等合金以及三元混合半导体材料。
5.1 镓
镓可以从基于AlCl3 的离子液体中电沉积得到[31]。镓的电沉积只能在酸性条件下进行，在电沉积过程中Ga3＋首先还原为Ga＋，然后再还原为单质态Ga。在玻碳电极上，电沉积过程包含瞬间的三元成核和扩散控制的成核生长。此外，在氯化1-乙基-3-甲基咪唑和GaCl3 的混合液体中还得到了超细的GaAs。
5.2 镓的砷化物
Wicelinski 等[32]在35～40℃下基于AlCl3 的酸性离子液体中电沉积得到了GaAs。Carpenter等[33]在加入AsCl3 的GaCl3 离子液体中也得到了GaAs，但质量并不很好，不过可以通过热退火工艺改善合金的质量。
5.3 铟和锑
Liu 等[34]研究了在基于AlCl3 的碱性离子液体中电镀铟的过程。过电位电沉积时，在玻碳、钨和镍的电极上都观察到了连续三元成核现象。Habboush 等[35]报道了在AlCl3-[BP]Cl(氯化正丁基吡啶)的液体中锑在玻碳、铂和钨电极上的电沉积。锑只能在酸性条
离子液体在金属电解中的应用
件下得到，并且电沉积过程不可逆。电沉积InSb 的工艺和电沉积GaAs 相似。若向InCl3 离子液体中加入SbCl3，则在45℃左右可直接电沉积得到InSb[36,37]。在超真空条件下得到的InSb 量子点可用于研究激光的应用。
5.4 碲
碲在碱性AlCl3 溶液中的电沉积早有报道[38]，在玻碳电极上有三元成核现象。电沉积CdTe和InSb 的工艺相似。最近Lin 等[39]报道了ZnTe 的电沉积工艺：在ZnCl2 和[EMIm]Cl 摩尔比为40/60 的离子液体中，用丙烯碳酸酯作助溶剂，并加入8-羟基喹啉使Te 的还原电势向负方向转移，然后在恒电势下电沉积得到定比组成的ZnTe。
5.5 锗
Endres[40]在[BMIm]Cl 离子液体中电沉积得到了Ge。向离子液体中加入一定量的、浓度约为0.1～1mmol/L 的GeI4，电化学窗口在4V 左右，电极使用退过火的Au(111)。此外，他还利用原位STM 方法得到了大量沉积物生长过程和结构组成方面的信息，对于纳米技术的研究十分有益。
6 结语
本文介绍了在离子液体中电沉积部分金属、合金和半导体材料的研究现状。显然，大多数研究是在基于AlCl3 的液体中进行的。目前的研究焦点是使基于离子液体的有关工艺更加经济、更易操作。可以预料，很快将出现疏水的、电化学窗口更宽的新型离子液体。总之，离子液体为电沉积工业、纳米工业和电化学工业的发展提供了新突破点。
参考文献
[1] P Wasserscheid, W Keim. Angew. Chem., 2000, 112(21): 3926~3945.
[2] T Welton. Chem. Rev., 1999, 99(8): 2071~2084.
[3] K R Sedden. J. Chem. Technol. Biotechnol., 1997, 68(4): 351~356.
[4] P K Lai, M. Skyllas-Kazacos. J. Electroanal. Chem., 1988, 248(2): 431~440.
[5] Y Zhao, T J VanderNoot. Electrochim. Acta., 1997, 42(1): 3~13.
[6] M R Ali, A Nishikata, T Tsuru. Indian J. Chem. Technol., 1999, 6: 317~321.
[7] C A Zell, F Endres, W Freyland. Phys. Chem. Chem. Phys., 1999, 1(4): 697~704.
[8] G R Stafford, V D Jovic, T P Moffat. Proc. Electrochem. Soc., 1999, 41: 535~548.
[9] C L Hueesy, L A King, R A Carpio. J. Electrochem. Soc., 1979, 126: 1029~1032.
[10] C Nanjundiah, R A Carpio. J. Electrochem. Soc., 1983, 130: 1312~1318.
[11] B J Tierney, W R Pitner, J A Mitchell. J. Electrochem. Soc., 1998, 145: 3110~3117.
[12] F Endres, A Schweizer. Phys. Chem. Chem. Phys., 2000, 2(23): 5455~5462.
[13] P Y Chen, I W Sun. Proc. Electrochem. Soc., 1998, 11: 55.
[14] X H Xu, C L Hueesy. J. Electrochem. Soc., 1992, 139: 1295~1301.
[15] Y Katayama, S Dan, T Miura et al. J. Electrochem. Soc., 2001, 148(2): C102~C105.
[16] J A Mitchell, W R Pitner, C L Hussey et al. J. Electrochem. Soc., 1996, 143: 3448~3456.
[17] W R Pitner, C L Hussey, G R Stafford. J. Eclectrochem. Soc., 1996, 143: 130~139.
离子液体在金属电解中的应用
[18] H C DeLong, J S Wilkes, R T Carlin. J. Electrochem. Soc., 1994, 141: 1000~1006.
[19] X H Xu, C L Hueesy. Proc. Electrochem. Soc., 1992, 16: 445~456.
[20] W R Pitner, C L Hueesy. J. Electrochem. Soc., 1997, 144: 3095~3104.
[21] X H Xu, C L Hussey. J. Electrochem. Soc., 1993, 140: 618~627.
[22] C Nanjundiah, K Shimizu, R A Osteryoung. J. Electrochem. Soc., 1982, 129(11): 2474~2480.
[23] M Lipsztajn, R A Osteryoung. Inorg. Chem., 1985, 24(5): 716~719.
[24] G E Gray, P A Kohl, J Winnick. J. Electrochem. Soc., 1995, 142: 3636~3643.
[25] B J Piersma. Proc. Electrochem. Soc., 1994, 13: 415~418.
[26] N Koura, T Kato, E Yumoto. Hyomen Gijutsu, 1994, 45: 805.
[27] I Mukhopadhyay, W Freyland. Langmuir, 2003, 19(6): 1951~1953.
[28] M R Ali, A Nishikata, T Tsuru. Electrochim. Acta, 1997, 42(15): 2347~2354.
[29] T Tsuda, Y Ito. Proc. Electrochem. Soc., 1999, 41: 100~109.
[30] J H Chen, C C Wan. J. Electroanal. Chem., 1994, 365: 87~95.
[31] P Y Chen, Y F Lin, I W Sun. J. Electrochem. Soc., 1999, 146: 3290~3294.
[32] S P Wicelinski, R J Gale. J. Electrochem. Soc., 1987, 134: 262~263.
[33] M. K. Carpenter, M. W. Verbrugge. Proc. Electrochem. Soc. 1987, 7: 591~596.
[34] J S Y Liu, I W Sun. J. Electrochem. Soc., 1997, 144: 140~144.
[35] D A Habboush, R A Osteryuoung. Inorg. Chem., 1984, 23(12): 1726~1734.
[36] M K Carpenter, M W Verbrugge. J. Mater. Res., 1994, 9: 2584~2591.
[37] M K Carpenter, M W Verbrugge. USP: 926,103,1993.
[38] E G S Jeng, I W Sun. J. Electrochem. Soc., 1997, 144: 2369~2373.
[39] M C Lin, P Y Chen, I W Sun. J. Electrochem. Soc., 2001, 148(10): C653~C658.
[40] F Endres. Chem. Phys. Chem. 2002, 3: 144~154.