2012年北京市海淀区高三一模理综试题及答案物理化学生物汇总 -(4)

2019-01-27 10:39

说明:第④问,若第一空:-cosθ,第二空:

9l,则可同样得6分。 ?4g22.(16分)

(1)设滑块A和B运动到圆形轨道最低点速度为v0,对滑块A和B下滑到圆形轨道最低点的过程,根据动能定理,有

(mA+mB)gh=

1(mA+mB)v02……………………(2分) 2解得:v0=4.0m/s ……………………………………………………(2分)

(2)设滑块A恰能通过圆形轨道最高点时的速度大小为v,根据牛顿第二定律有

mAg=mAv2/R ……………………………………………(2分)

设滑块A在圆形轨道最低点被弹出时的速度为vA,对于滑块A从圆形轨道最低点运动到最高点的过程,根据机械能守恒定律,有

11mAvA2=mAg?2R+mAv2……………………(2分) 22代入数据联立解得:

vA=5.0 m/s………………………………………(2分)

(3)对于弹簧将两滑块弹开的过程,A、B两滑块所组成的系统水平方向动量守恒,设滑块B被弹出时的速度为vB,根据动量守恒定律,有

(mA+mB)v0=mA vA+mB vB ………………………(2分) 解得: vB=0……………………………(1分)

设弹簧将两滑块弹开的过程中释放的弹性势能为Ep,对于弹开两滑块的过程,根据机械能守恒定律,有

11(mA+mB)v02 + Ep=mAvA2………………………(2分) 22解得:Ep=0.40J……………………………………(1分)

23.(18分)(1)α射线的粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动,设其半径为r,根据牛顿第二定律,有 qvB=mv2/r………………………………………(3分)

代入数据解得:

r=0.89m……………………………………………………………(2分)

(2)①第2号痕迹正对着储有放射源的铅盒的开口,表明形成第2号痕迹的射线做匀速直线运动,即不受电场力作用,所以不带电,故第2号痕迹是γ射线照射形成的。……………………………………(4分)

②α射线的粒子从放射源出来经过水平匀强电场打到底片上的过程中,受恒定的电场力作用,且水平的电场力与竖直的初速度方向垂直,故应做匀变速曲线运动。…………(3分)

(说明:回答“类平抛运动”,或“竖直方向做匀速直线运动,水平方向做初速度为零的匀加速直线运动”均可得分)

设铅盒与底片间的竖直距离为d,电场强度为E,带电射线从放射源射出时的初速度为v0,质量为m,所带电荷量为q,在电场中运动时间为t,则对于粒子在电场中的运动有

竖直方向d=v0t,水平方向的侧移量

x=

1qE2

t ……………………………………(2分) 2mqEd2解得:x=………………………(1分) 22mv0因此对于α射线和β射线的侧移量之比有

2xαqαmβ?vβ?211?5…………………………(2分) ?????????????xβqβmα??vα?14?1840?0.1?1842表明α射线的偏转侧移量较小,所以第3号痕迹应是α射线所形成的。(1分) 说明:若没有进行定量计算,只是说明xα

?v=5.0m/s2………………(1分) ?t由牛顿第二定律F-mgsin? -? mgcos?=ma………………(2分) 解得

F=1.5 N…………………………………………………………(1分)

(2)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后以速度v1做匀速直线运动, 产生的感应电动势

E=BLv1……………………………………………………(1分) 通过线框的电流 I=

EBLv1= …………………………(1分) RRB2L2v1线框所受安培力 F安=BIL= ……………………(1分)

R对于线框匀速运动的过程,由力的平衡条件,有

B2L2v1F=mgsin?+μmgcos?+…(2分)

R解得 B=0.50T……………………………………………………(1分)

(3)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后做匀速直线运动,并以速度v1匀速穿出磁场,说明线框的宽度等于磁场的宽度

D=0.40m ……………………………………………(1分) 线框ab边离开磁场后做匀减速直线运动,到达档板时的位移为 s-D=0.15m……(1分)

设线框与挡板碰撞前的速度为v2 由动能定理,有

-mg(s-D)sin?-μmg(s-D)cos?=

21122mv2?mv1………………(1分) 22解得 v2=v1?2g(s?D)(sin???cos?)=1.0 m/s…………………………(1分) 线框碰档板后速度大小仍为v2,线框下滑过程中,由于重力沿斜面方向的分力与滑动摩

擦力大小相等,即mgsinθ=μmgcosθ=0.50N,因此线框与挡板碰撞后向下做匀速运动,ab边

刚进入磁场时的速度为v2=1.0 m/s;进入磁场后因为又受到安培力作用而减速,做加速度逐渐变小的减速运动,设线框全部离开磁场区域时的速度为v3

B2L22B2L2Dx得v3= v2 -由v=v0-=-1.0 m/s,

mRmR因v3<0,说明线框在离开磁场前速度已经减为零,这时安培力消失,线框受力平衡,

所以线框将静止在磁场中某位置。……………………………(2分)

线框向上运动通过磁场区域产生的焦耳热

2B2L2Dv1Q1=IRt==0.40 J……………(1分)

R2

线框向下运动进入磁场的过程中产生的焦耳热 Q2=

12mv2 =0.05 J………………(2分) 2所以Q= Q1+ Q2=0.45 J…………………………………………(1分)


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