种问题的办法,即采用串联旁路稳压器,在轻负载条件下启动,而在偏置绕组可以为PWM控

制器供电情况下关闭。

通过电阻器Rd的Ra以及二极管D1、D2,再加上晶体管Q1,它们构成了低功耗偏置电源。低功耗偏置电源根据设置可调节电压,使其高于PWM 的关闭电压,又低于辅助绕组的额定电压(Vaux_nominal)。这就使晶体管Q1能作为二极管或电路发挥作用。如果PWM由辅助绕组供电,那么 Vaux电压将反向偏置,关闭晶体管Q1而节约能量。如果由于能量不足Vaux电压下降,那么Q1就会变成正向偏置,以向PWM控制器提供必需的能量。 设置低通串联旁路稳压器并不困难。电阻器Rc的大小应刚好可以向D1提供偏流,电阻器Rd的大小应刚好可以保证晶体管Q1不超出其SOA的范围,而电阻器Ra和Rb的大小则应能够调节低功耗串联旁路稳压器的电压。这种低功耗串联旁路稳压器提供的电压应设置为高于控制IC的启动电压,并低于辅助绕组提供的额定电压(Vaux_nominal)。

以下方程式用于调节由Ra和Rb构成的电阻分压器。Q1发射极处设置的电压应低于变压器T1二级绕组提供的额定辅助电压(Vaux_nominal)。Vref是并联稳压器D1的内部参考电压。Vd2和Vbeq1分别是二极管d2和Q1基射极电压的压降。 总结:

类似TL431的三端并联稳压器在许多应用中都大有用处。这种三端子器件既廉价,功能又很多样化。这种稳压器经过配置,可在开关电源中实现多种功能。这种器件可用作基准精确度,也可作为廉价的运算放大器以进行反馈控制。这种稳压器还可用于电源的快速自举,这与传统的方法不同。并联稳压器与NPN 晶体管配合使用,还能实现低功耗偏置电源,在轻负载条件下启动,而在辅助绕组能够为PWM提供足够电力的时候关闭。

TL431的几种基本用法

TL431作为一个高性价比的常用分流式电压基准,有很广泛的用途。这里简单介绍一下TL431常见的和不常见的几种接法。

图(1)是TL431的典型接法,输出一个固定电压值,计算公式是: Vout = (R1+R2)*2.5/R2, 同时R3的数值应该满足1mA < (Vcc-Vout)/R3 < 500mA

当R1取值为0的时候,R2可以省略,这时候电路变成图(2)的形式,TL431在这里相当于一个2.5V稳压管。 利用TL431还可以组成鉴幅器,如图(3),这个电路在输入电压 Vin < (R1+R2)*2.5/R2 的时候输出Vout为高电平,反之输出接近2V的电平。需要注意的是当Vin在(R1+R2)*2.5/R2附近以微小幅度波动的时候,电路会输出不稳定的值。

TL431可以用来提升一个近地电压,并且将其反相。如图(4),输出计算公式为: Vout = ( (R1+R2)*2.5 - R1*Vin )/R2

特别的,当R1 = R2的时候,Vout = 5 - Vin。这个电路可以用来把一个接近地的电压提升到一个可以预先设定的范围内,唯一需要注意的是TL431的输出范围不是满幅的。

TL431自身有相当高的增益(我在仿真中粗略测试,有大概46db),所以可以用作放大器。

图(5)显示了一个用TL431组成的直流电压放大器,这个电路的放大倍数由R1和Rin决定,相当于运放的负反馈回路,而其静态输出电压由R1和R2决定。

这个电路的优点在于,它结构简单,精度也不错,能够提供稳定的静态特性。缺点是输入阻抗较小,Vout的摆幅有限。

图(6)是交流放大器,这个结构和直流放大器很相似,而且具有同样的优缺点。我正在尝试用这个放大器代替次级运放来放大热释红外传感器的输出信号。

倍压整流式电子镇流器

倍压整流式电子镇流器的电路如下图所示。

它的主要特点有:

1.低温、低压启动性能好,能在环境温度一20℃一十50℃可靠工作,电源电压在150?/FONT>160V时一次启动点燃日光灯。

2.节电显著,与传统电感镇流器相比,在同样照度下,可节电20%一25%。 3.本镇流器阻抗呈容性,对电网有补偿作用,功率因数>0.9。 4.坏管可复明。旧灯管单边灯丝烧断和一头发黑的坏管照样能够使用。

5.兔去启辉器,原四线输出改为二线输出,因此安装维修方便,很适合于高空及嵌入式等维修不便的场所 6.一开就亮,无闪烁、无噪音、无抖动、发光柔和、保护视力。 7.适用范围广,各种日光灯管均可通用。

电路中的C1一C4、VDl一VD4主要起倍压整流作用,其电容量不宜太大,这样容易使输出电源线过热;如容量太小,则日光灯的亮度不够。因此不要随意改变C1,C4的电容量。电阻R 1、R2分别为电容C1、C2和C3、C4提供泄放电流回路。

贴片式光电耦合器及其应用

光电耦合器(以下简称光耦)是一种发光器件和光敏器件组成的光电器件。它能实现电—光—电信号的变换,并且输入信号与输出信号是隔离的。目前极大多数的光耦输入部分采用砷化镓红外发光二极管,输出部分采用硅光电二极管、硅光电三极管及光触发可控硅。这是因为峰值波长900~940nm的砷化镓红外发光二极管能与硅光电器件的响应峰值波长相吻合,可获得较高的信号传输效率。 光耦的结构

光耦的内部结构(剖面)如图1所示。光耦输入部分大都是红外发光二极管,输出部分有不同的光敏器件,如图2所示。

这里要说明的是,图2(c)的输入部分有两个背对背的红外发光二极管,它用于交流输入的场合;图2(d)采用达林顿输出结构,它可使输出获得较大的电流;图2(e)、2(f)的输出由光触发双向可控硅组成,它们主要用来驱动交流


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