VT??(1?ΔVT=5V
R1)VTH?2.5V R2
4、下图是延迟报警器。当开关S断开后，经一定的延迟时间后扬声器发声。试求延迟时间的具体数值和扬声器发出声音的频率。图中G1是CMOS反相器，输出的高、低电平分别为12V和0V。
解：左边定时器接成了施密特电路，右边定时器接成了振荡器。 当开关断开后电容C充电，充至VT??开始振荡。
故延迟时间为
2VCC?8V时反相器G1输出高电平，振荡器3TD?RCln2VCC?11S
VCC?VT?扬声器发出声音频率为：
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f?1?9.66KHz
(R1?2R2)C1ln2注：该题有如下几种演变情况，请思考如何分析。 1、左边定时器接成单稳态电路，右边不变。
2、左边定时器接成低频振荡器，右边定时器接成高频振荡器。
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第七章 半导体存储器
一、本章知识点
1、存储器的分类及每种类型的特点
掩模ROM：信息出厂时已固化在里面,用户无法更改。 ROM PROM：信息由用户写入，只能写一次，不能改写。
EPROM ：信息由用户写入，可用光擦除后重写。
存储器
E2PROM：信息由用户写入，可用电擦除后重写。
Flash Memory：同E2PROM
RAM SRAM ：靠触发器存储信息，不需刷新。
DRAM：利用MOS管栅电容存储信息，需要刷新。
2、掌握存储器电路的结构框图，对框内具体情况有一个大概的了解 3、了解存储器相关名词术语，如地址数、字数、字长、数据线及容量等 4、掌握存储器容量扩展方法。
5、掌握用ROM构成组合逻辑函数的方法及ROM构成的组合电路的分析。
二、例题
1、已知某存储器标有1K×4字样，回答下列问题： （1）该存储器有几条地址线？ （2）该存储器能存储多少个字？ （3）每个字长是几位？ （4）该存储器有几条数据线？ （5）该存储器的容量是多少位？ 答：
（1）10条地址线。 （2）1024个字。 （3）4位 （4）4条 （5）4096位
2、ROM由哪几部分组成？各部分的作用是什么？
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答：ROM由地址译码器、存储矩阵及输出缓冲器三部分组成。
地址译码器的作用是将输入地址码译成相应的控制信号，该控制信号从存储矩阵中把对应单元的信息送到输出。
存储矩阵的作用是存储二进制信息。
输出缓冲器作用有二个。一是提高负载能力，二是实现对输出的三态控制。
3、在PROM、EPROM、E2PROM及Flash Memory四种存储器中，可用光改写的是哪种？
答：是EPROM
4、哪些类型的ROM可用来设计组合电路？组合电路的输入变量及输出变量如何安排？
答：EPROM、E2PROM及Flash Memory都可以用来设计组合电路。输出变量安排在ROM的地址端，输出变量安排在数据端。
5、根据存储数据原理的不同，RAM可分为哪几种？它们存储数据的原理分别是什么？ 答：可分为静态RAM和动态RAM两种。 静态RAM靠触发器存储数据。
动态RAM是利用MOS管栅极电容存储电荷的原理制成的。
6、试用4片2114和译码器组成4K×4的RAM，其中2114是1K×4的RAM。
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7、图示电路是用ROM组成的逻辑电路，分析其功能。
解： S=m1+m2+m4+m7
Z=m3+m5+m6+m7 A B C 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 该电路是全加器
S Z 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 30